磁化处理装置和磁化处理方法与流程

本申请涉及磁化处理装置和磁化处理方法。

背景技术：

作为半导体存储器器件，作为非易失性存储器之一的MRAM(磁随机存取存储器：Magnetic Random Access Memory)引人注目。MRAM是通过将例如在半导体晶圆(以下称为“晶圆”。)上形成的磁性体膜在磁场中进行热处理、使其呈现磁特性来制造的。

作为用于使磁性体膜呈现磁特性的装置，公知有具有对晶圆施加磁场的磁场产生部件以及沿着磁场产生部件的内周配置并对晶圆进行加热的加热部件的磁退火装置(例如、参照日本国特开2014－183280号公报)。

技术实现要素：

在一技术方案中，磁化处理装置具有：载置台，其用于对收纳有多个基板的收纳容器进行载置；磁化处理室，其能够收容所述收纳容器，对所述收纳容器内的所述多个基板施加磁场；输送机构，其能够从所述载置台向所述磁化处理室内输送所述收纳容器。

上述的内容仅是用于说明，任何方式都不意在限制。除了上述的说明的形态、实施例和特征之外，参照附图和以下的详细的说明，追加的形态、实施例和特征变得明确。

附图说明

图1是例示收纳容器的概略立体图。

图2是第1实施方式的磁化处理装置的概略图。

图3是说明在磁化处理室内收容有收纳容器的状态的图。

图4是第2实施方式的磁化处理装置的概略图。

图5是说明在磁化处理室内收容有收纳容器的状态的图。

具体实施方式

在以下的详细的说明中，参照形成了说明书的一部分的附图。详细的说明、附图和权利要求所记载的说明的实施例并不意在限制。不脱离示于此的本申请的思想或范围可使用其他实施例，另外，能够进行其他变形。

在上述的磁退火装置中，在将收纳于承载件的多个晶圆移载到晶圆舟皿后，将晶圆舟皿输入磁场产生部件内，对晶圆进行预定的磁退火，从而使磁性体膜呈现磁特性。因此，存在在移载晶圆之际产生灰尘等、污染晶圆的情况。这样的晶圆的污染有可能使使用了磁性体膜的MRAM的可靠性降低。

因此，鉴于上述课题，本申请的目的在于提供一种能够抑制基板的污染的磁化处理装置。

为了达成上述目的，在一技术方案中，磁化处理装置具有：载置台，其用于对收纳有多个基板的收纳容器进行载置；磁化处理室，其能够收容所述收纳容器，对所述收纳容器内的所述多个基板施加磁场；输送机构，其能够从所述载置台向所述磁化处理室内输送所述收纳容器。

在上述的磁化处理装置中，所述收纳容器是由非磁性材料形成的密闭型的容器，所述输送机构将所述收纳容器以密闭了的状态从所述载置台向所述磁化处理室内输送。

在上述的磁化处理装置中，所述收纳容器是能够收纳25张所述基板的FOUP。

在上述的磁化处理装置中，所述输送机构从所述收纳容器的上表面侧把持所述收纳容器来输送所述收纳容器。

在上述的磁化处理装置中，所述磁化处理室在室温下对所述多个基板施加磁场。

在上述的磁化处理装置中，所述磁化处理室具有：立式的电磁型磁体；保持部，其以能够沿着上下方向移动的方式设于所述电磁型磁体的内侧，用于保持所述收纳容器；驱动机构，其用于使所述保持部沿着上下方向移动。

在上述的磁化处理装置中，所述磁化处理室具有：卧式的电磁型磁体；保持部，其以能够沿着水平方向移动的方式设于所述电磁型磁体的内侧，用于保持所述收纳容器；驱动机构，其用于使所述保持部沿着水平方向移动。

在上述的磁化处理装置中，所述驱动机构使所述保持部在将所述收纳容器载置于所述保持部的位置与对收纳于所述收纳容器的所述多个基板施加磁场的位置之间移动。

在上述的磁化处理装置中，所述电磁型磁体是超导磁体。

在本申请的一实施方式中，磁化处理方法具有将收纳有多个基板的收纳容器载置于载置台的工序、将载置于所述载置台的所述收纳容器向磁化处理室内输送的工序、以及对输送到所述磁化处理室内的所述收纳容器内的所述多个基板施加磁场的工序。

