一种N型晶体硅双面太阳能电池结构及其制备方法与流程

本发明属于太阳能电池技术领域，特别涉及一种N型晶体硅双面太阳能电池结构及其制备方法。

背景技术：

自1954年第一块太阳能电池在贝尔实验室诞生以来，晶体硅太阳能电池得到了广泛的应用，转换效率不断提升，生产成本持续下降。目前，晶体硅太阳能电池占太阳能电池全球市场总额的80％以上，晶体硅电池片的产线转换效率目前已突破20％，全球年新增装机容量约50GW且增速明显，与火力发电的度电成本不断缩小，在未来几年有望与之持平。晶体硅太阳能电池作为一种清洁能源在改变能源结构、缓解环境压力等方面的重要作用日益凸显。

按基材的掺杂类型，晶体硅太阳能电池分为P型晶体硅太阳能电池和N型晶体硅太阳能电池。与P型晶体硅太阳能电池相比，N型晶体硅太阳能电池具有更高的转换效率和杂质容忍度，且基本上无光致衰减。由于N型晶体硅比P型晶体硅具有更长的少子寿命，所以N型晶硅电池通常可以做成双面受光型电池以增加电池的输出功率，增加值一般在20％以上。

N型晶体硅双面太阳能电池要想提升竞争力、获得更大的发展与应用，必须进一步提高转换效率，同时降低生产成本，尤其是要降低占电池生产成本约15％的银电极的成本。目前N型晶体硅双面太阳能电池的正面与背面电极多采用银浆丝网印刷的方式形成近百条细栅和若干条主栅，此工序使用的物料成本昂贵，且银电极会造成电池片表面5％～7％的面积形成对光的遮挡，同时导致电阻损耗与复合损耗，使N型双面太阳能电池在效率优势上未能充分体现。

如何在减少遮光面积与保持良好的导电性之间进行平衡，是目前N型晶硅双面太阳能电池电极研究的一个热点。得益于浆料技术与印刷技术的进步，电极细栅的宽度不断减小，根据 SEMI预测，到2020年细栅的宽度将进一步减小至35微米以下，同时主栅将采用多主栅及无主栅。近年来有人采用二次叠印的方式提高了细栅线的高宽比，电极的导电性能也有所改善，但该方法会增加银浆的使用量。也有人采用光刻电镀、LIP、喷墨等电极制作方法，虽然能够制作出相对较细的细栅线，但同时也大幅增加了工艺的复杂度，所以并不适于N型晶硅电池的工业化生产。还有人将金属细丝通过导电粘结体与硅片基体或者局部金属电极结合在一起，以替代传统的细栅线，但这些电极制作方法并没有在N型晶硅双面太阳能电池的电极中得到应用。

技术实现要素：

本发明的目的是提供了一种N型晶体硅双面太阳能电池结构及其制备方法，采用细金属导线将正面与背面的局部金属电极连接起来形成电池的正、负电极。电池的结构使金属与硅基体的接触面积减小，复合损耗降低，显著降低了栅线的光遮挡面积，进而提高了电池的转换效率，同时通过减少银浆用量降低了生产成本。

为达到上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种N型晶体硅双面太阳能电池结构，其特征在于，从上而下依次包括：正面金属导线、正面局部接触金属电极、正面减反射膜、正面钝化膜、P型掺杂层、N型晶硅基体、N+区、背面钝化膜、背面局部接金属电极和背面金属导线；

正面金属导线通过正面导电结合材料与正面局部接触金属电极连接形成局部悬空结构作为电池正面电极的导电组合体，并通过设置与正面金属导线连接的正面主栅线或正电极引线将正面汇集的电流导出；

背面金属导线通过背面导电结合材料与背面局部接触金属电极连接形成局部悬空结构作为电池背面电极的导电组合体，并通过设置与背面金属导线连接的背面主栅线或负电极引线将背面汇集的电流导出。

作为本发明的进一步改进，正面局部接触金属电极以规则图案排布在N型晶体硅片正面的减反射膜上，正面局部接触金属电极穿透N型晶体硅片正面的减反射膜及钝化膜与P型掺杂层形成欧姆接触，

