半导体封装的制作方法

本发明实施例涉及一种半导体结构，尤其涉及一种半导体封装。

背景技术：

半导体元件用于多种电子应用上，像是个人计算机、手机、数字相机以及其他电子设备。半导体元件通常藉由在半导体衬底上依序沉积绝缘层或介电层、导体层以及半导体层或半导体材料，并使用光刻法图案化多种材料层以于半导体衬底上形成线路组件以及构件来制备。许多集成电路通常被制造在单一个半导体晶片上。可将所述晶片(wafer)的晶粒(dies)在晶片阶段(waferlevel)处理与封装，且用于晶片级封装(waferlevelpackaging)的各种技术业已开发。

技术实现要素：

本发明提供一种具有凹部的接触垫的半导体封装，其使得焊膏与焊球或凸块能被准确地定位在接触垫上，进而改善落球良率(balldropyield)并提升封装可靠度。

本发明提供一种半导体封装具有第一重分布层、第一晶粒、第二重分布层以及表面涂布层。第一晶粒包覆在封胶材料内并与第一重分布层耦接。第二重分布层设置在封胶材料上、第一晶粒上并与第一晶粒耦接。第二重分布层包括具有至少一接触垫的最顶金属化层，且至少一接触垫包括凹部。表面涂布层覆盖最顶金属化层的一部分且暴露至少一接触垫的凹部。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1显示为依照本发明一些实施例的一种半导体封装的剖面示意图；

图2至图13为依照本发明一些实施例的一种半导体封装的制造过程的各种阶段的剖面示意图；

图14a至图14c为图12的半导体封装的制造过程的各种阶段的部分剖面示意图；

图15a为图1的第二重分布层的放大部分剖面示意图；

图15b为图15a的第二重分布层的上视图；

图16a为依照本发明一些实施例的一种第二重分布层的放大部分剖面示意图；

图16b为图16a的第二重分布层的上视图。

附图标记：

100：半导体封装

110：保护层

112：载体

114：剥离层

120：第一重分布层

122：第一聚合物介电材料层

124：金属化层

126：第二聚合物介电材料层

130：第一晶粒

131：接触窗

132、232：通孔

140：封胶材料

150：第二重分布层

152、156、159、252、256、262、264：聚合物介电材料层

152a：开口

154、158、254、258：金属化层

154a、254a：接触垫

154b、254b：表面涂布层

154c、254c：凹部

160、260：导体构件

170：第二晶粒

180：导电连接结构

200：胶带

290：ubm垫

s130：正面

s150：表面

s154：侧壁

s170：顶面

p1、p2：平面

d1：距离

d2：高度

具体实施方式

以下发明内容提供用于实施所提供的标的不同特征的许多不同实施例或实例。以下所描述的构件及设置的具体实例是为了以简化的方式传达本发明为目的。当然，这些仅仅为实例而非用以限制。举例来说，于以下描述中，在第一特征上方或在第一特征上形成第二特征可包括第二特征与第一特征形成为直接接触的实施例，且亦可包括第二特征与第一特征之间可形成有额外特征使得第二特征与第一特征可不直接接触的实施例。此外，本发明在各种实例中可使用相同的元件符号和/或字母来指代相同或类似的部件。元件符号的重复使用是为了简单及清楚起见，且并不表示所欲讨论的各个实施例和/或设置本身之间的关系。

另外，为了易于描述附图中所显示的一个构件或特征与另一组件或特征的关系，本文中可使用例如“在...下”、“在...下方”、“下部”、“在…上”、“在…上方”、“上部”及类似术语的空间相对术语。除了附图中所显示的定向之外，所述空间相对术语意欲涵盖元件在使用或操作时的不同定向。设备可被另外定向(旋转90度或在其他定向)，而本文所用的空间相对术语相应地作出解释。

