技术总结
本发明涉及半导体器件的凸块结构。半导体器件的示例性结构包括衬底；位于该衬底上方的接触焊盘；在该衬底上方延伸并在该接触焊盘上方具有开口的钝化层，该开口具有第一宽度；在该开口内的导电通孔；和具有完全覆盖导电通孔的第二宽度的导电柱，其中第一宽度与第二宽度的比值是约0.15至0.55。本发明还提供了一种导电通孔结构。
技术研发人员：张国钦;谢玉宸;
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司;
文档号码：201610405842
技术研发日：2011.10.19
技术公布日：2016.09.21