背面局部接触金属电极以规则图案排布在N型晶体硅片背面的钝化膜上，背面局部接触金属电极穿透N型晶体硅片背面的钝化膜与N+区形成欧姆接触。

作为本发明的进一步改进，规则图案为一维、二维几何图形或一维与二维几何图形的组合；一维几何图形选自：直线、线段、虚线段、弧线或栅线状；二维几何图形选自：圆形、椭圆形、矩形、纺锤形、环形、多边形、多角形或扇形。

作为本发明的进一步改进，所述一维几何图形的线宽为30～200um，长度为0.05～160mm；同一行中相邻两个线形的间距为0.25～2.5mm，同一列中相邻两个线形的间距为0.5～3mm；

所述二维几何图形的尺寸为30～200um，同一行中相邻两个图形的间距为0.5～2mm，同一列中相邻两个图形的间距为0.5～3mm。

作为本发明的进一步改进，所述的正面金属导线和背面金属导线均为铜线、银线、镀银铜线、镀镍铜线、镀锡铜线或合金线，直径为20～100um；所述的正面导电结合材料和背面导电结合材料均为锡膏、含锡合金、导电胶或导电薄膜。

作为本发明的进一步改进，正面钝化膜为氧化铝薄膜、氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、氮氧化硅薄膜、氧化钛薄膜、碳化硅薄膜、非晶硅薄膜中的一种或多种叠层构成，正面钝化膜的整体厚度为1～50nm；

正面减反射膜为氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、氮氧化硅薄膜、氧化钛薄膜、碳化硅薄膜中的一种或多种叠层构成，减反射膜整体厚度为50～100nm；

背面钝化膜为氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、非晶硅薄膜、氮氧化硅薄膜、氧化钛薄膜、碳化硅薄膜中的一种或多种叠层构成，背面钝化膜整体厚度为20～150nm。

作为本发明的进一步改进，N型双面电池的表面采用陷光织构，陷光织构为金字塔、倒金字塔、纳米/微米多孔结构；N型晶体硅片为N型单晶硅片或N型多晶硅片，其厚度为100～200um。

作为本发明的进一步改进，与正面局部接触金属电极接触的P型掺杂层为均匀掺杂层或选择性掺杂层，均匀掺杂层的方阻为50～100Ω/□；选择性掺杂层中，浅掺区域方阻为50～150Ω/□，重掺区方阻为10～50Ω/□；正面局部接触金属电极分布在重掺区域分布的图形之内；

与背面局部接触金属电极接触的N+区为均匀掺杂层或选择性掺杂层，均匀掺杂层的方阻为20～100Ω/□；选择性掺杂层中，浅掺区域方阻为50～150Ω/□，重掺区方阻为10～50Ω/□，背面局部接触金属电极分布在背面的重掺杂区域分布的图形之内。

作为本发明的进一步改进，当设置正面主栅线和背面主栅线时，正面主栅线和背面主栅线分别与正面金属导线和背面金属导线交错设置，所有的正面金属导线均通过正面导电结合材料与正面主栅线连接形成局部悬空结构；所有的背面金属导线均通过背面导电结合材料与背面主栅线连接形成局部悬空结构；

