等离子处理装置的制作方法

本申请要求2015年7月27日提交的10-2015-0106065号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的内容通过引用整体合并于此。

技术领域

本公开涉及等离子处理装置以及使用该等离子处理装置对基底进行等离子处理的方法。

背景技术：

等离子处理装置可使用等离子在基底上执行各种处理过程。例如，等离子处理装置可以在基底上执行表面处理过程。表面处理过程可修改基底的表面，并且由于表面处理过程增加表面的表面能。

表面处理过程可用作用于在基底上形成涂覆层的过程的一部分。例如，当在基底上形成第一涂覆层之后在第一涂覆层上执行表面处理过程时，可以提高第一涂覆层与在第一涂覆层上形成的第二涂覆层之间的粘合强度。

移动显示设备(例如智能电话)可包括覆盖显示屏幕的窗口。窗口可由塑料材料形成，并且可在窗口上形成涂覆层以提高窗口的硬度。此外，当在窗口上形成涂覆层时，可应用表面处理过程，并且因此可以提高各涂覆层之间的粘合强度。

技术实现要素：

本公开的示例性实施方式的各方面提供了能够容易地在各种基底上执行等离子处理过程的等离子处理装置。

发明构思的实施方式提供了一种等离子处理装置，所述等离子处理装置包括基底支撑单元、等离子单元、第一旋转驱动单元和气体供应部分。

在一些实施方式中，基底支撑单元支撑基底。等离子单元生成等离子并将等离子提供至基底。第一旋转驱动单元联接至等离子单元以相对于基底支撑单元旋转等离子单元。气体供应部分将源气体供应至等离子单元。

在一些实施方式中，等离子单元可包括本体、位于本体中的第一电极、位于本体中并面对第一电极的第二电极，以及位于第一电极与第二电极之间以在其中流过源气体的管路(例如，管)。

在一些实施方式中，第一旋转驱动单元可包括第一旋转轴线和第一旋转驱动部分。当在侧视图(例如相对于第一旋转轴线)中观察时，等离子单元的出口可通过第一旋转驱动单元在顺时针方向或逆时针方向上旋转。

在一些实施方式中，等离子处理装置可进一步包括第二旋转驱动单元。第二旋转驱动单元可联接至等离子单元，从而当在平面图(例如相对于第一旋转轴线)中观察时，通过第二旋转驱动单元在顺时针方向或逆时针方向上旋转等离子单元。

在一些实施方式中，等离子处理装置可进一步包括第三旋转驱动单元。第三旋转驱动单元可联接至等离子单元，以将等离子单元的出口所面对的方向从腔室的上端部改变为腔室的下端部。

根据一些实施方式，等离子单元和基底中的至少一个进行旋转，以允许等离子单元的出口面对基底的弯曲部(例如弯曲的表面部)。

根据一些实施方式，借助于旋转驱动单元，等离子单元在腔室的反应空间中旋转。从而，可控制等离子单元的出口面对各种方向，并因此，通过出口排放的等离子可各向同性地供应至基底。

因此，通过使用等离子单元，可以在基底的整个表面上均匀地执行表面处理过程。此外，可在基底的弯曲部上容易地执行表面处理过程。

附图说明

结合附图参照下文的详细描述，本公开的上述特征或其它特征将变得显而易见，其中：

图1是示出根据本公开的一些示例性实施方式的等离子处理装置的侧视图；

图2A是示出第一等离子单元的剖视图，该剖面是沿着图1中所示的线I-I'截取的；

图2B是示出根据图1的等离子单元的平面图；

图3A和图3B是示出根据一些实施方式的通过第一旋转驱动单元旋转的等离子单元的侧视图；

图3C是示出根据一些实施方式的通过第二旋转驱动单元旋转的等离子单元的平面图；

图3D是示出根据一些实施方式的通过第三旋转驱动单元旋转的等离子单元的侧视图；

图4是示出根据本公开的一些示例性实施方式的等离子处理装置的侧视图；以及

图5A至图5C是示出根据一些实施方式的、当在基底上形成多个涂覆层时使用图1中所示的等离子处理装置对基底进行等离子处理的方法的视图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图描述本发明的示例性实施方式。在以下的描述中，相同的附图标记将指示具有大致相同的功能或配置的元件和结构，并且为了避免冗余将省略其详细描述。

