1.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：
半导体基板；
导电区域，所述导电区域包括被布置在所述半导体基板的一个表面上的第一导电区域和第二导电区域；以及
电极，所述电极包括连接至所述第一导电区域的第一电极和连接至所述第二导电区域的第二电极，
其中，所述电极包括：被布置在所述半导体基板或所述导电区域上的粘结层；被布置在所述粘结层上并包括金属作为主成分的电极层；以及被布置在所述电极层上并包括与所述电极层的金属不同的金属作为主成分的阻挡层，
其中，所述电极层的厚度大于所述粘结层和所述阻挡层中的每一个的厚度，并且
其中，所述阻挡层的熔点高于所述电极层的熔点。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述阻挡层包括耐熔金属作为主成分。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述阻挡层包括钛Ti、钼Mo、铬Cr或钨W作为主成分。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述阻挡层的热膨胀系数小于所述电极层的热膨胀系数。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述阻挡层的厚度大于所述粘结层的厚度。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其中，所述粘结层和所述阻挡层的厚度比在从1∶2至1∶30的范围内。
7.根据权利要求5所述的太阳能电池，其中，所述阻挡层的厚度为80nm或更小。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述阻挡层的电阻率等于或小于所述粘结层的电阻率。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其中，所述阻挡层的电阻率大于所述电极层的电阻率。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述阻挡层的透光率小于所述粘结层的透光率。
11.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述粘结层包括耐熔金属作为主成分。
12.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述粘结层包括钛Ti、钼Mo、铬Cr或钨W作为主成分。
13.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述粘结层的热膨胀系数介于所述半导体基板或所述导电区域的热膨胀系数与邻近所述粘结层的所述电极层的一部分的热膨胀系数之间。
14.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述粘结层的厚度为50nm或更小。
15.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，布置在所述电极层的相对表面上的所述粘结层和所述阻挡层由相同的材料形成。
16.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述电极层包括铜Cu、铝Al、银Ag、金Au及其合金中的至少一种作为主成分。
17.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述电极还包括被布置在所述阻挡层上并连接至条带的焊盘层。
18.根据权利要求17所述的太阳能电池，其中，所述焊盘层包括锡和镍钒合金NiV中的至少一种作为主成分。
19.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述粘结层与所述半导体基板或所述导电区域接触，
其中，所述电极层与所述粘结层接触，并且
其中，所述阻挡层与所述电极层接触。