当设置正电极引线和负电极引线时，正电极引线和负电极引线分别连接所有正面金属导线、所有背面金属导线，且正电极引线和负电极引线相对布置。

一种N型晶体硅双面太阳能电池结构的制备方法，包括如下步骤：

(1)将N型晶体硅片进行表面织构化处理；

(2)在N型晶体硅片的正面采用低压扩散、常压扩散、离子注入、激光掺杂或杂质浆料涂敷协同热处理的方法形成P型掺杂层，P型掺杂层为均匀性掺杂或选择性掺杂；

(3)在N型晶体硅片的背面采用常压扩散、低压扩散、离子注入、涂敷磷浆协同热处理或掺杂介质膜协同热处理的方法形成N+区；

(4)对掺杂处理后的硅片进行化学清洗；

(5)在P型掺杂层表面上依次沉积正面钝化膜和正面减反射膜；在N+区上沉积背面钝化膜；

(6)在正面减反射膜上采用丝网印刷、喷墨、3D打印、激光转印、化学腐蚀协同气相沉积、光诱导镀或电镀的方法制作阵列分布的正面局部接触金属电极；

(7)在背面钝化膜上采用丝网印刷、喷墨、3D打印、激光转印、化学腐蚀协同气相沉积、光诱导镀或电镀的方法制作阵列分布的背面局部接触金属电极；

(8)进行烘干处理；

(9)进行热处理，正面局部接触金属电极穿透正面减反射膜及正面钝化膜与P型掺杂层形成良好的欧姆接触；背面局部接触金属电极穿透背面钝化膜与N+区形成欧姆接触；

(10)在正面局部接触金属电极和背面局部接触金属电极上制作导电结合材料；

(11)将正面金属导线和背面金属导线分别沿正、背面局部接触金属电极的行方向拉拔并紧贴在导电结合材料之上；

(12)进行热处理，使正、背面的金属导线通过导电结合材料与局部接触金属电极结合在一起，形成N型晶体硅双面太阳能电池的正、负电极。

本发明的N型晶体硅双面太阳能电池结构优点为：第一、正面、背面电极采用局部悬空细栅线，局部悬空细栅线由细金属导线通过导电结合材料与局部金属电极连接构成，细金属导线尤其是细铜线，替代了正面与背面电极上的部分银，降低了N型晶硅双面电池银电极使用量，从而降低了N型晶硅双面电池的制造成本；第二、电池正面与背面的细金属导线具有更高的栅线高宽比，且为局部悬空结构，这可以使金属与硅基体的接触面积减小，复合损耗降低，由于光线的多次反射，悬空区域的硅表面也可以作为受光面，显著降低了栅线的光遮挡面积，进而提高了电池的转换效率；第三、本专利所述的电池制作方法简单、可靠，适于工业化生产。

本发明的制备方法，按照电池的结构进行由内向外的方式进行，本部分可以采用多种方式 制作，工艺简单，可操作性强。本发明所述的N型双面电池电极制作方法简单、可靠，适于工业化生产。

附图说明

图1是正面、背面为选择性掺杂的N型双面电池沿细栅线(金属导线)方向的局部剖面示意图。

图2是正面均匀掺杂、背面选择性掺杂的N型双面电池沿主栅线方向的局部剖面示意图。

图3是正面、背面为均匀掺杂的N型双面电池沿细栅线方向的局部剖面示意图。

图4是正面选择性掺杂、背面均匀掺杂的N型双面电池沿主栅线方向的局部剖面示意图。

图5是有主栅正面或背面电极的局部平面示意图一。

图6是无主栅正面或背面电极的局部平面示意图二。

图中，1为正面减反射膜，2为正面钝化膜，3为P型晶硅层(均匀或选择性重掺杂)，4为N型晶硅基体，5为N+区(均匀或选择性重掺杂)，6为背面钝化膜，7为正电极引线，8为正面金属导线，9为正面主栅线，10正面粘导电结合材料，11为正面局部接触金属电极，12为背面金属导线，13为背面主栅，14为背面导电结合材料，15为背面局部接触金属电极，16为负电极引线。

具体实施方式

以下结合附图实施例对本发明作进一步详细描述。

如图1至图4所示，本发明一种N型晶体硅双面太阳能电池结构，电池结构从上而下包括：正面金属导线8、正面局部接触金属电极11、正面减反射膜1、正面钝化膜2、P型掺杂层3、N型晶硅基体4、N+区5、背面钝化膜6、背面局部接触金属电极15和背面金属导线12。其中，电池的正面与背面电极由主栅线和局部悬空细栅线构成，也可以完全由局部悬空细栅线构成。局部悬空细栅线由局部接触金属电极和细金属导线构成，局部金属电极以一维图形、二 维图形或一维和二维组合图形阵列分布在N型电池的正、背面，并与硅基体(可以是一般掺杂，也可以是重掺杂)形成良好的欧姆接触。细金属导线(铜线、银线、镀银铜线、镀镍铜线、镀锡铜线或合金线)通过导电结合材料与局部接触金属电极结合在一起，形成一个可替代电池细栅线的导电组合体。主栅线或电极引线将电池正面和背面汇集的电流导出。

具体地，正面电极由正面主栅线9和正面局部悬空细栅线垂直相交构成，或全部由正面局部悬空细栅线构成。其中正面局部悬空细栅线由正面局部接触金属电极11和正面细金属导线8构成，正面局部接触金属电极11以一维图形、二维图形或一维和二维组合图形阵列分布在N型电池的正面，正面局部接触金属电极11穿透正面减反射膜1及正面钝化膜2与硅基体形成良好的欧姆接触；正面细金属导线8通过正面导电结合材料10与正面局部金属电极11结合在一起。