在附图中，为了清楚起见，层、膜和区域的厚度可以被夸大。将理解，当元件或层被称为位于另一元件或层“上”、“连接至”或“联接至”另一元件或层时，可以直接位于另一元件或层上、连接至或联接至另一元件或层，或者可存在介于其间的元件或层。相反，当元件被称为“直接位于”另一元件或层“上”、“直接连接至”或“直接联接至”另一元件或层时，不存在介于其间的元件或层。

本文中使用的术语仅是为了描述特定实施方式的目的，并且无意限制本发明。如本文所使用的，除非上下文另有明确表示，否则单数形式的“一(a)”和“一(an)”旨在同样包括复数形式。还将理解，当在本说明书中使用时，术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包括(includes)”以及“包括(including)”指定所阐述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其集合的存在或增加。如在本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关联的所列项的任意组合或所有组合。当措辞(诸如“……中的至少一个”)放在一列元件之后时，该措辞修饰整列元件，而并非修饰该列中的单个元件。

为了便于描述，本文中可使用空间上相对的术语诸如“在……下方”、“在……之下”、“下方”、“下面”、“在……之上”、“上方”等来描述一个元件或特征与另外的元件或特征如附图中所示的关系。将理解，除了附图中所绘出的定向以外，空间上相对的术语旨在包括设备在使用或操作中的不同定向。例如，如果附图中的设备被翻转，则描述为在其它元件或特征“之下”、“下方”或“下面”的元件或特征将定向为在其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……之下”和“下面”可包括上方和下方两种定向。设备可以以其它方式定向(例如，旋转90度或者处于其它定向)，并且应对本文中所使用的空间上相对的描述语进行相应地解读。

如本文中所使用，术语“基本上”、“大约”和类似的术语用作近似的术语而不是用作程度的术语，并且其旨在说明本领域普通技术人员能够认识到的、所测量或计算的值上的固有差异。此外，当描述本发明的实施方式时“可”的使用是指“本发明的一个或多个实施方式”。如本文中所使用的，术语“使用(use)”、“使用(using)”和“使用(used)”可认为分别与术语“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“利用(utilized)”同义。同样地，术语“示例性”旨在表示示例或例示。

除非另外定义，否则本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解，除非本文明确定义，否则术语(诸如在常用词典中定义的术语)应解释为具有与其在相关领域背景中和/或本说明书中的含义一致的含义，而不应在理想化或过于正式的意义上进行解释。

图1是示出根据本公开的一些示例性实施方式的等离子处理装置500的侧视图。图2A是示出第一等离子单元200的剖视图，该剖视图是沿着图1中所示的线I-I'截取的，以及图2B是示出图1中所示的等离子单元200和等离子单元201的平面图。

参照图1、图2A和图2B，等离子处理装置500可在基底W1、基底W2、基底W3、基底W4、基底W5和基底W6中的每个上执行等离子处理。在一些示例性实施方式中，基底W1至基底W6中的每个可以是但不限于覆盖显示设备的显示部分的窗口，并且基底W1至基底W6中的每个可包括具有弯曲表面的弯曲部BP。

在一些示例性实施方式中，等离子处理装置500可包括腔室CB，基底支撑单元51、52、53、54、55和56，气体供应部分100和101，等离子单元200和201，第一旋转驱动单元80和85，第二旋转驱动单元400以及第三旋转驱动单元300。

腔室CB可包括上端部P3、下端部P4，以及连接上端部P3和下端部P4的多个侧壁。例如，图1示出第一侧壁P1和面对第一侧壁P1的第二侧壁P2，但腔室CB不受限于此或由此限制。腔室CB设置有在其中限定的反应空间RS，在该空间中在基底W1至基底W6上执行等离子处理。

在一些示例性实施方式中，反应空间RS可维持在真空状态。在这样的实施方式中，等离子处理装置500可进一步包括连接至反应空间RS的真空泵(未示出)。

然而，反应空间RS应理解为不限于维持在真空状态。也就是说，根据一些实施方式，反应空间RS可维持在大气压力状态。

在一些示例性实施方式中，基底入口D1和基底出口D2每个均与腔室CB的上端部P3和下端部P4相邻。基底入口D1延伸穿过第一侧壁P1并且基底出口D2延伸穿过第二侧壁P2。

