1.一种低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片，包括：红外衬底(1)，碲镉汞p型外延薄膜(2)，离子注入n型区(3)，钝化层(4)，n型区上电极(5)，p型区上电极(6)，铟柱阵列(7)；其特征在于：利用离子注入方法形成的离子注入n型区(3)制备在碲镉汞p型外延薄膜(2)上深度为0.5～3.0μm的腐蚀坑内部；离子注入窗口与腐蚀坑大小相等。