发光装置的制作方法

技术领域

本发明涉及一种发光装置，特别是涉及一种具有导电柱的发光装置。

背景技术：

发光二极管(Light-emitting Diode；LED)目前已经广泛地使用在光学显示装置、交通号志、数据储存装置、通讯装置、照明装置与医疗器材上。如图11所示，LED具有一n型半导体层1104、一主动层1106与一p型半导体层1108依序形成于一基板1102之上，部分p型半导体层1108与主动层1106被移除以暴露部分n型半导体层1104，一p型电极a1与一n型电极a2分别形成于p型半导体层1108与n型半导体层1104之上。因为n型电极a2需要足够的面积以利后续制作工艺进行，例如打线，所以大部分的主动层1106被移除，导致发光效率降低。

此外，上述的LED更可以进一步地与其他元件组合连接以形成一发光装置(light-emitting apparatus)。图12为现有的发光装置结构示意图，如图12所示，一发光装置1200包含一具有至少一电路1204的次载体(sub-mount)1202；至少一焊料1206(solder)位于上述次载体1202上，通过此焊料1206将上述LED 1210粘结固定于次载体1202上并使LED 1210的基板1212与次载体1202上的电路1204形成电连接；以及，一电连接结构1208，以电连接LED 1210的电极1214与次载体1202上的电路1204；其中，上述的次载体1202可以是导线架(lead frame)或大尺寸镶嵌基底(mounting substrate)，以便发光装置12的电路规划并提高其散热效果。

技术实现要素：

本发明公开一种发光装置，以解决上述问题。

为达上述目的，本发明提供一发光装置具有一第一电极；一发光叠层位于第一电极之上；一第一接触层位于发光叠层之上，其中第一接触层具有一第一接触链以及多个第一接触线与第一接触链连接；一第一导电柱位于发光叠层之中，且电连接第一电极与第一接触层；以及一保护层介于第一导电柱与发光叠层之间。

附图说明

图1A-图1E为本发明第一实施例的发光装置的制造流程图；

图1F为本发明图1E所示的发光装置的侧视图；

图1G为本发明另一实施例的发光装置的剖视图；

图2A为本发明第二实施例的发光装置的上视图；

图2B为本发明图2A所示的发光装置的剖视图；

图3为本发明第三实施例的发光装置的剖视图；

图4为本发明第四实施例的发光装置的剖视图；

图5为本发明第五实施例的发光装置的剖视图；

图6为本发明第六实施例的发光装置的剖视图；

图7为本发明第七实施例的发光装置的剖视图；

图8A为本发明第八实施例的上视图；

图8B为本发明图8A所示的发光装置的剖视图；

图9A-图9C为本发明第九实施例的发光装置的制造流程图；

图9D为本发明图9C所示的发光装置的上视图；

图10为本发明第十实施例的发光装置的剖视图；

图11为现有的LED的剖视图；

图12为现有的发光装置结构示意图；

图13为本发明一实施例的光源产生装置的示意图；

图14为本发明一实施例的背光模块的示意图。

主要元件符号说明

1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、1200：发光装置

10：成长基板

11：第一导电层

12：发光叠层

122：第一半导体层

124、1106：主动层(有源层)