等离子处理装置500可进一步包括传送轨道TR以传送基底W1至基底W6。传送轨道TR穿过反应空间RS，传送轨道TR的一端在腔室CB的基底入口D1外侧，并且传送轨道TR的另一端在腔室CB的基底出口D2外侧。在一些实施方式中，基底W1至基底W6通过基底入口D1进入到反应空间RS中并且通过基底出口D2退出到腔室CB之外。

基底支撑单元51至基底支撑单元56(例如，基底支撑件)分别支撑基底W1至基底W6，并且在反应空间RS中旋转基底W1至基底W6，正如下文进一步描述的。

在一些实施方式中，基底支撑单元51至基底支撑单元53与腔室CB的上端部P3相邻，并且基底支撑单元54至基底支撑单元56与腔室CB的下端部P4相邻。因为基底支撑单元51至基底支撑单元56可具有大致相同的结构和功能，所以将作为代表性示例详细描述(基底支撑单元51至基底支撑单元56中的)第一基底支撑单元51，并且将作为代表性示例详细描述(基底W1至基底W6中的)第一基底W1。第一基底W1联结至第一基底支撑单元51(例如见图1)。

在一些实施方式中，第一基底支撑单元51可包括驱动部分RD、旋转轴线RA以及保持部分RC(例如见图1)。驱动部分RD包括马达以生成旋转力，并且旋转轴线RA(例如，具有旋转轴线RA的旋转轴)连接至驱动部分RD以从驱动部分RD接收旋转力。保持部分RC的一端连接至旋转轴线RA，并且保持部分RC的另一端保持第一基底W1。

在一些示例性实施方式中，保持部分RC可包括卡盘(未示出)以保持第一基底W1，并且卡盘可包括与第一基底W1接触的支撑销(未示出)。

当通过驱动部分RD生成旋转力时，旋转力施加至旋转轴线RA，并且当从侧面观察时，保持部分RC在反应空间RS中在第一顺时针方向RDR1上或者在第一逆时针方向RDR1-1上旋转(即关于旋转轴线RA旋转，例如见图1)。第一基底W1与保持部分RC的旋转相连锁，并且(例如取决于保持部分RC的旋转)在反应空间RS中在第一顺时针方向RDR1上或在第一逆时针方向RDR1-1上旋转。

在第一基底W1在反应空间RS中旋转(即关于旋转轴线RA旋转)的一些实施方式中，第一基底W1的上表面、第一基底W1的下表面以及弯曲部BP的弯曲表面可以朝向等离子单元200和等离子单元201定向。由等离子单元200和等离子单元201(例如等离子发生器)生成的等离子可以均匀地施加至第一基底W1的整个表面，并且因此，通过从等离子单元200和等离子单元201提供的等离子，可以在第一基底W1的整个表面上均匀地执行表面处理过程。

在一些实施方式中，气体供应部分100和气体供应部分101(例如气体供应器)可以为等离子单元200和等离子单元201提供源气体SG。气体供应部分100和气体供应部分101包括第一气体供应部分100和第二气体供应部分101，并且等离子单元200和等离子单元201包括第一等离子单元200和第二等离子单元201。

第一气体供应部分100通过第一气体管线PR1将源气体SG提供至第一等离子单元200，并且第二气体供应部分101通过第二气体管线PR2将源气体SG提供至第二等离子单元201。

在一些示例性实施方式中，源气体SG可包括氩气、氢气、氮气以及氧气中的至少一个。

第一气体管线PR1和第二气体管线PR2可具有柔韧的形状。例如，第一气体管线PR1和第二气体管线PR2可以是由塑料材料形成的软管。相应地，当第一等离子单元200和第二等离子单元201旋转时，第一气体管线PR1和第二气体管线PR2可以是可变形的。因此，源气体SG可以通过第一气体管线PR1和第二气体管线PR2稳定地提供至第一等离子单元200和第二等离子单元201。

在一些实施方式中，第一等离子单元200和第二等离子单元201从第一气体供应部分100和第二气体供应部分101接收源气体SG，并且生成等离子PS。第一等离子单元200可包括第一出口DH1，通过所述第一出口DH1排放等离子PS(例如第一等离子单元200和/或第一出口DH1可位于反应空间RS中)，并且第二等离子单元201可包括第二出口DH2，通过所述第二出口DH2排放等离子PS(例如第二等离子单元201和/或第二出口DH2可位于反应空间RS中)。因而，当操作第一等离子单元200和第二等离子单元201时，反应空间RS中填充有等离子PS。第一等离子单元200和第二等离子单元201可具有大致相同的结构和功能，并且因此将作为代表性示例详细描述第一等离子单元200。