图1显示为依照本发明一些实施例的一种半导体封装的剖面示意图。参照图1，在一些实施例中，半导体封装100包括保护层110、第一重分布层(first redistributionlayer)120、第一晶粒130、第二重分布层150以及至少一导体构件160。在一些实施例中，第一重分布层120与第二重分布层150位于第一晶粒130的相对两侧。保护层110覆盖第一重分布层120。在一些实施例中，保护层110例如包括玻璃盖、覆盖板、硬涂层或任何其他适合的保护膜。在一些实施例中，保护层110还包括功能层，像是偏光膜、彩色膜、抗反射层或防眩光层。保护层110可允许特定波长的光通过。也就是说，依据允许通过的波长，可通过保护层110的光可为不可见光、可见光或不同颜色的光。适合的保护层110是基于设计以及产品需求来选择。此外，在一些实施例中，黏着层(未显示)沉积在保护层110与第一重分布层120之间。黏着层例如包括紫外光(uv)固化胶、热固化胶、光学透明胶或光热转换(light-to-heatconversion，lthc)胶或类似物，尽管其他类型的胶可被使用。此外，黏着层亦适用于允许光或信号通过。

在一些实施例中，在图1中，第一晶粒130夹在第一重分布层120与第二重分布层150之间，且第一晶粒130设置在第一重分布层120上并与第一重分布层120电连接(耦接)。在一些实施例中，第一重分布层120包括一个或更多个金属化层以及一个或更多个聚合物基介电层(polymer-baseddielectriclayers)。如图1所示，第一重分布层120包括第一聚合物介电材料层122、金属化层124以及第二聚合物介电材料层126。金属化层124被夹在第二聚合物介电材料层126与第一聚合物介电材料层122之间。在一些实施例中，金属化层124的材料包括铝、钛、铜、镍、钨以和/或其合金。在一些实施例中，聚合物介电材料层的材料包括聚酰亚胺(polyimide，pi)、苯并环丁烯(benzocyclobutene，bcb)、聚苯并恶唑(polybenzooxazole，pbo)或任何其他适合的聚合物基介电材料。

参照图1，在一些实施例中，第一晶粒130的正面s130面向保护层110。在一实施例中，金属化层124与位于第一晶粒130的正面s130上的接触窗131连接，以与第一晶粒130电连接。在某些实施例中，由于金属化层124与设置在第一晶粒130的正面s130的周边处的接触窗131连接，因此，金属化层124不会阻挡大部分的第一晶粒130感测光或信号，而且第一晶粒130仍能接收和检测通过保护层110的光或信号。

在一些实施例中，第一晶粒130是一种包括一个或更多个传感器元件的 传感器芯片。在某些实施例中，第一晶粒130包括至少一种指纹传感器，像是光学指纹传感器、电容式指纹传感器，或其他适合类型的传感器。在一些实施例中，当第一晶粒130可检测或感测通过保护层110的光或信号，第一晶粒130是一种传感器芯片且第一重分布层120是正面(front-side)重分布层。然而，第一晶粒130可以是具有不同功能的其他类型的晶粒(dies)或芯片(chips)以配合产品设计，在一实施例中，第一晶粒130经设置以面向下(亦即正面s130面向下并朝向保护层110)，在如图1所示的封装结构中，在此设置中，重分布层120位于保护层110上。

在一些实施例中，在图1中，第一晶粒130包覆在封胶材料(moldingmaterial)140内，而贯穿封胶材料140的通孔132与第一重分布层120以及第二重分布层150连接。封胶材料140例如包括环氧树脂或任何其他适合类型的封胶材料。在某些实施例中，通孔132为层间层通孔(throughinterlayervias，tivs)，且通孔132可还包括位于通孔132与封胶材料140之间的阻挡层(未显示)。

在一些实施例中，在图1中，第二重分布层150设置在封胶材料140上与第一晶粒130上，并藉由通孔132和第一重分布层120与第一晶粒130电连接。第二重分布层150包括一个或更多个金属化层以及一个或更多个聚合物基介电层。在某些实施例中，第二重分布层150为背面(back-side)重分布层，如图1所示的封装结构中，在此设置中，第二重分布层150位于第一晶粒130上方且第二重分布层150包括至少一个金属化层154与一个聚合物介电材料层152。在一实施例中，如图1所示的封装结构的设置中，金属化层154是最顶(最外)金属化层，而聚合物介电材料层152是最顶(最外)聚合物介电材料层。在一些实施例中，第二重分布层150还包括夹在其间的聚合物介电材料层156、聚合物介电材料层159以及金属化层158。第二重分布层150中的所述层的材料与第一重分布层120中的所述层的材料相似，于此将不再赘述。