126：第二半导体层

13：第二导电层

131：通道

14、84：第一接触层

142a、842a、942a：第一接触链

142b、842b、942b：第二接触链

144、844、944：第一接触线

15：反射层

16：粘结层

161、162：粘结层的附属层

17：第一凹部

172：内壁

18：支持基板

19：保护层

20：第一导电柱

22：第一电极

221、241’：第一电极的一部分

24：第二电极

241、241’、241”：第二电极的一部分

30、40、50、60、70、100：绝缘层

32：通孔

34、80：第二导电柱

87：第二凹部

92：导电线路

97：基座

99、101：电连接结构

1000：发光单元

1000’：第一发光单元

1000”：第二发光单元

1102、1212：基板

1104：n型半导体层

1108：p型半导体层

1202：次载体

1204：电路

1206：焊料

1208：电连接结构

1210：LED

1214：电极

13：光源产生装置

1301：光源

1302：电源供应系统

1303：控制元件

14：背光模块

1401：光学元件

a1：p型电极

a2：n型电极

具体实施方式

本发明的实施例会被详细地描述，并且绘制于附图中，相同或类似的部分会以相同的号码在各附图以及说明出现。

图1A-图1F绘示本发明的第一实施例的一发光装置1。如图1E所示，发光装置1包含一LED，具有一支持基板18；一粘结层16；一第一接触层14；一发光叠层12；一第一导电层11；一第二导电层13；一反射层15；一保护层19；第一导电柱20；一第一电极22与一第二电极24。如图1A所示，一种制造发光装置1的方法包含提供一成长基板10；依序形成一第一半导体层122、一主动层124与一第二半导体层126于成长基板10之上以形成发光叠层12；以及形成第一接触层14于发光叠层12之上。图1B为图1A的上视图。如图1B所示，第一接触层14被图案化以暴露部分第二半导体层126，且第一接触层14包含一第一接触链142a；一第二接触链142b；以及多个第一接触线144与第一接触链142a及第二接触链142b相接触。第一接触链142a的宽度w1与第二接触链142b的宽度w2约略相同；在另一实施例中，与第一电极22电连接且与第一导电柱20接触的第一接触链142a的宽度w1较第二接触链142b的宽度w2为大。如图1C所示，粘结层16具有分别形成于第一接触层14与支持基板18的附属层161、162。接着通过粘结制作工艺粘结附属层161、162以形成连接支持基板18与第一接触层14及发光叠层12的粘结层16，其中部分的粘结层16形成于暴露的第二半导体层126之上。换言之，支持基板18被粘结至第一接触层14与发光叠层12。在另一实施例中，粘结层16可仅形成于第一接触层14或支持基板18以进行后续的粘结制作工艺。移除成长基板10之后，形成第一导电层11于第一半导体层122之下，其中第一导电层11包含多个接触部并暴露部分第一半导体层122。第二导电层13形成于第一导电层11之下，且围绕第一导电层11，其中第二导电层13形成于暴露的第一导电层122之下。接着反射层15形成于第二导电层13之下。如图1D所示，部分的反射层15、第二导电层13、第一导电层11与发光叠层12被移除以形成多个第一凹部17，并暴露部分第一接触链142a及/或多个第一接触线144。保护层19形成于部分反射层15之下，沿着第一凹部17的内壁172延伸，覆盖部分多个第一接触线144及/或选择性地覆盖部分第一接触链142a。如图1E与图1F所示，第一导电柱20分别形成于第一凹部17且接触第一接触链142a及/或多个第一接触线144。第一电极22形成于第一导电柱20与保护层19之下，其中第一电极22经由第一导电柱20与第一接触层14电连接。第二电极24形成于反射层15未被保护层19覆盖的部分之下以形成发光装置1。因为多个第一接触线144分布于第二半导体层126之上以增加电流通过的面积，所以第一接触层14能改善发光装置1的电流扩散能力以提升发光装置1的发光效率。因为一般第一电极需要足够的面积以进行后续的制作工艺，例如打线，所以大部分的主动层需要被移除，导致发光效率降低。然而如发光装置1所示，因为第一电极22通过形成于第一凹部17的第一导电柱20与第一接触层14连结，而且第一凹部17的面积远小于第一电极22的面积，所以较少部分的主动层124需要被移除。由于没有太多的主动层124被移除，所以对发光装置1的发光效率影响有限。同时，若因后续制作工艺进行需求而需要增加第一电极22的面积，与现有LED相较，并不需要进一步移除更多的主动层即可达成。

支持基板18相对于发光叠层12所发的光为透明，其材料包含导电材料，例如为类钻碳薄膜(Diamond Like Carbon；DLC)、复合材料、金属基复合材料(Metal Matrix Composite；MMC)、陶瓷基复合材料(Ceramic Matrix Composite；CMC)、高分子基复合材料(Polymer Matrix Composite，PMC)、磷化碘(IP)、碳化硅(SiC)、磷化镓(GaP)、磷砷化镓(GaAsP)、磷化铟(InP)、镓酸锂(LiGaO₂)或铝酸锂(LiAlO₂)。支持基板18材料可包含绝缘材料，例如为蓝宝石(Sapphire)、钻石(Diamond)、玻璃(Glass)、聚合物(Polymer)、环氧树脂(Epoxy)、石英(Quartz)、压克力(Acryl)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化锌(ZnO)或氮化铝(AlN)。

