技术特征：
1.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：提供具有接触焊盘的衬底；在所述接触焊盘上方形成第一导电层；在所述第一导电层上方形成第一感光层；图案化所述第一感光层以在一部分所述接触焊盘的上方形成第一开口，其中，所述第一开口的宽度小于所述接触焊盘的宽度；在所述第一开口内电镀导电通孔；移除所述第一感光层；使用所述导电通孔作为掩模，移除部分所述第一导电层，直到剩余的所述第一导电层的外部边缘与所述导电通孔的外部边缘对齐；在所述衬底、所述接触焊盘和所述导电通孔上方形成钝化层，并通过研磨所述钝化层暴露出所述导电通孔；在所述导电通孔和所述钝化层上方形成第二导电层，其中，所述第二导电层宽于所述导电通孔；在所述第二导电层上方形成第二感光层；图案化所述第二感光层以形成大于所述导电通孔且完全暴露出所述导电通孔的第二开口；在所述第二开口中电镀导电柱；以及移除所述第二感光层；其中，所述导电通孔的第一宽度与所述导电柱的第二宽度的比值是0.15至0.55，所述导电通孔的的厚度为20-30μm，所述导电柱的厚度为55-60μm，并且所述导电通孔的厚度与所述导电柱的厚度的比值是0.33至0.55。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述钝化层包含非有机材料或聚合物层。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电通孔包含铜或铜合金。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电通孔在与接触焊盘接触的点处较窄。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电通孔包括垂直的侧壁。6.根据权利要求1所述的方法，其中自上而下观察所述导电通孔的形状，所述导电通孔的形状包括选自圆形、正方形和十字形中的至少一种。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电柱包含铜或铜合金。