图15a为图1的第二重分布层150的放大部分剖面示意图。图15b为图15a的第二重分布层150的上视图，除了导体构件160为了描述目的而被省略之外。参照图15a与图15b，在一些实施例中，最顶金属化层154包括一个或更多个未被最顶聚合物介电材料层152所覆盖的接触垫154a，而导体构 件160位于接触垫154a上。在某些实施例中，接触垫154a包括凹部154c，而位于接触垫154a上的导体构件160覆盖凹部154c。在某些实施例中，还包括覆盖金属化层154一部分并暴露接触垫154a的凹部154c的表面涂布层154b。在一些实施例中，金属化层154的材料包括铜或铜合金，而表面涂布层154b包括钛层与铜层的复合层。然而，表面涂布层154b的材料可包括钽或任何适合的阻挡材料。

图14c为图1的第二重分布层150的放大剖面示意图。参照图14c，接触垫154a的凹部154c暴露表面涂布层154b的侧壁s154。另外，在平面p1的法线方向上量测从接触垫154a的凹部154c的球型表面或椭圆表面到沿着第二重分布层150的顶面s150延伸的平面p1之间具有距离d1。也就是说，距离d1是在垂直于平面p1的方向上从凹部154c的最低点到顶面s150的距离。在平面p1的法线方向上，距离d1大于表面涂布层154b被暴露的侧壁s154的高度d2。在一些实施例中，距离d1大于或等于0.1微米，而高度d2大于或等于0.01微米。因此，如图14c所示，表面涂布层154b高于接触垫154a。此外，表面涂布层154b与接触垫154a皆低于聚合物介电材料层152的顶面s150。因此，在封装不同类型的集成电路(像是控制ic或高压芯片)时，可具有较高的选择弹性。另外，封装结构的厚度或是总高度减少，则成本也会降低。在一些实施例中，当接触垫154a是凹陷的且低于表面s150，焊膏与焊球或凸块能被准确地定位在接触垫154a上，因此，改善了落球良率并提升封装可靠度。

回头参照图1，在一些实施例中，半导体封装100还包括位于最顶金属化层154的接触垫154a上的一个或更多个导体构件160以及一个或更多个导电连接结构(electricalconnectors)180。虽然图1呈现4个导体构件160以及4个导电连接结构180，但导体构件160以及导电连接结构180的数量与设置可依布局或布线需求来调整。在一些实施例中，导体构件160可例如是放置在被第二重分布层150的最顶聚合物介电材料层152所暴露的接触垫154a的凹部154c上的焊球或是球柵陣列(ballgridarray，bga)，而导体构件160下方的接触垫154a的功能像是焊球垫(ballpads)。另外，设置在被暴露的部分最顶金属化层154上的导体构件160以及导电连接结构180与第二重分布层150电连接。在一些实施例中，导电连接结构180可例如是凸块， 而导电连接结构180下方的接触垫154a的功能如凸块垫(bumppads)。第二晶粒170设置在导电连接结构180上以及第二重分布层150的上方，以通过导电连接结构180与第二重分布层150电连接。在某些实施例中，相较于位于平坦的接触垫上的导体构件与导电连接结构而言，当接触垫154a凹陷如碗状的凹部154c时，位于凹陷的接触垫154a上的导体构件160与导电连接结构180的高度变得较低。在某些实施例中，半导体封装100的总高度变得更小。在一些实施例中，依据第二晶粒170的厚度，导体构件160稍高于或实质上共水平(co-levelled)于第二晶粒170的顶面s170。在一实施例中，从第二晶粒170的顶面s170延伸的平面p2高于导体构件160的最高点。因此，半导体封装100的总高度减少。在一些实施例中，第二晶粒170为高压芯片或电压模块芯片(voltagemodulationchip)。然而，本发明不限于此，而且取决于产品需求，第二晶粒170可以是任何适合的芯片。

贯穿封胶材料140的通孔132与第一重分布层120以及第二重分布层150电连接。在某些实施例中，通孔132与第一重分布层120以及第二重分布层150中的金属化层在一起可构成内连线结构(interconnectstructure)，其与第一晶粒130以及导体构件160电连接。在一些实施例中，第二晶粒170藉由导电连接结构180与所述内连线结构电连接，而且第一晶粒130可与第二晶粒170电连接。在一些实施例中，半导体封装100可进一步地被上下翻转并藉由导体构件160连接至并安装至线路板或系统板(未显示)上。在此设置中，保护层110面向上，而第一晶粒130检测或感测光或信号。