粘结层16可粘着地连接支持基板18与第一接触层14，或连接第一接触层14与发光叠层12。粘结层16相对于发光叠层12所发的光为透明，其材料可为绝缘材料与/或导电材料。绝缘材料包含但不限于聚亚酰胺(PI)、苯并环丁烯(BCB)、过氟环丁烷(PFCB)、氧化镁(MgO)、Su8、环氧树脂(Epoxy)、丙烯酸树脂(Acrylic Resin)、环烯烃聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亚胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、玻璃(Glass)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化硅(SiO_x)、氧化钛(TiO₂)、氮化硅(SiN_x)或旋涂玻璃(SOG)。导电材料包含但不限于氧化铟锡(ITO)、氧化铟(InO)、氧化锡(SnO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锑锡(ATO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、氧化钽(Ta₂O₅)、类钻碳薄膜(DLC)或氧化镓锌(GZO)等。

第一接触层14可电性地传导和扩散电流，可为导电材料，包含但不限于氧化铟锡(ITO)、氧化铟(InO)、氧化锡(SnO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锑锡(ATO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化锌(ZnO)、氧化镓锌(GZO)、氧化铟锌(IZO)、氧化钽(Ta₂O₅)、类钻碳薄膜(DLC)、铜(Cu)、铝(Al)、铟(In)、锡(Sn)、金(Au)、铂(Pt)、锌(Zn)、银(Ag)、钛(Ti)、镍(Ni)、铅(Pb)、钯(Pd)、锗(Ge)、铬(Cr)、镉(Cd)、钴(Co)、锰(Mn)、锑(Sb)、铋(Bi)、镓(Ga)、铊(Tl)、钋(Po)、铱(Ir)、铼(Re)、铑(Rh)、锇(Os)、钨(W)、锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)、锆(Zr)、钼(Mo)、镧(La)、铬-金(Cr-Au)、银-钛(Ag-Ti)、铜-锡(Cu-Sn)、铜-锌(Cu-Zn)、铜-镉(Cu-Cd)、锡-铅-锑(Sn-Pb-Sb)、锡-铅-锌(Sn-Pb-Zn)、镍-锡(Ni-Sn)、镍-钴(Ni-Co)或金合金(Au alloy)等。第一接触链142a与第二接触链142b分别形成于发光叠层12的相对边，其宽度大约为4～8微米，较佳为6微米。每一第一接触线144的宽度约为3～10微米，任两相邻的第一接触线144的间距约为70～140微米。为了提升发光效率与电流扩散能力，第二半导体层126被多个第一接触线144所覆盖的面积约为第二半导体层126上表面积的4～30％。

发光叠层12可成长于成长基板10之上，并于施加电压的情况下产生光线。其中第一半导体层122与第二半导体层126的极性相异，主动层124的结构可包含为单异质结构(single heterostructure；SH)、双异质结构(double heterostructure；DH)、双侧双异质结构(double-side double heterostructure；DDH)或多层量子井(multi-quantum well；MQW)。发光叠层12的材料包含半导体材料具有一种以上的元素选自镓(Ga)、铝(Al)、铟(In)、磷(P)、氮(N)、锌(Zn)、镉(Cd)与硒(Se)所构成的群组。成长基板10的材料选自蓝宝石(Sapphire)、砷化镓(GaAs)、硅(Si)、氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC)所构成的群组。