背面电极由背面主栅线13和背面局部悬空细栅线垂直相交构成，或全部由正面局部悬空细栅线构成。其中背面局部悬空细栅线由背面局部接触金属电极15和背面细金属导线12构成，背面局部接触金属电极15以一维图形、二维图形或一维和二维组合图形阵列分布在N型电池的背面，背面局部接触金属电极15穿透背面钝化膜6与背面N+区5接触；背面细金属导线12通过背面导电结合材料14与背面局部金属接触电极15结合在一起。

如图5和6所示，本发明所述的N型晶体硅双面太阳能电池正面、背面电极也可以不需要主栅线，完全由局部悬空细栅线构成，电池正面一端设有正面电极引出段，电池背面另一端设有背面电极引出段，引出段金属导线用于将汇集的电流导出。

导电结合材料为锡膏、含锡合金、导电胶或导电薄膜。，导电结合材料与正面局部接触金属电极连接的方法为丝网印刷协同热处理、喷墨协同热处理、热压焊、超声焊、点焊及粘贴。

本发明提供了一种N型晶体硅双面太阳能电池结构，其制备方法可按如下步骤进行：

(1)将N型晶体硅片进行表面织构化处理，硅片可以是N型单晶硅片、N型多晶硅片， 织构处理可以采用化学药液腐蚀、等离子刻蚀、金属催化、激光刻蚀等方法。

在N型硅片的正面进行掺杂处理，杂质源可以是BBr₃、B₂O₃、BCl₃、BF₃、B₂H₆、含硼掺杂剂等，掺杂的方法可以采用低压扩散、常压扩散、离子注入、激光掺杂、杂质浆料涂敷加热处理、掺杂介质膜加热处理等方法。与正面局部接触金属电极11接触的P型掺杂层3为均匀掺杂层，方阻为50～100Ω/□；或为选择性掺杂层，浅掺区域方阻为50～150Ω/□，重掺区方阻为10～50Ω/□，正面局部接触金属电极11分布在重掺区域分布的图形之内。

在硅片的背面进行掺杂处理，杂质源可以是POCl₃、PH₃、磷酸、P₂O₅或其他含磷浆料等，掺杂的方法可以采用常压扩散、低压扩散、离子注入、激光掺杂、杂质浆料涂敷协同热处理、掺杂介质膜协同热处理等方法。与背面局部接触金属电极15接触的N+区5为均匀掺杂，方阻为20～100Ω/□；或为选择性掺杂，浅掺区域方阻为50～150Ω/□，重掺区方阻为10～50Ω/□，背面局部接触金属电极15分布在背面的重掺杂区域分布的图形之内。背面选择性重掺杂图案为一维、二维几何图形或一维与二维几何图形的组合；一维几何图形选自：直线、线段、虚线段或弧线；二维几何图形选自：圆形、椭圆形、纺锤形、环形、多边形、多角形或扇形。所述一维几何图形的线宽为30～200um，长度为0.05～160mm；同一行中相邻两个线形的间距为0.25～2.5mm，同一列中相邻两个线形的间距为0.5～3mm。所述二维几何图形的尺寸为30～200um，同一行中相邻两个图形的间距为0.5～2mm，同一列中相邻两个图形的间距为0.5～3mm。此工序根据采用的掺杂方法，既可以在背面钝化膜沉积之前或之后进行。

(2)对掺杂处理后的硅片进行化学清洗。

(3)在N型硅片的正面沉积1～50nm的钝化膜2和50～100nm的减反射膜1；在背面沉积20～150nm的钝化膜6(或掺杂钝化膜)。正面钝化膜2为氧化铝薄膜、氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、氮氧化硅薄膜、氧化钛薄膜、碳化硅薄膜、非晶硅薄膜中的一种或多种叠层构成；正面减反射膜1为氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、氮氧化硅薄膜、氧化钛薄膜、碳化硅薄膜中的一种 或多种叠层构成；背面的钝化膜6为氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、非晶硅薄膜、氮氧化硅薄膜、氧化钛薄膜、碳化硅薄膜中的一种或多种叠层构成。