在替代实施例中，半导体封装100可更包括设置在第一晶粒130上与第二晶粒170旁的额外晶粒，而内连线结构可被调整以与所述额外晶粒电连接。本发明的结构不限于只包括第一晶粒130与第二晶粒170。

图2至图12为依照本发明一些实施例的一种半导体封装的制造过程的各种阶段的剖面示意图。在图1中所叙述的相同构件将使用相同标号，且相同构件的某些细节与叙述于此将不再赘述。在例示性实施例中，此半导体制造过程为晶片级封装工艺的一部分。在一些实施例中，晶粒可表示为晶片的多个晶粒，而单一个封装可表示为由后续的半导体制造过程所获得的多个半导体封装。参照图2，在一些实施例中，提供载体112，载体112可以是玻璃载体或任何适合用于半导体封装的制造过程的载体。在一些实施例中，载体112 可涂布一剥离层(debondlayer)114。剥离层114的材料可以是任何材料，其适用于将载体112从设置于其上的上述层剥离。接着，于载体112上形成聚合物介电材料层152，且图案化聚合物介电材料层152，以形成暴露出剥离层114的多个开口152a。

参照图3，在聚合物介电材料层152上依序形成表面涂布层154b与金属化层154，接着图案化。在某些实施例中，在图案化之后，表面涂布层154b共形地(conformally)覆盖开口152a的轮廓，而金属化层154填入开口152a且覆盖部分聚合物介电材料层152。金属化层154包括至少大于一个接触垫154a。在某些实施例中，表面涂布层154b可藉由沉积法、溅镀法、电镀法或任何其他适合的方法形成。在某些实施例中，金属化层154可藉由电镀法或沉积法形成。如图3所示，在形成金属化层154之前，于聚合物介电材料层152上形成表面涂布层154b，且表面涂布层154b覆盖开口152a。表面涂布层154b共形地覆盖金属化层154的底面。

参照图4，在一些实施例中，可形成额外的聚合物介电材料层156、聚合物介电材料层159以及额外的金属化层158。在某些实施例中，于金属化层154与聚合物介电材料层152上形成聚合物介电材料层156，于聚合物介电材料层156上形成金属化层158，接着，于金属化层158与聚合物介电材料层156上形成聚合物介电材料层159。在一实施例中，聚合物介电材料层156、聚合物介电材料层159也具有图案以容纳或暴露金属化层158，而金属化层158与金属化层154连接。在某些实施例中，藉由聚合物介电材料层152、聚合物介电材料层156、159与金属化层154、金属化层158以逐层形成第二重分布层150。也就是说，参照图2至图4，在一些实施例中，藉由将第二重分布层150的表面s150与剥离层114接触并面向载体112以在载体112上形成第二重分布层150。在一些实施例中，第二重分布层150可包括大于或小于如图4所示的3个聚合物介电材料层152、聚合物介电材料层156、聚合物介电材料层159。在替代实施例中，第二重分布层150可包括大于或小于2个金属化层。金属化层的数量与聚合物介电材料层的数量可依个别半导体封装的布线需求来调整。

参照图5，在一些实施例中，于第二重分布层150上形成通孔132且通孔132与第二重分布层150电连接。详细地说，在一些实施例中，在聚合物 介电材料层159上形成通孔132且通孔132藉由聚合物介电材料层159的开口与金属化层158连接。在一些实施例中，通孔132藉由电镀法、沉积法或任何其他适合的方法来形成。

参照图6，在一些实施例中，于第二重分布层150上设置第一晶粒130。在例示性实施例中，第一晶粒130为包括一个或更多个传感器元件的传感器芯片。在某些实施例中，第一晶粒130包括至少一种指纹传感器，像是光学指纹传感器、电容式指纹传感器，或包括电荷耦合元件(charge-coupleddevices，ccds)的其他适合类型的传感器。在一些实施例中，第一晶粒130为传感器芯片且第一晶粒130设置在第二重分布层150上，使得第一晶粒130的正面s130面向远离第二重分布层150(即图6中的面向上)。如图6的阶段所示，第一晶粒130设置在聚合物介电材料层159上，而第一晶粒130的背面接触第二重分布层150的聚合物介电材料层159。第一晶粒130不与通孔132接触。