第一导电层11可传导与扩散电流，同时与发光叠层12及/或第二导电层13形成欧姆接触，相对于发光叠层12所发的光为透明，具有多个接触部或多个接触线，每一个接触部相互分离。自下方视之，每一接触部的形状可为三角形、矩形、平形四边形或圆形等等。以圆形的接触部为例，其直径可为6～10微米。多个接触部的面积相对于主动层124的上表面面积的比例约为0.5～6％，更佳为1～3％。多个接触部可于任二相邻的第一接触线144之间排列成二或三条线，即多个第一接触线144不位于多个导电部的正上方。第二导电层13可覆盖与围绕第一导电层11，即第一导电层11被第二导电层13包覆。第二导电层13可传导与扩散电流，同时与反射层15及/或第一导电层11形成欧姆接触。第二导电层13与第一导电层11的材料分别包含透明导电材料及金属材料。透明导电材料包含但不限于氧化铟锡(ITO)、氧化铟(InO)、氧化锡(SnO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锑锡(ATO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化锌(ZnO)、氧化镓锌(GZO)、氧化铟锌(IZO)、氧化钽(Ta₂O₅)或类钻碳薄膜(DLC)。金属材料包含但不限于铜(Cu)、铝(Al)、铟(In)、锡(Sn)、金(Au)、铂(Pt)、锌(Zn)、银(Ag)、钛(Ti)、镍(Ni)、铅(Pb)、钯(Pd)、锗(Ge)、铬(Cr)、镉(Cd)、钴(Co)、锰(Mn)、锑(Sb)、铋(Bi)、镓(Ga)、铊(Tl)、钋(Po)、铱(Ir)、铼(Re)、铑(Rh)、锇(Os)、钨(W)、锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)、锆(Zr)、钼(Mo)、镧(La)、铬-金(Cr-Au)、银-钛(Ag-Ti)、铜-锡(Cu-Sn)、铜-锌(Cu-Zn)、铜-镉(Cu-Cd)、锡-铅-锑(Sn-Pb-Sb)、锡-铅-锌(Sn-Pb-Zn)、镍-锡(Ni-Sn)、镍-钴(Ni-Co)或金合金(Au alloy)等。另外，第二导电层13可被图案化或其厚度可调整，以致反射层15可直接与第一导电层11接触。

如图1G所示，第二导电层13具有多个通道131形成于与第一导电层11相对的位置，接着反射层15形成于第二导电层13之下，并填入多个通道131之中与第一导电层11电连接，以改善电流扩散。此实施例中，第二导电层13的材料可选择性地为绝缘材料，包含但不限于聚亚酰胺(PI)、苯并环丁烯(BCB)、过氟环丁烷(PFCB)、氧化镁(MgO)、Su8、环氧树脂(Epoxy)、丙烯酸树脂(Acrylic Resin)、环烯烃聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亚胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、玻璃(Glass)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化硅(SiO_x)、氧化钛(TiO₂)、氮化硅(SiN_x)或旋涂玻璃(SOG)。

反射层15可反射发光叠层12发出的光。反射层15更可包含多个附属层(未显示)以形成布拉格反射层(DBR)。反射层15的材料可为透明导电材料及/或金属材料。透明导电材料包含但不限于氧化铟锡(ITO)、氧化铟(InO)、氧化锡(SnO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锑锡(ATO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化锌(ZnO)、氧化镓锌(GZO)、氧化铟锌(IZO)、氧化钽(Ta₂O₅)或类钻碳薄膜(DLC)。金属材料包含但不限于铜(Cu)、铝(Al)、铟(In)、锡(Sn)、金(Au)、铂(Pt)、锌(Zn)、银(Ag)、钛(Ti)、镍(Ni)、铅(Pb)、钯(Pd)、锗(Ge)、铬(Cr)、镉(Cd)、钴(Co)、锰(Mn)、锑(Sb)、铋(Bi)、镓(Ga)、铊(Tl)、钋(Po)、铱(Ir)、铼(Re)、铑(Rh)、锇(Os)、钨(W)、锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)、锆(Zr)、钼(Mo)、镧(La)、铬-金(Cr-Au)、银-钛(Ag-Ti)、铜-锡(Cu-Sn)、铜-锌(Cu-Zn)、铜-镉(Cu-Cd)、锡-铅-锑(Sn-Pb-Sb)、锡-铅-锌(Sn-Pb-Zn)、镍-锡(Ni-Sn)、镍-钴(Ni-Co)或金合金(Au alloy)等。