第一等离子单元200可包括本体BD、第一电极E1、第二电极E2以及管路FP(例如见图2A)。第一出口DH1位于本体BD的一端处。第一电极E1和第二电极E2位于本体BD中并彼此面对，以使得管路FP(例如管)位于第一电极E1与第二电极E2之间。

在一些实施方式中，第一电极E1和第二电极E2可连接至直流电源，在第一电极E1与第二电极E2之间形成电场EF。当在形成电场EF的同时通过管路FP提供源气体SG时，源气体SG通过从第一电极E1和第二电极E2中的一个提供的电子转换成离子态，从而生成等离子PS。此外，生成的等离子PS通过第一出口DH1排放。

在一些实施方式中，第一旋转驱动单元80和第一旋转驱动单元85可分别(例如，以一一对应的方式)联接至等离子单元200和等离子单元201。因为第一旋转驱动单元80和第一旋转驱动单元85可具有大致相同的结构和功能，所以在下文中，将作为代表性示例参照图3A和图3B仅详细描述一个第一旋转驱动单元80。

图3A和图3B是示出根据一些实施方式的通过第一旋转驱动单元80旋转的等离子单元200和等离子单元201的侧视图。

参照图1、图3A和图3B，第一旋转驱动单元80(例如第一旋转驱动器)可包括第一旋转驱动部分81和第一旋转轴线82。第一旋转驱动部分81可包括马达以生成旋转力，并且第一旋转轴线82可连接至第一旋转驱动部分81，以从第一旋转驱动部分81接收旋转力。

第一旋转轴线82可联接至第一等离子单元200。因此，当操作第一旋转驱动部分81以旋转第一旋转轴线82时，第一等离子单元200通过第一旋转轴线82的旋转而旋转。具体地，当在侧面(例如见图3A和图3B)观察时，第一等离子单元200的第一出口DH1在第一顺时针方向RDR1或第一逆时针方向RDR1-1上旋转。因此，通过第一出口DH1排放的等离子PS可均匀地提供至基底W1、基底W2和基底W3中每个的整个表面上。

第二旋转驱动单元400(例如第二旋转驱动器)可联接至第一等离子单元200和第二等离子单元201。在下文中，将参照图3C详细描述第二旋转驱动单元400的结构和功能。

图3C是示出根据一些实施方式的通过第二旋转驱动单元400旋转的等离子单元的平面图。

参照图1和图3C，第二旋转驱动单元400可包括第二旋转驱动部分401、第二旋转轴线405和支撑部分403。

第二旋转驱动部分401可包括马达以生成旋转力。第二旋转轴线405可联接至第二旋转驱动部分401以接收旋转力。支撑部分403可联接至第二旋转轴线405，并且当在平面图中观察时(例如见图3C)，支撑部分403通过旋转力在第二顺时针方向RDR2或第二逆时针方向RDR2-1上旋转。

在一些示例性实施方式中，支撑部分403可具有大致圆板形状，但不限于此或由此限制。在一些实施方式中，例如，支撑部分403可具有将第一等离子单元200和第二等离子单元201连接的框架形状。

支撑部分403可联接至第一旋转驱动单元80和第一旋转驱动单元85、第一等离子单元200以及第二等离子单元201。因此，在支撑部分403依照第二旋转驱动单元400的驱动在第二顺时针方向RDR2或第二逆时针方向RDR2-1上旋转(例如见图3C)的一些实施方式中，当在平面图中观察时，第一等离子单元200和第二等离子单元201在第二顺时针方向RDR2或第二逆时针方向RDR2-1上旋转(即，基于第二旋转驱动单元400的旋转)。

此外，在第一旋转驱动单元80和第一旋转驱动单元85以及第二旋转驱动单元400大致同时被驱动的一些实施方式中，第一等离子单元200和第二等离子单元201不仅在第一顺时针方向RDR1或第一逆时针方向RDR1-1上旋转，而且也在第二顺时针方向RDR2或第二逆时针方向RDR2-1上旋转。相应地，第一等离子单元200和第二等离子单元201的第一出口DH1和第二出口DH2可被控制为面对各个方向，因此，通过第一出口DH1和第二出口DH2排放的等离子PS可以各向同性地供应至基底W1、基底W2和基底W3。

