技术特征：
1.一种含Mn的P-型Cu5Ga9Te16中温热电材料，其特征在于在Cu5Ga9Te16半导体中采用摩尔分数为0.067的Mn元素等摩尔替换Cu元素，构成含Mn的Cu5Ga9Te16热电材料，该热电材料的化学式为Cu4.8Ga9Mn0.2Te16。2.一种含Mn的P-型Cu5Ga9Te16中温热电材料的制备工艺，其特征在于该制备工艺是根据化学式Cu4.8Ga9Mn0.2Te16将Cu、Ga、Mn、Te四种元素放置在石英管内真空熔炼合成，熔炼合成温度为950～1050℃，合成时间40～50小时，熔炼合成后迅速在水中急冷淬火，将淬火后的铸锭粉碎、球磨，球磨时间为5小时，球磨干燥后的粉末在短时间内经放电等离子火花烧结成形，总烧结时间不超过10分钟，烧结温度为650～750℃，烧结压力为55～65MPa，制备得到Cu4.8Ga9Mn0.2Te16热电材料。3.根据权利要求2所述的含Mn的P-型Cu5Ga9Te16中温热电材料的制备工艺，其特征在于所述Cu4.8Ga9Mn0.2Te16热电材料的熔炼合成温度为1000℃，烧结温度为700℃，烧结压力60MPa，烧结时间8分钟。4.根据权利要求2所述的含Mn的P-型Cu5Ga9Te16中温热电材料的制备工艺，其特征在于将所述四种元素先在高真空手套箱中配料，后直接放置在石英管中用石蜡封口，取出后迅速真空封装。