一种等离子体机台的底座的制造方法与工艺

本发明涉及半导体等离子体设备领域，特别涉及一种等离子体机台的底座。

背景技术：
在半导体工艺中，等离子体处理工艺的原理是将反应气体制作成等离子气体轰击基材的表面，因此其适用于任何形状的基材，即使具有复杂的几何构形的基材都可以进行等离子体活化、等离子体清洗，等离子体镀膜等工艺，由于等离子体处理对于任何工艺阶段的半导体都可以处理，因此等离子体处理工艺是半导体工艺中比较常用的步骤。等离子体处理工艺在等离子体机台中进行。请参照图1，等离子体机台中具有用于等离子体处理基材的反应腔室01，反应腔室01由保温腔壁014包裹而成，反应腔室01具有通气管015，通气管015从反应腔室01外部进入反应腔室01内部，用于输送等离子气体，保温腔壁016上具有可以加热等离子气体的热源014，用于给反应腔室01升温，反应腔室01底部为具有冷却功能的底座010，底座010表面用于放置反应的基材，请参照图2，底座010包括座台本体011，座台本体011表面对称分布有若干个支撑套筒012，若干个支撑套筒012支撑起覆盖板013，在底座01中央具有升举脚(未图示)，基材被机械手臂传送至穿过覆盖板013的升举脚，机械手臂抽出，升举脚顶起基材，然后升举脚下降直至降至覆盖板0113表面以下，在升举脚下降过程中，基材逐渐放置在覆盖板0113上，完成机台上料的过程。现有的等离子体机台，如用于化学气相沉积或者物理气相沉积工艺的等离子体机台中，其反应腔室01的温度保持在35℃，在每处理三千片晶圆后对反应腔室进行清洗。请参照图3和图4，现有技术中座台本体011上具有圆形孔0111，支撑套筒012顶端即外露段0122位于座台本体011的圆形孔0111上方，支撑套筒012的外露段0122半径等于圆形孔0111的半径，支撑套筒0111的下端位于座台本体0115的圆形孔0111内.座台本体011上，位于圆形孔0111下方具有肩台0112，支撑套筒012的下端在肩台0112处围绕圆形孔0111向周围扩张形成了凸圈0121，凸圈0121的外径大于圆形孔0111的直径，并且在肩台0112下设有支撑金属圆环0113，支撑金属圆环0113的内径小于凸圈0121的外径，若支撑套筒012向下滑动直至凸圈0121接触支撑金属圆环0113，则由支撑金属圆环0112给予凸圈0121即支撑套筒012向上的力，阻止支撑套筒012继续向下滑动，同时若支撑套筒012具有向上移动的趋势时，肩台0112给予凸圈0121向下的阻挡力，可阻止支撑套筒012向上移动，从而以此种结构使得支撑套筒0111固定在座台本体0115上。但由于座台本体011本身的材料为铝，支撑套筒012的材料为陶瓷，膨胀系数不一致，在进行清洗时会使反应腔室01升温降温，在冷热交替后，支撑套筒012的膨胀收缩程度与座台本体011的膨胀收缩程度严重不一致，使得支撑套筒012本身产生松动摇晃，尤其容易产生水平方向的移动使支撑套筒012与座台本体011之间会产生缝隙，一旦反应的等离子气体进入支撑套筒012与座台本体011之间的缝隙，会与铝制的座台本体011发生反应从而产生杂质，若是这些杂质被等离子气体冲击至晶圆上方，并粘附在晶圆上，对后续的制程会造成严重的影响，甚至会导致晶圆中大部分芯片失效。此外，在制作底座010时，先将支撑套筒012从圆形孔0111下方推进入圆形孔0111内，并使支撑套筒012向上移动，直至凸圈0121接触肩台0...