根据本实施方式，能够抑制基板的污染。

以下，参照附图对本实施方式进行说明。此外，在本说明书和附图中，对于实质上具有相同的功能构成的构成要素，通过标注相同的附图标记，省略重复的说明。

不过，根据最近的评价可知：通过对在晶圆上形成的磁性体膜施加例如1T(tesla，特斯拉)～5T的强磁场，能够在室温下使磁特性呈现。

在本实施方式中，对磁化处理装置进行说明，该磁化处理装置能够恰当地使用于如下情况：通过对在作为基板的一个例子的晶圆上形成的磁性体膜施加强磁场，在室温下使磁特性呈现。在以下的实施方式中，对于施加强磁场的形态，举例进行说明，但本实施方式的磁化处理装置即使是施加强磁场的形态以外的形态也能够适用。

(收纳容器)

基于图1对本实施方式的磁化处理装置所使用的收纳晶圆的收纳容器进行说明。图1是例示收纳容器的概略立体图。

收纳容器C也被称为承载件，如图1所示，一个端部形成为开口部，另一个端部形成为大致半椭圆形状。收纳容器C也可以构成为由例如非磁性材料形成的密闭型的FOUP(前开式晶圆传送盒，Front Opening Unified Pod)。但是，收纳容器C并不限定于FOUP，也可以是能够收纳晶圆W的其他容器。

在收纳容器C的内壁面，形成有能够多层配置晶圆W的未图示的支承部。通过将例如直径300mm的晶圆W的周缘部载置并支承于该支承部，能够以大致等间距呈多层收纳晶圆W。在1个收纳容器C能够收纳例如25张晶圆W。

在收纳容器C的上表面侧(顶部)，设有在把持收纳容器C之际能够抓住的把手10。

在收纳容器C的开口部，以能够装卸的方式安装有与该开口部相对应的开闭盖12，通过关闭开闭盖12，收纳容器C内成为气密状态。收纳容器C的内部的气氛气体成为清洁空气。

在开闭盖12设有例如两个锁定机构14，通过对锁定机构14进行上锁或开锁，能够将开闭盖12相对于开口部装卸。

在收纳容器C的底部的下表面设有未图示的多个定位用的凹部，在载置于后述的载置台之际，能够对收纳容器C进行定位。另外，在收纳容器C的底部的下表面设有未图示的槽部，收纳容器C在载置到载置台之际可固定于载置台。

(磁化处理装置)

〔第1实施方式〕

基于图2对第1实施方式的磁化处理装置进行说明。图2是第1实施方式的磁化处理装置的概略图，图2的(a)和图2的(b)分别示出了磁化处理装置的纵截面和上表面。此外，以下，将磁化处理装置的前后方向设为图2的X方向、将左右方向设为Y方向、将上下方向设为Z方向来进行说明。

如图2的(a)和图2的(b)所示，磁化处理装置100具有壳体102，在壳体102内形成有承载件载置区域S1和承载件输送区域S2。

承载件载置区域S1是处于大气气氛下的区域，是用于供收纳有晶圆W的收纳容器C载置的区域。各处理装置间的区域相当于承载件载置区域S1，在本实施方式中，磁化处理装置100的外部的清洁室内的空间相当于承载件载置区域S1。在承载件载置区域S1的左右方向设有例如分别载置收纳容器C的两个载置台104。此外，载置台104既可以是1个，也可以是3个以上。

如图2的(b)所示，在载置台104的载置面，在例如3个部位设有对收纳容器C进行定位的销106，通过销106与收纳容器C的凹部之间的卡合，收纳容器C载置于载置台104的预定的位置。另外，在载置台104的载置面设有用于固定收纳容器C的钩108，通过钩108与收纳容器C的槽部之间的卡合，收纳容器C固定于载置台104。

承载件输送区域S2例如是处于大气气氛下的区域，是将收纳有晶圆W的收纳容器C在载置台104与磁化处理室112之间输送的区域。此外，承载件输送区域S2也可以是氮气气氛等非活性气体气氛。另外，出于能够抑制在磁化处理装置的内部产生的灰尘等向外部扩散这样的观点，优选在承载件输送区域S2设置FFU(风机过滤单元，Fan Filter Unit)。