参照图7，在一些实施例中，将位于第二重分布层150上的第一晶粒130与通孔132密封(molded)在封胶材料140中。在一些实施例中，将封胶材料140填入第一晶粒130与通孔132之间的空隙，并覆盖第二重分布层150。在一些实施例中，封胶材料140形成在第一晶粒130上并覆盖第一晶粒130的正面s130。

参照图8，在一些实施例中，平坦化封胶材料140与通孔132直到暴露出第一晶粒130的正面s130。在一些实施例中，研磨过度密封(over-molded)的封胶材料140与通孔132直到暴露出第一晶粒130的接触窗131。在一实施例中，通孔132、封胶材料140以及第一晶粒130被处理为实质上共平面。在一些实施例中，封胶材料140、通孔132以及第一晶粒130藉由研磨工艺或化学机械研磨(chemicalmechanicalpolishing，cmp)工艺平坦化。在研磨工艺之后，可选择性地进行清洁步骤，例如是清洁并且移除从研磨步骤产生的残留物。然而，本发明不限于此，平坦化步骤可藉由其他适合的方法来进行。

参照图9，于封胶材料140上、第一晶粒130上以及通孔132上形成第一重分布层120。在一些实施例中，第一重分布层120与通孔132以及第一晶粒130电连接。第一重分布层120的形成包括依序逐层形成第二聚合物介 电材料层126、金属化层124以及第一聚合物介电材料层122。第一重分布层120的形成方法与第二重分布层150的形成方法相似，于此便不再赘述。在一些实施例中，金属化层124与第一晶粒130被暴露的接触窗131连接并与第一晶粒130电连接。在一些实施例中，金属化层124与通孔132的顶面连接并藉由通孔132与第二重分布层150电连接。

接着，参照图10，在一些实施例中，于第一重分布层120上设置保护层110，而保护层110与第一聚合物介电材料层122接触。在一些实施例中，保护层110例如包括玻璃盖、覆盖板、硬涂层或任何其他适合的保护膜。在一些实施例中，保护层110更包括功能层，像是偏光膜、彩色膜、抗反射层或防眩光层。在某些实施例中，保护层110至少允许某些波长的特定信号或光通过。在一些实施例中，先在第一重分布层120或保护层110上设置黏着层(未显示)，接着，将保护层110设置在第一重分布层120上以附着第一重分布层150。

参照图11，在一些实施例中，将载体112从第二重分布层150剥离。由于剥离层114(如图10所示)，使得封装结构100与载体112容易分离。在一些实施例中，从第二重分布层150剥离的封装结构100接着倒置(上下翻转)并设置在胶带200上。在一些实施例中，胶带200可例如是载体胶带，但胶带200亦可以是另一适合类型的载体，其用以携带从载体112剥离的封装结构100。如图11所示，从载体112剥离的剩余结构被倒置(flipped)，使得保护层110直接设置在胶带200上且面向胶带200，而第二重分布层150的表面s150面向上变成顶面，金属化层154变成第二重分布层150的最顶金属化层。最顶金属化层154的表面涂布层154b被聚合物介电材料层152所暴露。