如图1F所示，第一凹部17裸露部分反射层15、第二导电层13、第一导电层11与发光叠层12，其数量不限于二。自上方视之，第一凹部17的形状可为三角形、矩形、平形四边形或圆形等等。主动层124用以形成第一凹部17的面积相对于主动层124的面积的比例约为4～20％。因为第一电极22通过位于第一凹部17的第一导电柱20与第一接触层14连接，第一凹部17的面积远小于第一电极22，所以较少面积的主动层124被移除。由于没有太多的主动层124被移除，所以对发光装置1的发光效率影响有限。保护层19形成于第一凹部17的内壁172，使第一导电柱20与反射层15、第二导电层13、第一导电层11与发光叠层12电绝缘。保护层19具有绝缘材料，包含但不限于聚亚酰胺(PI)、苯并环丁烯(BCB)、过氟环丁烷(PFCB)、氧化镁(MgO)、Su8、环氧树脂(Epoxy)、丙烯酸树脂(Acrylic Resin)、环烯烃聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亚胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、玻璃(Glass)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化硅(SiO_x)、氧化钛(TiO₂)、氮化硅(SiN_x)或旋涂玻璃(SOG)。

第一导电柱20形成于第一凹部17内的保护层19上，并位于第一接触链142a及/或多个第一接触线144之上，且电连接第一电极22与第一接触层14。第一导电柱20的材料可为透明导电材料或金属材料。当第一导电柱20的折射率小于保护层19的折射率，因为自发光叠层12至外在环境的折射率逐渐降低，发光装置1的光摘出因而提高。透明导电材料包含但不限于氧化铟锡(ITO)、氧化铟(InO)、氧化锡(SnO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锑锡(ATO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化锌(ZnO)、氧化镓锌(GZO)、氧化铟锌(IZO)、氧化钽(Ta₂O₅)或类钻碳薄膜(DLC)。金属材料包含但不限于铜(Cu)、铝(Al)、铟(In)、锡(Sn)、金(Au)、铂(Pt)、锌(Zn)、银(Ag)、钛(Ti)、镍(Ni)、铅(Pb)、钯(Pd)、锗(Ge)、铬(Cr)、镉(Cd)、钴(Co)、锰(Mn)、锑(Sb)、铋(Bi)、镓(Ga)、铊(Tl)、钋(Po)、铱(Ir)、铼(Re)、铑(Rh)、锇(Os)、钨(W)、锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)、锆(Zr)、钼(Mo)、镧(La)、铬-金(Cr-Au)、银-钛(Ag-Ti)、铜-锡(Cu-Sn)、铜-锌(Cu-Zn)、铜-镉(Cu-Cd)、锡-铅-锑(Sn-Pb-Sb)、锡-铅-锌(Sn-Pb-Zn)、镍-锡(Ni-Sn)、镍-钴(Ni-Co)或金合金(Au alloy)等。第一电极22与第二电极24用以接受外部电压，其材料可为透明导电材料及/或金属材料。透明导电材料包含但不限于氧化铟锡(ITO)、氧化铟(InO)、氧化锡(SnO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锑锡(ATO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化锌(ZnO)、氧化镓锌(GZO)、氧化铟锌(IZO)、氧化钽(Ta₂O₅)或类钻碳薄膜(DLC)。金属材料包含但不限于铜(Cu)、铝(Al)、铟(In)、锡(Sn)、金(Au)、铂(Pt)、锌(Zn)、银(Ag)、钛(Ti)、镍(Ni)、铅(Pb)、钯(Pd)、锗(Ge)、铬(Cr)、镉(Cd)、钴(Co)、锰(Mn)、锑(Sb)、铋(Bi)、镓(Ga)、铊(Tl)、钋(Po)、铱(Ir)、铼(Re)、铑(Rh)、锇(Os)、钨(W)、锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)、锆(Zr)、钼(Mo)、镧(La)、铬-金(Cr-Au)、银-钛(Ag-Ti)、铜-锡(Cu-Sn)、铜-锌(Cu-Zn)、铜-镉(Cu-Cd)、锡-铅-锑(Sn-Pb-Sb)、锡-铅-锌(Sn-Pb-Zn)、镍-锡(Ni-Sn)、镍-钴(Ni-Co)或金合金(Au alloy)等。