在承载件输送区域S2中设置有承载件输送机构110和磁化处理室112。

承载件输送机构110是能够从载置台104向磁化处理室112内输送收纳容器C的输送机构的一个例子。在本实施方式中，承载件输送机构110将收纳容器C以密闭了的状态输送。承载件输送机构110包括：升降自由的引导部110a；关节臂110b，其设于引导部110a，用于保持收纳容器C的把手10而将该纳容器C沿着水平方向输送。

磁化处理室112是能够收容收纳容器C、用于对收纳容器C内的晶圆W施加磁场、使在晶圆W上形成的磁性体膜呈现磁特性的处理室。磁化处理室112具有上端(图2的+Z方向)开口的立式的电磁型磁体114。

电磁型磁体114配置成其中心轴线方向成为铅垂，与未图示的电源装置连接。电磁型磁体114例如能够为超导磁体。由立式的电磁型磁体114产生的磁场的方向成为上下方向。另外，以从外部覆盖电磁型磁体114的方式设有未图示的纯铁等强磁性构件。由此，能够抑制来自磁化处理室112的磁场的泄漏。

在电磁型磁体114的内侧设有保持部116和上下驱动机构118。

保持部116设置成能够沿着上下方向移动，用于保持收纳容器C。保持部116由非磁性材料形成。另外，也可以设有对收纳容器C是否保持于保持部116的预定的位置进行检测的未图示的传感器(例如激光传感器)。

上下驱动机构118使保持部116沿着上下方向移动。具体而言，上下驱动机构118在利用承载件输送机构110将收纳容器C向磁化处理室112内输入之际使保持部116上升。保持部116一上升到电磁型磁体114的上端附近，就利用承载件输送机构110将收纳容器C载置于保持部116。另外，在收纳容器C载置到保持部116后，上下驱动机构118使保持部116下降而将收纳容器C收容于磁化处理室112内。

另外，也可以是，不利用上下驱动机构118使保持部116沿着上下方向移动，而利用承载件输送机构110将收纳容器C向磁化处理室112内输入，并载置于保持部116。

在使用电磁型磁体114并使在例如25张晶圆W上形成的磁性体膜呈现均匀的磁特性的情况下，为了对全部的晶圆W实施均匀的处理，需要将晶圆W配置在磁场变得均匀的区域(以下称为“均磁场区域”。)。电磁型磁体114的均磁场区域是其轴向长度的约20％左右。

此外，如图2的(a)所示，在磁化处理装置100中设有例如包括计算机的控制部120。控制部120具有包括存储器、CPU的数据处理部等，CPU根据程序而动作。在程序中编入有命令，以便从控制部120向磁化处理装置100的各部分发送控制信号，进行各处理工序。利用该控制信号，可进行收纳容器C的输送、向晶圆W的磁场的施加、保持部116的移动等。该程序储存于计算机存储介质、例如软盘、光盘、硬盘、光磁盘、存储卡等存储介质而安装于控制部120。

接着，基于图2和图3对于使在收纳容器C内的晶圆W上形成的磁性体膜呈现磁特性的磁化处理方法进行说明。图3是对在磁化处理室内收容有收纳容器的状态进行说明的图。

首先，如图2所示，利用未图示的桥式行走型输送装置(高空提升运输，OHT：Overhead Hoist Transport)、地面行走型输送装置(有轨小车，RGV：Rail Guided Vehicle)等将收纳容器C载置于载置台104。此时，在收纳容器C中收纳有例如形成有磁性体膜的多个(例如、25张)晶圆W。

接下来，如图3所示，利用承载件输送机构110将载置到载置台104的收纳容器C在收纳有晶圆W的状态下向磁化处理室112内输入并收容于磁化处理室112内。具体而言，利用上下驱动机构118使保持部116上升，利用承载件输送机构110将载置于载置台104的收纳容器C在收纳有晶圆W的状态下载置于保持部116。之后，利用上下驱动机构118使保持部116下降而将收纳容器C收容于磁化处理室112内。此时，在沿着与磁场的方向(上下方向)平行的方向堆叠晶圆W、并呈搁板状收纳的状态下，将收纳容器C收容于磁化处理室112内。即、晶圆W在晶圆面垂直于磁场的方向的状态下保持于收纳容器C。