第三旋转驱动单元300(例如第三旋转驱动器)可联接至第一等离子单元200和第二等离子单元201。在下文中，将参照图3D详细描述第三旋转驱动单元300的结构和功能。

图3D是示出根据一些实施方式的通过第三旋转驱动单元300旋转的等离子单元的侧视图。

参照图1和图3D，第三旋转驱动单元300可包括第三旋转驱动部分301和第三旋转轴线305。

第三旋转驱动部分301可包括马达以生成旋转力。第三旋转轴线305的一端可联接至第三旋转驱动部分301，并且第三旋转轴线305的另一端可固定至支撑部分403。因此，由第三旋转驱动部分301生成的旋转力可通过第三旋转轴线305施加至支撑部分403，并因而支撑部分403可以通过旋转力进行旋转。

此外，在一些实施方式中，支撑部分403相对于第三旋转轴线305的定向可通过第三旋转驱动部分301的旋转而反向。因此，(位于支撑部分403上)第一等离子单元200和第二等离子单元201相对于第三旋转轴线305的定向可以反向。因此，第一出口DH1和第二出口DH2所面对的方向可以从腔室CB的上端部P3变化到腔室CB的下端部P4。

如图1中所示，在第一等离子单元200和第二等离子单元201面对腔室CB的上端部P3的一些实施方式中，(与上端部P3相邻的)基底W1至基底W3可以被进行等离子处理。此外，如图3D中所示，在第一等离子单元200和第二等离子单元201面对腔室CB的下端部P4的一些实施方式中，(与下端部P4相邻的)基底W4至基底W6可以被进行等离子处理。

在一些实施方式中，可以通过使用第三旋转驱动单元300(例如以旋转第三旋转轴线305)来控制第一出口DH1和第二出口DH2所面对的方向(例如上端部P3或下端部P4)。因此，可以在位于腔室CB的上端部P3和下端部P4的基底W1至基底W6上大致同时地执行等离子处理过程。

图4是示出根据本公开的一些示例性实施方式的等离子处理装置501的侧视图。在图4中，相同的附图标记表示上文提及的实施方式中的相同元件，并因此将省略对相同元件的详细描述。

参照图4，等离子处理装置501可包括腔室CB，基底支撑单元51至56，气体供应部分100、101、102和103，等离子单元200、201、202和203，第一旋转驱动单元80、85、86和87，以及第二旋转驱动单元400。

在一些示例性实施方式中，等离子单元200至等离子单元203位于支撑部分403的上端部处和下端部处。具体地，第一等离子单元200和第二等离子单元201可位于支撑部分403的上端部处，并且第三等离子单元202和第四等离子单元203可位于支撑部分403的下端部处。

在一些实施方式中，气体供应部分100至气体供应部分103分别与等离子单元200至等离子单元203相对应，并且向等离子单元200至等离子单元203供应源气体。气体供应单元100至气体供应单元103可包括第一气体管线PR1、第二气体管线PR2、第三气体管线PR3和第四气体管线PR4，并且第一气体管线PR1至第四气体管线PR4可分别(例如以一一对应的方式)连接至等离子单元200至等离子单元203。

第一旋转驱动单元80、85、86和87可分别(例如以一一对应的方式)联接至等离子单元200至等离子单元203，从而当在侧视图中(例如见图4)观察时，在第一顺时针方向RDR1和第一逆时针方向RDR1-1上旋转等离子单元200至等离子单元203。

在一些实施方式中，第二旋转驱动单元400可联接至等离子单元200至等离子单元203，从而当在平面图(例如见图2B)中观察时，在第二顺时针方向RDR2和第二逆时针方向RDR2-1上旋转等离子单元200至等离子单元203。

在反应空间RS中，在本文中将与支撑部分403的上部相对应的空间称为上反应空间，并且在本文中将与支撑部分403的下部相对应的空间称为下反应空间。当驱动第一旋转驱动单元80、85、86和87以及第二旋转驱动单元400时，可在上反应空间中随机确定第一等离子单元200和第二等离子单元201的第一出口DH1和第二出口DH2中的每个面对的方向，并且可在下反应空间中随机确定第三等离子单元202和第四等离子单元203的第三出口DH3和第四出口DH4中的每个面对的方向。