(4)按特定的图形在N型硅片的正面上制作与硅基体直接接触的阵列分布局部接触金属电极11，正面局部接触金属电极11可以是银电极、铝电极、镍电极、铜电极、合金电极或金属复合电极，制作方法可以采用丝网印刷、钢板印刷、喷墨、3D打印、激光转印等，或可以采用激光或化学腐蚀协同气相沉积、光诱导镀、电镀等方法。局部金属的分布图案为一维、二维几何图形或一维与二维几何图形的组合；一维几何图形选自：线段、虚线段或弧线；二维几何图形选自：圆形、椭圆形、纺锤形、环形、多边形、多角形或扇形。所述一维几何图形的线宽为30～200um，长度为0.05～160mm；同一行中相邻两个线形的间距为0.25～2.5mm，同一列中相邻两个线形的间距为0.5～3mm。所述二维几何图形的尺寸为30～200um，同一行中相邻两个图形的间距为0.5～2mm，同一列中相邻两个图形的间距为0.5～3mm。正面局部金属之下的硅基体可以是一般掺杂，也可以是重掺杂。

(5)在硅片的背面制作背面局部接触金属电极15，背面局部接触金属电极15可以是银电极、铝电极、镍电极、铜电极、合金电极或金属复合电极，制作方法可以采用丝网印刷、钢板印刷、喷墨、3D打印、激光转印等。

(6)在200～300℃下进行烘干。

(7)在300～900℃下进行热处理，使正面与背面阵列分布的局部金属电极与硅基体形成良好的欧姆接触。

(8)在N型硅片正面与背面的局部金属电极上制作导电结合材料10和导电结合材料14，制作的方法可以采用印刷、喷墨、热压焊、超声焊、点焊或粘贴等。

(9)将细金属导线沿正、背面局部金属电极的行方向拉拔并紧贴在导电结合材料之上，细金属导线的材质为铜线、银线、镀银铜线、镀镍铜线、镀锡铜线或合金线等，细金属导线的 直径为20～100um。

(10)在100～400℃下使细正、背面的金属导线通过导电结合材料与局部金属电极结合在一起，形成可作为N型晶硅电池正面与背面电极的导电组合体。

实施例1：

(1)将N型单晶硅片于80℃左右的KOH溶液中异向腐蚀，获得表面金字塔结构。

(2)在硅片正面，以BBr₃作为杂质，在950℃左右低压扩散形成40Ω/□的均匀扩散层。

(3)在硅片背面，以POCl₃作为杂质，在800℃左右低压扩散形成40Ω/□的均匀扩散层。

(4)按特定图形在硅片的正面与背面上喷掩膜。正面与背面掩膜的图形为四个等距分布的主栅与阵列状线段的组合，其中单个线段的宽度为40um，长度为0.5mm，同一行中相邻两个线段的间距为0.5mm，同一列中相邻两个线段的间距为1.5mm。主栅的宽度为1.2mm，长度为156mm。

(5)采用湿法刻蚀去掉正面的硼硅玻璃与背面的磷硅玻璃。在硅片的正面与背面，有掩膜的区域形成约50Ω/□的低方阻，在没有掩膜的区域形成约90Ω/□的高方阻。

(6)在正面先沉积5nm左右的氧化铝，之后沉积60nm左右的氧化硅；在背面沉积80nm左右的氧化硅。

(7)在正面采用丝网印刷的方法按正面重掺杂图形制作阵列分布的局部金属电极，此过程同时形成4条等距分布的银主栅电极。

(8)在200～300℃下进行烘干。

(9)在背面采用丝网印刷的方法按背面重掺杂图形制作阵列分布的局部金属电极，此过程同时形成4条等距分布的银主栅电极。

(10)在200～300℃下进行烘干。

(11)在300～900℃下进行热处理，使电池正面与背面阵列分布的金属浆料穿透减反射 膜与钝化膜，与硅基体的重掺杂区域形成良好的欧姆接触。

(12)在正面与背面的局部金属电极上采用丝网印刷的方法制作锡膏。

(13)将细铜线沿正面与背面局部金属电极的行方向拉拔并紧贴在锡膏之上，细铜线的直径为40um。

(14)在300℃下使细铜线通过锡膏与局部金属电极结合在一起，形成可作为N型晶硅电池正面与背面电极的导电组合体。

实施例2：

(1)N型单晶硅片于80℃左右的KOH溶液中异向腐蚀，获得表面金字塔结构。

(2)在硅片的正面涂敷硼浆。

(3)将硅片正面的硼浆烘干。

(4)在硅片的背面按特定图形印刷磷浆，印刷图形为阵列分布的线段，单个线段的宽度为50um，长度为3mm，同一行中相邻两个线段的间距为2mm，同一列中相邻两个线段的间距为3mm。