接下来，通过对收纳容器C内的晶圆W按每个收纳容器C来施加磁场，使在晶圆W形成的磁性体膜呈现磁特性。具体而言，通过在室温下施加1T～5T的磁场，使在晶圆W上形成的磁性体膜呈现磁特性。此时，在沿着与磁场的方向(上下方向)平行的方向堆叠晶圆W、呈搁板状收纳的状态下，收纳容器C收容于磁化处理室112内，因此，在晶圆W上形成的磁性体膜沿着与膜垂直的方向(呈直角的，perpendicular)被磁化。此外，也可以是，利用承载件输送机构110以成为沿着与磁场的方向垂直的方向呈搁板状堆叠着晶圆W的状态的方式使收纳容器C旋转而收容于磁化处理室112内，从而将在晶圆W上形成的磁性体膜沿着膜平面方向(in-plane)磁化。另外，本实施方式中的室温是没有从外部进行加热、冷却的状态下的温度。

接下来，利用承载件输送机构110将收纳容器C从磁化处理室112输出，输送并载置于载置台104。具体而言，利用上下驱动机构118使保持部116上升，利用承载件输送机构110将载置到保持部116的收纳容器C输出，输送并载置于载置台104。此外，载置到载置台104的收纳容器C利用例如未图示的桥式行走型输送装置(OHT)、地面行走型输送装置(RGV)被从载置台104输出。通过以上步骤，处理结束。

本实施方式的磁化处理装置100具有从载置台104向磁化处理室112内输送收纳容器C的承载件输送机构110以及按每个收纳容器C对收纳容器C内的晶圆W施加磁场的磁化处理室112。由此，在不将晶圆W从收纳容器C取出而收纳到收纳容器C的状态下，能够在载置台104与磁化处理室112之间输送。因此，能够抑制由从收纳容器C取出晶圆W之际产生的灰尘等造成的晶圆W的污染，能够制造可靠性较高的MRAM。

另外，与从收纳容器向晶圆舟皿移载晶圆而向磁化处理室内输入的情况相比较，能够缩短输送所需的时间。另外，也可以不将晶圆从收纳容器向晶圆舟皿移载，因此，不需要收纳容器的开闭盖的自动开闭装置、晶圆舟皿、从收纳容器向晶圆舟皿移载晶圆的移载机等，能够缩小磁化处理装置的设置面积(占有面积)。而且，零部件个数变少，因此，能够使磁化处理装置的制造成本降低，另外，能够缩短磁化处理装置的制造所需的时间。

另外，在本实施方式的磁化处理装置100中，利用承载件输送机构110将收纳容器C以密闭了的状态从载置台104向磁化处理室112内输送。由此，即使是在承载件输送区域S2不是非活性气体气氛的情况下，也能够抑制晶圆W的表面自然氧化而被氧化膜包覆。因此，也可以不导入非活性气体设备，能够降低磁化处理装置100的制造成本，另外，能够缩短磁化处理装置100的制造所需的时间。

〔第2实施方式〕

基于图4对第2实施方式的磁化处理装置进行说明。图4是第2实施方式的磁化处理装置的概略图，图4的(a)和图的4(b)分别示出了磁化处理装置的纵截面和上表面。此外，以下，将磁化处理装置的前后方向设为图4的X方向、将左右方向设为Y方向、将上下方向设为Z方向来进行说明。

如图4的(a)和图4的(b)所示，磁化处理装置200具有壳体102，在壳体102内形成有承载件载置区域S1和承载件输送区域S2。

承载件载置区域S1是处于大气气氛下的区域，是供收纳有晶圆W的收纳容器C载置的区域。各处理装置间的区域相当于承载件载置区域S1，在本实施方式中，磁化处理装置200的外部的清洁室内的空间相当于承载件载置区域S1。在承载件载置区域S1的左右方向设有例如分别载置收纳容器C的两个载置台104。此外，载置台104既可以是1个，也可以是3个以上。

如图4的(b)所示，在载置台104的载置面，在例如3个部位设有用于对收纳容器C进行定位的销106，通过销106与收纳容器C的凹部之间的卡合，收纳容器C载置于载置台104的预定的位置。另外，在载置台104的载置面设有用于对收纳容器C进行固定的钩108，通过钩108与收纳容器C的槽部之间的卡合，收纳容器C固定于载置台104。

承载件输送区域S2是处于例如大气气氛下的区域，是将收纳有晶圆W的收纳容器C在载置台104与磁化处理室212之间输送的区域。此外，承载件输送区域S2也可以是氮气气氛等非活性气体气氛。另外，出于能够抑制在磁化处理装置的内部产生的灰尘等向外部扩散这样的观点，优选在承载件输送区域S2中设置FFU。