相应地，通过第一出口DH1和第二出口DH2排放的等离子可以各向同性地供应至邻近上端部P3的基底W1、基底W2和基底W3，并且通过第三出口DH3和第四出口DH4排放的等离子可以各向同性地供应至邻近下端部P4的基底W4、基底W5和基底W6。

图5A至图5C是示出根据一些实施方式的、当在基底W1上形成多个涂覆层HC时，使用图1中所示的等离子处理装置对基底W1进行等离子处理的方法的视图。

参照图5A，喷射单元NZ可向基底W1提供第一涂覆溶液CS1，以在基底W1上形成第一涂覆层L1。在一些示例性实施方式中，基底W1可以是但不限于覆盖显示设备的显示屏幕的窗口，并且基底W1可包括弯曲部BP以覆盖显示屏幕的弯曲表面。

第一涂覆溶液CS1可包括有机材料、无机材料或通过混合有机材料和无机材料获得的混合材料。例如，有机材料可包括丙烯基化合物和环氧基化合物，并且无机材料可包括硅石和铝。

参照图5B，可以使用参照图1描述的等离子处理装置500在基底W1(在所述基底W1上形成有第一涂覆层L1)上执行等离子处理过程。例如，更详细地，可驱动等离子处理装置的等离子单元200和等离子单元201生成等离子PS，并且等离子PS可供应至第一涂覆层L1的暴露表面。相应地，可通过等离子PS在第一涂覆层L1的暴露表面上执行等离子处理过程。

在一些示例性实施方式中，如参照图1、图3A和图3B所描述的，当执行等离子处理过程时等离子单元200和等离子单元201可以旋转。具体地，当驱动第一旋转驱动单元80和第一旋转驱动单元85时，等离子单元200和等离子单元201在第一顺时针方向RDR1和第一逆时针方向RDR1-1上(例如见图1)旋转。

此外，如参照图1和图3C所描述的，当执行等离子处理过程时，可以驱动第二旋转驱动单元400，从而当在平面图中观察时，在第二顺时针方向RDR2和第二逆时针方向RDR2-1上旋转等离子单元200和等离子单元201。

此外，如参照图1所描述的，当执行等离子处理过程时，基底W1可以旋转。更具体地，基底W1可通过基底支撑单元51在第一顺时针方向RDR1和第一逆时针方向RDR1-1上进行旋转(例如见图1)。

因此，通过驱动第一旋转驱动单元和第二旋转驱动单元，从等离子单元200和等离子单元201排放的等离子PS可以各向同性地供应至基底W1。因此，可以对在窗口W1的平坦部和弯曲部BP上形成的第一涂覆层L1的表面进行均匀的等离子处理。

在一些示例性实施方式中，如参照图1和图3D所描述的，当执行等离子处理过程时，通过第三旋转驱动单元300的驱动，等离子单元200和等离子单元201相对于第三旋转轴线305的定向可以(例如上下)反向(例如等离子单元200和等离子单元201的定向可以反向)。在这样的实施方式中，尽管多个基底W1至基底W6位于腔室CB的上端部P3处和下端部P4处，但是因为通过第三旋转驱动单元300，等离子单元200和等离子单元201相对于第三旋转轴线305的定向可以反向，故而可以在基底W1至基底W6上容易地执行等离子处理过程。

参照图5C，在第一涂覆层L1上完全执行表面处理过程之后，喷射单元NZ可向基底W1提供第二涂覆溶液CS2以在第一涂覆层L1上形成第二涂覆层L2。

与第一涂覆溶液CS1类似，第二涂覆溶液CS2可包括有机材料、无机材料或通过混合有机材料和无机材料获得的混合材料。

如参照图5B所描述的，可在形成第二涂覆层L2之前对第一涂覆层L1的表面进行等离子处理。因此，在于第一涂覆层L1上形成第二涂覆层L2的一些实施方式中，可以提高第一涂覆层L1与第二涂覆层L2之间的粘合强度。因此，尽管涂覆层HC包括一个堆叠于另一个上的第一涂覆层L1和第二涂覆层L2(例如见图5C)，但仍可防止第一涂覆层L1和第二涂覆层L2彼此分离。

尽管已描述了本发明的示例性实施方式，但应理解，本发明不应受限于这些示例性实施方式，而是在所附权利要求所要求的本发明的精神和范围内，本领域普通技术人员可以做出各种变化和修改。