(5)将硅片背面局部区域的磷浆烘干。

(6)在950℃左右下进行热处理，使硅片正面的硼原子与背面的磷原子向硅基体扩散，从而在硅片正面形成100Ω/□的均匀P型扩散层，在硅片背面形成40Ω/□局部N+型扩散层。

(7)采用湿法刻蚀去硅片正面的硼硅玻璃与背面的磷硅玻璃。

(8)在正面先沉积5nm左右的氧化铝，之后沉积70nm左右的氮化硅；在背面沉积50nm左右的氮化硅。

(9)在正面采用喷墨的方法按特定图形制作阵列分布的局部金属电极，印刷图形采用线段状阵列，宽度为50um，长度为3mm，同一行中相邻两个线段的间距为2mm，同一列中相邻两个线段的间距为3mm。

(10)在200～300℃下进行烘干。

(11)在背面采用喷墨的方法按背面的重掺杂图形制作阵列分布的局部金属电极。

(12)在200～300℃下进行烘干。

(13)在300～900℃下进行热处理，使电池正面与背面阵列分布的金属浆料穿透减反射膜与钝化膜，与硅基体形成良好的欧姆接触。

(14)在正面与背面的局部金属电极上采用印刷的方法制作锡膏。

(15)将细银线沿正面与背面局部金属电极的行方向拉拔并紧贴在锡膏之上，细银线的直径为50um。正面细银线的一侧与硅片边缘齐平，另一侧比硅片边缘长出约3mm，以作为电池正面电流汇集导出的引线。背面细银线的一侧与硅片边缘齐平，另一侧比硅片边缘长出约3mm，以作为电池背面电流汇集导出的引线。正面与背面的引线相对布置。

(16)在400℃下使细银线通过锡膏与局部金属电极结合在一起，形成可作为N型晶硅电池正面与背面电极的导电组合体。

实施例3：

(1)N型单晶硅片于80℃左右的NaOH溶液中异向腐蚀，获得表面金字塔结构。

(2)在N型硅片的正面采用离子注入的方法掺入硼原子，硼源采用BF₃，形成80Ω/□的均匀扩散层。

(3)在N型硅片的背面采用离子注入的方法掺入磷原子，硼源采用PH₃，形成70Ω/□的均匀扩散层。

(4)对离子注入后的硅片进行化学清洗。

(5)在正面先沉积3nm左右的氧化铝，之后沉积80nm左右的氮化硅；在背面沉积80nm左右的氮化硅。

(6)在硅片的正面采用丝网印刷的方法按阵列分布图形制备正面局部接触金属电极，印 刷图形为点状阵列，单个点的直径为60um，同一行中相邻两个点的中心距为1mm，同一列中相邻两个线点的中心距为1.5mm。

(7)在200～300℃下进行烘干。

(8)在硅片的背面采用丝网印刷的方法按阵列分布图形制备背面局部接触金属电极，印刷图形为点状阵列，单个点的直径为60um，同一行中相邻两个点的中心距为1mm，同一列中相邻两个线点的中心距为1.5mm。

(9)在200～300℃下进行烘干。

(10)在300～900℃下进行热处理，使电池正面与背面阵列分布的金属浆料穿透减反射膜与钝化膜，与硅基体形成良好的欧姆接触。

(11)在正面与背面的局部金属电极上采用丝网印刷的方法制作锡膏。

(12)将细银线沿正面与背面局部金属电极的行方向拉拔并紧贴在锡膏之上，细银线的直径为40um。正面细银线的一侧与硅片边缘齐平，另一侧比硅片边缘长出约3mm，以作为电池正面电流汇集导出的引线。背面细银线的一侧与硅片边缘齐平，另一侧比硅片边缘长出约3mm，以作为电池背面电流汇集导出的引线。正面与背面的引线相对布置。

(13)在300℃下使细银线通过锡膏与局部金属电极结合在一起，形成可作为N型晶硅电池正面与背面电极的导电组合体。

以上所述仅为本发明的一种实施方式，不是全部或唯一的实施方式，本领域普通技术人员通过阅读本发明说明书而对本发明技术方案采取的任何等效的变换，均为本发明的权利要求所涵盖。