图2A-图2B绘示本发明的第二实施例的一发光装置2。如图2B所示，发光装置2包含一LED，具有一支持基板18；一粘结层16；一第一接触层14；一发光叠层12；一第一导电层11；一第二导电层13；一反射层15；一保护层19；第一导电柱20；一第一电极22与一第二电极24。发光装置2类似发光装置1，然而于第二实施例中，第一接触链142a形成于接近发光叠层12的上表面的中心位置，更佳为沿着发光叠层12的中心线形成，多个第一接触线144自第一接触链142a向发光叠层12的边缘延伸。第一凹部17形成于靠近发光叠层12上表面的中心位置，第一导电柱20形成于第一凹部17之中且电连接第一电极22与第一接触层14。因为多个第一接触线144分布在第二半导体层126之上，增加了电流通过的面积，所以第一接触层14可增进电流扩散的能力以提升发光装置2的发光效率。因为一般第一电极需要足够的面积以进行后续的制作工艺，例如打线，所以大部分的主动层需要被移除，导致发光效率降低。然而如发光装置2所示，因为第一电极22通过形成于第一凹部17的第一导电柱20与第一接触层14连结，而且第一凹部17的面积远小于第一电极22的面积，所以较少部分的主动层124需要被移除。由于没有太多的主动层124被移除，所以对发光装置2的发光效率影响有限。同时，若因后续制作工艺进行需求而需要增加第一电极22的面积，与现有LED相较，并不需要进一步移除更多的主动层即可达成。

图3绘示本发明的第三实施例的一发光装置3。如图3所示，发光装置3包含一LED，具有一支持基板18；一粘结层16；一第一接触层14；一发光叠层12；一第一导电层11；一第二导电层13；一反射层15；一保护层19；第一导电柱20；一第一电极22与一第二电极24。发光装置3类似发光装置1，然而保护层19形成于反射层15的下表面之下且覆盖整个下表面。一绝缘层30形成于保护层19与第一电极22之下，第二电极24形成于绝缘层30之下，其中一部分第二电极24位于第一电极22之下。通孔32形成于绝缘层30与保护层19之中，第二导电柱34形成于通孔32之中且电连接第二电极24与反射层15。因为绝缘层30可电绝缘第一电极22与第二电极24，所以第二电极24其中一部分241可位于第一电极22之下，与现有LED相较，并不需要进一步移除更多的主动层即可达成。绝缘层30具有绝缘材料，包含但不限于聚亚酰胺(PI)、苯并环丁烯(BCB)、过氟环丁烷(PFCB)、氧化镁(MgO)、Su8、环氧树脂(Epoxy)、丙烯酸树脂(Acrylic Resin)、环烯烃聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亚胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、玻璃(Glass)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化硅(SiO_x)、氧化钛(TiO₂)、氮化硅(SiN_x)或旋涂玻璃(SOG)。第二导电柱34的材料可为透明导电材料及/或金属材料。透明导电材料包含但不限于氧化铟锡(ITO)、氧化铟(InO)、氧化锡(SnO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锑锡(ATO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化锌(ZnO)、氧化镓锌(GZO)、氧化铟锌(IZO)、氧化钽(Ta₂O₅)或类钻碳薄膜(DLC)。金属材料包含但不限于铜(Cu)、铝(Al)、铟(In)、锡(Sn)、金(Au)、铂(Pt)、锌(Zn)、银(Ag)、钛(Ti)、镍(Ni)、铅(Pb)、钯(Pd)、锗(Ge)、铬(Cr)、镉(Cd)、钴(Co)、锰(Mn)、锑(Sb)、铋(Bi)、镓(Ga)、铊(Tl)、钋(Po)、铱(Ir)、铼(Re)、铑(Rh)、锇(Os)、钨(W)、锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)、锆(Zr)、钼(Mo)、镧(La)、铬-金(Cr-Au)、银-钛(Ag-Ti)、铜-锡(Cu-Sn)、铜-锌(Cu-Zn)、铜-镉(Cu-Cd)、锡-铅-锑(Sn-Pb-Sb)、锡-铅-锌(Sn-Pb-Zn)、镍-锡(Ni-Sn)、镍-钴(Ni-Co)或金合金(Au alloy)等。