参照图12，在一些实施例中，藉由蚀刻聚合物介电材料层152以暴露最顶金属化层154。在某些实施例，最顶金属化层154的接触垫154a被蚀刻。图14a至图14c为图12的半导体封装的制造过程的各种阶段的部分剖面示意图。详细地说，如图14a所示，在剥离及倒置之后，包括接触垫154a以及覆盖接触垫154a的表面涂布层154b的最顶金属化层154被暴露且易于蚀刻。在图14b中，进行干式蚀刻工艺以蚀刻表面涂布层154b的一部分。在一实施例中，表面涂布层154b包括钛以及铜。在另一实施例中，表面涂布层154b 为钛/铜的复合层。在一些实施例中，干式蚀刻工艺包括至少进行钛干式蚀刻工艺以部分移除被聚合物介电材料层152所暴露的表面涂布层154b。如图14b所示，在藉由干式蚀刻工艺以部分移除表面涂布层154b之后，表面涂布层154b暴露金属化层154的接触垫154a的一部分。在一实施例中，干式蚀刻工艺可藉由例如是使用氟碳系蚀刻剂(fluorocarbon-basedetchants)，以部分移除表面涂布层154b。接着，在图14c中，向被暴露的接触垫154a进行湿式蚀刻工艺，以于接触垫154a中形成凹部154c。在一些实施例中，湿式蚀刻工艺包括钛湿式蚀刻工艺，而湿式蚀刻工艺移除被暴露的接触垫154a的一部分，以于接触垫154a中形成凹部154c并更移除表面涂布层154b的一部分。在一些实施例中，湿式蚀刻工艺藉由使用例如是磷酸与过氧化氢来进行。然而，本发明不限于此，而用于干式或湿式蚀刻法的化学品或反应剂可以是任何其他适合类型的根据配方所选择的化学品。如图14c所示，在一些实施例中，可进一步地蚀刻接触垫154a以形成凹部154c并暴露出表面涂布层154b的侧壁s154。在一实施例中，湿式蚀刻工艺期间移除较多的接触垫154a材料，而移除较少或小的表面涂布层154b材料。因此，如图14c所示，在某些实施例中，表面涂布层154b高于接触垫154a，且表面涂布层154b与接触垫154a皆低于聚合物介电材料层152的顶面s150。由于接触垫154a具有凹部154c，因此，于其上随后形成的焊膏与焊球或凸块能被准确地定位在接触垫154a上，藉此改善了落球良率以及封装可靠度。接触垫154a的结构与凹部154c已在上述说明提及，而相同内容于此不再赘述。在一些实施例中，形成具有凹部154c的接触垫154a，而接触垫154a为金属化层154的一部分，以当作凸块垫或焊球垫。

参照图13，在一些实施例中，导体构件160设置在顶金属化层154的接触垫154a上，而第二晶粒170设置在第二重分布层150的顶面s150上。在一些实施例中，将第二晶粒170设置到金属化层154之前，导电连接结构180设置在接触垫154a上，然后，第二晶粒170才设置在金属化层154上并与导电连接结构180连接。在一些实施例中，在设置导体构件160与导电连接结构180之前，焊膏(未显示)或助焊剂(flux)施加在接触垫154a的凹部154c上，使得导电连接结构180与导体构件160更好固定到接触垫154a。在一些实施例中，由于接触垫154a的凹部154c，因此，导体构件160以及导电连接 结构180可更准确地定位在接触垫154a上且更好地固定在接触垫154a上。在一些实施例中，当导体构件160与导电连接结构180设置在较低的接触垫154a的凹部154c上，可降低封装结构100的高度并且使得封装结构100变得更薄。在一些实施例中，导体构件160与第二重分布层150、第一重分布层120以及第一晶粒130电连接。在一些实施例中，第二晶粒170与第二重分布层150电连接，并且可与第一晶粒130电连接。虽然如上述所获得的半导体封装100设置在胶带200上，但半导体封装100将与胶带200分离并在后续工艺中切割。在一些实施例中，上述的半导体制造过程为晶片级封装工艺的一部分，在晶片切割工艺之后可得到多个半导体封装100。在一些实施例中，在晶片切割之前，分离胶带200与半导体封装100。

图15a为图1的第二重分布层的放大部分剖面示意图。图15b为图15a的第二重分布层的上视图，而导体构件160为了描述目的而未显示于图15b中。参照图15a与图15b，在一些实施例中，导体构件160主要设置在接触垫154a的凹部154c上。如图15b所示，接触垫154a的凹部154c被第二重分布层150的聚合物介电材料层152所暴露，顶金属化层154的其余部分未被聚合物介电材料层152暴露而被聚合物介电材料层152覆盖。在一些实施例中，被聚合物介电材料层152所覆盖顶金属化层154的部分可包括线路、迹线(traces)或其他布线以与其他金属化层或通孔132电连接。