在承载件输送区域S2中设有承载件输送机构110和磁化处理室212。

承载件输送机构110是能够将收纳容器C从载置台104向磁化处理室212内输送的输送机构的一个例子。在本实施方式中，承载件输送机构110将收纳容器C以密闭的状态输送。承载件输送机构110包括：升降自由的引导部110a；关节臂110b，其设于引导部110a，保持收纳容器C的把手10而将收纳容器C沿着水平方向输送。

磁化处理室212能够收容收纳容器C、是用于对收纳容器C内的晶圆W施加磁场而使在晶圆W上形成的磁性体膜呈现磁特性的处理室。磁化处理室212具有后端(图4的－X方向)开口的卧式的电磁型磁体214。

电磁型磁体214以其中心轴线方向成为水平的方式配置，与未图示的电源装置连接。电磁型磁体214例如能够为超导磁体。由卧式的电磁型磁体214产生的磁场的方向成为前后方向。另外，以从外部覆盖电磁型磁体214的方式设有未图示的纯铁等强磁性构件。由此，能够抑制来自磁化处理室212的磁场的泄漏。

在电磁型磁体214的内侧设有保持部216和前后驱动机构218。

保持部216设置成能够沿着水平方向(前后方向)移动，用于保持收纳容器C。保持部216由非磁性材料形成。另外，也可以设置有对收纳容器C是否保持于保持部216的预定的位置进行检测的未图示的传感器(例如激光传感器)。

前后驱动机构218使保持部216沿着前后方向移动。具体而言，前后驱动机构218在利用承载件输送机构110将收纳容器C向磁化处理室212内输入之际使保持部216向后方移动。保持部116一移动到电磁型磁体114的后方端附近，就利用承载件输送机构110将收纳容器C载置于保持部216。另外，在收纳容器C载置到保持部216后，前后驱动机构218使保持部216向前方移动而将收纳容器C收容于磁化处理室212内。

另外，也可以是，不利用前后驱动机构218使保持部216沿着前后方向移动，而利用承载件输送机构110将收纳容器C向磁化处理室212内输入，并载置于保持部216。

在使用电磁型磁体214而使在例如25张晶圆W上形成的磁性体膜呈现均匀的磁特性的情况下，为了对全部的晶圆W施加均匀的处理，需要将晶圆W配置于均磁场区域。电磁型磁体214的均磁场区域是其轴向长度的约20％左右。

此外，如图4的(a)所示，在磁化处理装置200设置有例如包括计算机的控制部120。控制部120具有包括存储器、CPU的数据处理部等，CPU按照程序动作。在程序中编入有命令，以便从控制部120向磁化处理装置200的各部分发送控制信号，进行各处理工序。利用该控制信号，进行收纳容器C的输送、向晶圆W的磁场的施加、保持部216的移动等。该程序存储于计算机存储介质、例如软盘、光盘、硬盘、光磁盘、存储卡等存储介质而安装于控制部120。

接着，基于图4和图5对使在收纳容器C内的晶圆W上形成的磁性体膜呈现磁特性的磁化处理方法进行说明。图5是说明在磁化处理室内收容有收纳容器的状态的图。

首先，如图4所示，利用未图示的桥式行走型输送装置(OHT)、地面行走型输送装置(RGV)等将收纳容器C载置于载置台104。此时，在收纳容器C中收纳有形成有例如磁性体膜的多个(例如25张)晶圆W。

接下来，如图5所示，利用承载件输送机构110将载置于载置台104的收纳容器C在收纳有晶圆W的状态下向磁化处理室212内输入、并收容于磁化处理室212内。具体而言，利用前后驱动机构218使保持部216向后方移动，利用承载件输送机构110将载置于载置台104的收纳容器C在收纳有晶圆W的状态下载置于保持部216。之后，利用前后驱动机构218使保持部216向前方移动而将收纳容器C收容于磁化处理室212内。此时，在沿着与磁场的方向(前后方向)垂直的方向(上下方向)堆叠晶圆W并呈搁板状收纳的状态下，将收纳容器C收容于磁化处理室212内。即、晶圆W在晶圆面与磁场的方向平行的状态下保持于收纳容器C。