图4绘示本发明的第四实施例的一发光装置4。如图4所示，发光装置4包含一LED，具有一支持基板18；一粘结层16；一第一接触层14；一发光叠层12；一第一导电层11；一第二导电层13；一反射层15；一保护层19；第一导电柱20；一第一电极22与一第二电极24。发光装置4类似发光装置1，一绝缘层40形成于保护层19与第一电极22之下，第二电极24形成于反射层15、保护层19与绝缘层40之下，其中绝缘层40电绝缘第一电极22与第二电极24，一部分第二电极24位于第一电极22之下。第二电极24与反射层15电连接。因为绝缘层40可电绝缘第一电极22与第二电极24，所以第二电极24其中一部分241’可位于第一电极22之下。与现有LED相较，并不需要进一步移除更多的主动层即可达成。

图5绘示本发明的第五实施例的一发光装置5。如图5所示，发光装置5包含一LED，具有一支持基板18；一粘结层16；一第一接触层14；一发光叠层12；一第一导电层11；一第二导电层13；一反射层15；一保护层19；第一导电柱20；一第一电极22与一第二电极24。发光装置5类似发光装置1。另外，一绝缘层50形成于反射层15、保护层19与第一电极22之下，第二电极24形成于反射层15、保护层19与绝缘层50之下，其中绝缘层50电绝缘第一电极22与第二电极24，一部分第二电极24位于第一电极22之下。第二电极24与反射层15电连接。因为绝缘层50可电绝缘第一电极22与第二电极24，所以第二电极24其中一部分241’可位于第一电极22之下。与现有LED相较，并不需要进一步移除更多的主动层即可达成。

图6绘示本发明的第六实施例的一发光装置6。如图6所示，发光装置6包含一LED，具有一支持基板18；一粘结层16；一第一接触层14；一发光叠层12；一第一导电层11；一第二导电层13；一反射层15；一保护层19；第一导电柱20；一第一电极22与一第二电极24。发光装置6类似发光装置1。另外，一绝缘层60形成于保护层19与第二电极24之下，第一电极22形成于第一导电柱20、保护层19与绝缘层60之下，其中绝缘层60电绝缘第一电极22与第二电极24，一部分第一电极22位于第二电极24之下，第一电极22与第一接触层14电连接。因为绝缘层60可电绝缘第一电极22与第二电极24，所以第一电极22其中一部分221可位于第二电极24之下。与现有LED相较，并不需要进一步移除更多的主动层即可达成。

图7绘示本发明的第七实施例的一发光装置7。如图7所示，发光装置7包含一LED，具有一支持基板18；一粘结层16；一第一接触层14；一发光叠层12；一第一导电层11；一第二导电层13；一反射层15；一保护层19；第一导电柱20；一第一电极22与一第二电极24。发光装置7类似发光装置2。另外，一绝缘层70形成于保护层19与第二电极24之下，第一电极22形成于第一导电柱20、保护层19与绝缘层70之下，其中绝缘层70电绝缘第一电极22与第二电极24，一部分第一电极22位于第二电极24之下，第一电极22与第一接触层14电连接。因为绝缘层70可电绝缘第一电极22与第二电极24，所以第一电极22其中一部分221’可位于第二电极24之下。与现有LED相较，并不需要进一步移除更多的主动层即可达成。

图8A与图8B绘示本发明的第八实施例的一发光装置8。如图8A与图8B所示，发光装置8包含一LED，具有一支持基板18；一粘结层16；一第一接触层84；一发光叠层12；一第一导电层11；一第二导电层13；一反射层15；一保护层19；一第一导电柱20；一第二导电柱80；一第一电极22与一第二电极24。发光装置8类似发光装置2。然而，第一接触层84具有一第一接触链842a与一第二接触链842b。第二接触链842b形成于靠近发光叠层12的上表面中心，更佳为沿着发光叠层12的中心线形成。第一接触层84更包含多个第一接触线844a，其中第一接触线844a和第一接触链842a连接，并且自第一接触链842a向发光叠层12的中心线延伸；以及多个第二接触线844b，其中第二接触线844b和第二接触链842b连接，并且自第二接触链842b向发光叠层12的边缘延伸。一第一凹部17与一第二凹部87分别形成于发光叠层12上表面的中心与发光装置8的边缘，第一导电柱20形成于第一凹部17与第二导电柱80形成于第二凹部87，电连接第一电极22与第一接触层84。