图16a为依照本发明一些实施例的一种第二重分布层的放大部分剖面示意图。图16b为图16a的第二重分布层的上视图，而导体构件260为了描述目的而未显示于图15b中。参照图16a与图16b，与图15a与图15b的实施例相似，图16a与图16b的第二重分布层250与图1的半导体封装100的第二重分布层150类似。图16a的第二重分布层250与图1的第二重分布层150的不同之处在于：第二重分布层250还包括夹于聚合物介电材料层252、聚合物介电材料层256之间的凸块下方金属化(underbumpmetallurgies，ubm)垫290。在一些实施例中，当形成第二重分布层250时，ubm垫290早于金属化层254形成。在一些实施例中，形成表面涂布层254b以共形地覆盖ubm垫290。逐层形成的聚合物介电材料层252、聚合物介电材料层256、聚合物介电材料层262、聚合物介电材料层264与金属化层254、金属化层258与第二重分布层150的形成过程相似。在某些实施例中，ubm垫290可视为接触 垫与最顶金属化层。相似地，通孔232的形成与通孔132的形成类似。在一些实施例中，ubm垫290与金属化层254的接触垫254a连接。与图14a至图14c的描述相似，表面涂布层254b与ubm垫290可遭遇干式蚀刻工艺与湿式蚀刻工艺，以于ubm垫290中形成凹部254c。凹部254c、ubm垫290以及表面涂布层254b的相对设置以及尺寸与图14c中所述的凹部154c、接触垫154a以及表面涂布层154b的相对设置以及尺寸相似，于此将不再赘述。参照图16b，在一些实施例中，上视图中显示ubm垫290的凹部254c被聚合物介电材料层252所暴露，而ubm垫290的剩余部分被聚合物介电材料层252所覆盖。因此，在某些实施例，导体构件260主要设置在ubm垫290的凹部254c上。由于ubm垫290具有凹部254c，因此，焊膏与焊球或凸块能被准确地定位ubm垫290上以提供较好固定，进而改善了封装结构的落球良率以及可靠度。

根据一些实施例，一种半导体封装具有第一重分布层、第一晶粒、第二重分布层以及表面涂布层。第一晶粒包覆在封胶材料内且设置在第一重分布层上并与第一重分布层电连接。第二重分布层设置在封胶材料上、第一晶粒上并与第一晶粒电连接。第二重分布层包括具有至少一接触垫的最顶金属化层，而至少一接触垫包括凹部。表面涂布层覆盖最顶金属化层的一部分且暴露至少一接触垫的凹部。

根据一些实施例，一种半导体封装包括第一晶粒、内连线结构以及至少一导体构件。第一晶粒密封在封胶材料中。内连线结构设置在封胶材料旁，且内连线结构包括多个通孔、第一重分布层以及第二重分布层。通孔贯穿封胶材料。第一重分布层设置在第一晶粒的第一侧并与通孔连接。第二重分布层设置在第一晶粒的第二侧、封胶材料上以及第一重分布层上方并与通孔连接。第一重分布层与第二重分布层藉由通孔连接。第二重分布层包括具有至少一接触垫的最顶金属化层以及表面涂布层。表面涂布层覆盖最顶金属化层的一部分，而至少一接触垫包括被表面涂布层暴露的凹部。至少一导体构件设置在至少一接触垫的凹部上。

根据一些实施例，一种制造过程包括下列步骤。提供载体。于载体上形成第一重分布层，其中第一重分布层包括位于载体上的具有至少一接触垫的金属化层。于第一重分布层上形成多个通孔，其中通孔与第一重分布层电连 接。于第一重分布层上设置第一晶粒。将第一晶粒与通孔包覆在封胶材料中。于封胶材料上以及第一晶粒的正面上形成第二重分布层，其中第二重分布层与通孔以及第一晶粒电连接。于第二重分布层上设置保护层。将载体从第一重分布层剥离，以暴露金属化层。蚀刻第一重分布层的金属化层，以于至少一接触垫中形成凹部。

以上概述了数个实施例的特征，使本领域普通技术人员可更佳了解本发明的态样。本领域普通技术人员应理解，其可轻易地使用本发明作为设计或修改其他工艺与结构的依据，以实行本文所介绍的实施例的相同目的和/或达到相同优点。本领域普通技术人员还应理解，这种等效的设置并不悖离本发明的精神与范畴，且本领域普通技术人员在不悖离本发明的精神与范畴的情况下可对本文做出各种改变、置换以及改变。

虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的改动与润饰，均在本发明范围内。