接下来，通过按每个收纳容器C对收纳容器C内的晶圆W施加磁场，使在晶圆W上形成的磁性体膜呈现磁特性。具体而言，通过在室温下施加1T～5T的磁场，使在晶圆W上形成的磁性体膜呈现磁特性。此时，在沿着与磁场的方向(前后方向)垂直的方向(上下方向)堆叠晶圆W并呈搁板状收纳了的状态下，收纳容器C收容于磁化处理室212内，因此，在晶圆W上形成的磁性体膜被沿着膜平面方向磁化。此外，也可以是，利用承载件输送机构110以成为沿着与磁场的方向平行的方向(前后方向)呈搁板状堆叠了晶圆W的状态的方式使收纳容器C旋转而收容于磁化处理室212内，从而使在晶圆W上形成的磁性体膜沿着与膜垂直的方向磁化。另外，本实施方式中的室温是没有从外部进行加热、冷却的状态下的温度。

接下来，利用承载件输送机构110将收纳容器C从磁化处理室212输出，向载置台104输送并载置于载置台104。具体而言，利用前后驱动机构218使保持部216向后方移动，利用承载件输送机构110将载置于保持部216的收纳容器C输出，向载置台104输送并载置于载置台104。此外，载置于载置台104的收纳容器C利用例如未图示的桥式行走型输送装置(OHT)、地面行走型输送装置(RGV)从载置台104输出。通过以上内容，处理结束。

本实施方式的磁化处理装置200具有：承载件输送机构110，其用于从载置台104向磁化处理室212内输送收纳容器C；磁化处理室212，其按每个收纳容器C对收纳容器C内的晶圆W施加磁场。由此，在不将晶圆W从收纳容器C取出而收纳于收纳容器C的状态下，就能够在载置台104与磁化处理室212之间输送。因此，能够抑制由在从收纳容器C取出晶圆W之际产生的尘等造成的晶圆W的污染，能够制造可靠性较高的MRAM。

另外，与将晶圆从收纳容器向晶圆舟皿移载而输入磁化处理室内的情况相比较，能够缩短输送所需的时间。另外，也可以不将晶圆W从收纳容器向晶圆舟皿移载，因此，不需要收纳容器的开闭盖的自动开闭装置、晶圆舟皿、从收纳容器向晶圆舟皿移载晶圆的移载机等，能够缩小磁化处理装置的设置面积。而且，零部件个数变少，因此，能够降低磁化处理装置的制造成本，另外，能够缩短磁化处理装置的制造所需的时间。

另外，在本实施方式的磁化处理装置200中，利用承载件输送机构110从载置台104向磁化处理室212内以密闭的状态输送收纳容器C。由此，即使是在承载件输送区域S2不是非活性气体气氛的情况下，也能够抑制晶圆W的表面自然氧化而被氧化膜包覆。因此，也可以不导入非活性气体设备，能够降低磁化处理装置200的制造成本，另外，能够缩短磁化处理装置200的制造所需的时间。

以上，利用实施例对磁化处理装置和磁化处理方法进行了说明，但本申请并不限定于上述实施例，能够在本申请的范围内进行各种变形和改良。

在本实施方式的磁化处理装置中，对承载件输送机构利用关节臂保持收纳容器的把手而沿着水平方向输送的形态进行了说明，但本申请并不限定于此。作为承载件输送机构，只要能够在载置台与磁化处理室之间输送收纳容器即可，例如也可以是支承收纳容器的底部而沿着水平方向输送的形态。

在本实施方式的磁化处理装置中，对在磁化处理室内收容一个收纳容器、对收纳容器内的多个晶圆施加磁场的形态进行了说明，但本申请并不限定于此。例如，也可以是在磁化处理室收容多个收纳容器、同时对多个收纳容器内的多个晶圆施加磁场的形态。在该情况下，优选对电磁型磁体的大小进行设计，以便能够对多个收纳容器内的全部晶圆实施均匀的处理。

根据上述的内容，本申请的各种实施例为了说明的目的而记载，另外，理解成各种变形可在不脱离本申请的范围和思想的情况下进行。因而，记载于此的各种实施例并不是用于限制由各权利要求指定的本质的范围和思想。

【关联申请】

本申请主张以2015年08月28日提出申请的日本申请特愿第2015－169219号为基础的优先权，将该日本特愿所公开的全部内容引用于此。