图9A～图9D绘示本发明的第九实施例的一发光装置9。此实施例中，为了扩大发光装置9的有效出光面积，并未形成第一凹部17。即保留原本反射层15与发光叠层12要被移除以形成第一凹部17的部分，电连接结构99通过跨桥制造法自发光叠层12的外部延伸。

如图9A所示，一种制造发光装置9的方法包含提供一成长基板10；在成长基板10上接续形成一第一半导体层122、一主动层124与一第二半导体层126以形成一发光叠层12；形成一反射层15于发光叠层12之上；形成一第二电极24于反射层15之上；形成一保护层19于部分反射层15之上，并依发光叠层12的侧壁延伸；以及形成一第一电极22于保护层19之上。如图9B所示，发光装置9被倒置于基座97之上，导电线路92形成于基座97之上。将发光装置9的电极22/24与基座97上的导电线路92连接之后，移除成长基板10，粗化第一半导体层122的表面以提升出光效率。如图9C所示，用以电连接第一半导体层122与第一电极22的电连接结构99形成于第一半导体层122之上并沿着发光叠层12的侧壁形成。另外，为了发光装置9与外部电路的打线制作工艺，基座97上的导电线路92可选择性地延伸。

图9D绘示发光装置9的上视图，电连接结构99具有接触链942a/942b与多个第一接触线944位于发光叠层12之上。延伸的导电线路92通过打线与外部电路电连接。

图10绘示本发明的第十实施例的一发光装置10。发光装置10具有多个发光单元1000，每一发光单元1000与发光装置1类似，包含一LED，具有一第一接触层14；一发光叠层12；一第一导电层11；一第二导电层13；以及一反射层15。发光装置10还包含一电连接结构101，电连接两相邻的发光单元1000以让发光单元1000之间互相串联。具体言之，电连接结构101电连接一发光单元1000的第一接触层14与另一相邻发光单元1000的反射层15。此外，每一发光单元可选择性地包含多个相互串联、并联或反向并联的LED。保护层19形成于每个发光单元1000与电连接结构101之间以避免发光单元1000与电连接结构101之间形成电流通道。另外，一绝缘层100形成于每个发光单元的保护层19与反射层15之下。再者，一第一发光单元1000'具有第一导电柱20以电连接第一接触层14与一第一电极22。第一电极22形成于第一发光单元1000'的绝缘层100与保护层19之下，第二电极24形成于一第二发光单元1000”的绝缘层100与反射层15之下。第一导电柱20的宽度大于或等于电连接结构101的宽度，发光单元1000经由一粘结层16一同粘结于一支持基板18。由于绝缘层100电绝缘第一电极22与第二电极24，所以第一电极22与第二电极24可具有分部222/242，与现有LED相较，并不需要进一步移除更多的主动层即可达成。

在另一实施例中，一太阳能装置具有一与前述任一发光装置相似的结构，用以吸收光线。若因后续制作工艺进行需求而需要增加第一电极22的面积，与传统太阳能装置相较，并不需要进一步移除更多的主动层即可达成，可改进散热能力。图13绘示出一光源产生装置示意图，一光源产生装置13包含一管芯产生自具有前述任一实施例中的LED的晶片。光源产生装置13可以是一照明装置，例如路灯、车灯或室内照明光源，也可以是交通号志或一平面显示器中背光模块的一背光光源。光源产生装置13具有前述发光元件组成的一光源1301、一电源供应系统1302以供应光源1301一电流、以及一控制元件1303，用以控制电源供应系统1302。

图14绘示出一背光模块剖面示意图，一背光模块14包含前述实施例中的光源产生装置13，以及一光学元件1401。光学元件1401可将由光源产生装置13发出的光加以处理，以应用于平面显示器，例如散射光源产生装置13发出的光。

上述实施例仅为例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何本发明所属技术领域中熟悉此技术者，均可在不违背本发明的技术原理及精神的情况下，对上述实施例进行修改及变化。因此本发明的权利保护范围如上述的权利要求所列。