1.一种顶部金属堆叠封装结构，包括：
一金属基底，包含一上表面以及一下表面，且一芯片接收腔室形成于该上表面上；
一第一芯片，借助一第一结合层以固定于该芯片接收腔室；
一基板，具有一上表面；
一第二芯片，借助一第二结合层以固定于该基板的该上表面；以及
多个连接元件，形成于该基板的该上表面；
其中，借助该些连接元件将该金属基底的该上表面与该基板连接。
2.如权利要求1所述的顶部金属堆叠封装结构，其特征在于，还包括多个第一电性连接导线，将该第一芯片与该金属基底耦合。
3.如权利要求2所述的顶部金属堆叠封装结构，其特征在于，还包括多个第二电性连接导线，将该第二芯片与该基板耦合。
4.如权利要求1所述的顶部金属堆叠封装结构，其特征在于，还包括一散热组件，形成于该金属基底的该下表面。
5.如权利要求1所述的顶部金属堆叠封装结构，其特征在于，该基板的该上表面还包括一金属层。
6.如权利要求1所述的顶部金属堆叠封装结构，其特征在于，还包含一第一封装材料，形成于该基板上并包覆住该金属基底、该第一芯片、该第二芯片、该第一结合层、该第二结合层、该些第一电性连接导线、该些第二电性连接导线以及该些连接元件，并暴露该金属基底的下表面。
7.如权利要求1所述的顶部金属堆叠封装结构，其特征在于，还包括一第二封装材料，形成于该基属基底的该芯片接收腔室上并包覆住该第一芯片、该第一结合层及该第一电性连接导线。
8.如权利要求7所述的顶部金属堆叠封装结构，其特征在于，该第一封装材料与该第二封装材料相同。
9.一种顶部金属堆叠封装结构的制造方法，包括：
提供一金属基底，包含一上表面以及一下表面，且一芯片接收腔室形成于该上表面；
形成第一结合层于该上表面的该芯片接收腔室；
借助一第一结合层，固定一第一芯片于该上表面的该芯片接收腔室；
提供一基板，具有一上表面；
借助一第二结合层，固定一第二芯片于该基板的该上表面；以及
形成多个连接元件于该基板的该上表面上；
其中，借助该些连接元件将该金属基底的该上表面与该基板连接。
10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，还包括设置多个第一电性连接导线，将该第一芯片与该金属基底耦合。
11.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，还包括设置多个第二电性连接导线，将该第二芯片与该基板电性连接耦合。
12.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，还包括形成一散热组件于该金属基底的该下表面上。
13.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，还包含形成一金属层于该基板的该上表面上。
14.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，还包括形成一第一封装材料于该基板上，且该第一封装材料包覆住该金属基底、该第一芯片、该第二芯片、该第一结合层、该第二结合层、该些第一电性连接导线、该些第二电性连接导线以及该些连接元件，并暴露该金属基底的下表面。
15.如权利要求14所述的制造方法，其特征在于，还包括形成一第二封装材料于该金属基底的该芯片接收腔室，且该第二封装材料包覆住该第一芯片、该第一结合层及该第一电性连接导线。