技术总结
本发明提供了一种双向开关晶体管，包括：衬底、器件层和在所述器件层上刻蚀的用于隔断所述器件层中的二维电子气的第一阻隔沟道和第二阻隔沟道，第一阻隔层上形成有第一栅极驱动层第二阻隔层上形成有与第一栅极驱动层连接的第二栅极驱动层，所述第一栅极驱动层和所述第二栅极驱动层通过与外部电源连接的第三栅极驱动层连接。本发明的双向开关晶体管，通过第一栅极驱动层、第二栅极驱动层和第三栅极驱动层作为整个晶体管的驱动电极，嵌入在器件层中，与现有技术的两个MOSFET相比，该双向开关晶体管只采用一个栅极驱动，减小了整个集成电路的尺寸，并且在反向导通模式下减少器件产生的损耗，提高器件的效率。
技术研发人员：刘美华;孙辉;林信南;陈建国
受保护的技术使用者：北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
文档号码：201610125190
技术研发日：2016.03.04
技术公布日：2017.09.12