一种高压电容串制作工艺的制作方法

本发明涉及高压静电喷涂，尤其是一种用于高压静电喷涂产品的高压电容串制作工艺。

背景技术：

静电喷涂是利用高压静电电场使带负电的涂料微粒沿着电场相反的方向定向运动，并将涂料微粒吸附在工件表面的一种喷涂方法。静电喷涂设备由喷枪、喷杯以及静电喷涂高压电源等组成，其中静电喷涂高压电源是由市电经过高压电容串的多次倍压达到上万伏高压的，这里的高压电容串加上外壳和灌封胶组成俗称的高压包，是由多组高压电容10、高压二极管20按照图1所示的原理图连接而成，每一个电容二倍压，12个电容总共24倍压。

具体生产加工时，高压包的核心部件被做成如图2、图3所示的高压电容串，两组电容串40相邻高压电容10之间设置有联接片30，高压二极管20的两端也连接在两个联接片30上，整体构成环形高压电容串。

而传统高压电容串的方式几乎手工操作，如图4所示，先用回流焊将高压电容10和联接片 30 焊成 电容串40,人为的焊接无法用回流焊式波缝焊接或批量生产。每次在高压电容10和二极管焊接时为了焊得更圆润，往往要用烙铁起一个1.5—2mm直径小珠50，对工人的技能要求很高，一天只能做三到五个，而且有些焊接的接触点80会出现一些尖峰，一旦出现尖峰，在实际高压工作下就出现放电击穿的可能，高压电容10的云脚和高压二级管20是两次焊接，很容易因为二次焊接把一次焊接造成损坏。

技术实现要素：

为解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种提升效率和质量的高压电容串制作工艺。

本发明所采用的技术方案为：

一种高压电容串制作工艺，包括以下步骤（A）焊接由联接片、高压电容轮次串成的电容串；（B）焊接由二极管引脚连接的二极管串；（C）固定两组平行间隔排布的电容串；（D）将所述二极管串围绕两组平行间隔排布的电容串螺旋递进缠绕，以使得所有二极管位于两组电容串的两侧间隙，其中一侧二极管的两端引脚连接相邻对角分布的联接片，另一侧二极管的两端引脚连接相邻平行分布的联接片；（E）焊接所有二极管的引脚与联接片的接触点。

所述步骤（A）中电容串采用冷压方式焊接，或用激光方式焊接。

所述步骤（B）中二极管串采用冷压方式焊接，或用激光方式焊接。

所述步骤（A）中电容串采用可伸缩的活动工装模辅助焊接以便于抽出活动工装模。

所述步骤（B）中二极管串采用固定工装模辅助焊接。

所述步骤（D）采用绕线装置完成二极管串的螺旋递进缠绕。

所述步骤（E）中二极管的引脚与联接片的接触点采用回流焊式波缝焊一次成型。

与现有技术相比较，本发明具有以下有益效果：

（1）将高压二级管和高压电容、还有联接云片用冷压方式焊接，或用激光方式焊接，形成一条带状体且可任意编排，解决了一系列的防呆工序，通过用简易模具成型后直接用回流焊式波缝焊一次成型，高压电容和高压二级管省去了焊接的工艺，从品质上真正解决了因焊接所出现的一系列问题，经过测试后高压在100千伏的高压下无任何放电击穿或发热的现象。

（2）效率方面，因为避免了人工焊接和多次焊接所造成虚焊、漏焊或假焊的问题，生产效率提高50—100倍。

（3）节省能源，因省去了人工焊接过程，无论从人工、用电、材料，空间污染都大大减少，做到节能环保。

（4）模具成型，对加工精度有保障。

附图说明

下面结合附图对本发明的具体实施方式做进一步的说明。

图1为高压电容串的电路原理图；

图2为传统高压电容串的二极管对角缠绕接线图；

图3为传统高压电容串的二极管平行缠绕接线图；

图4为传统高压电容串的俯视图；

图5为本发明高压电容串的电路展开状态图；

图6为本发明高压电容串的二极管对角缠绕接线图；

图7为本发明高压电容串的二极管平行缠绕接线图；

图8为本发明高压电容串的安装示意图。

具体实施方式

参阅图5 -图8所示，为本发明的一种高压电容串制作工艺，包括以下步骤:

（A）焊接由联接片30、高压电容10轮次串成的电容串40；其中，电容串40采用冷压方式焊接，或用激光方式焊接。并采用可伸缩的活动工装模60辅助焊接以便于抽出活动工装模60。

（B）焊接由二极管20引脚连接的二极管串；本步骤（B）中二极管串采用冷压方式焊接，或用激光方式焊接，二极管串还采用固定工装模70辅助焊接。

（C）固定两组平行间隔排布的电容串40；

（D）将所述二极管串围绕两组平行间隔排布的电容串40螺旋递进缠绕，以使得所有二极管20位于两组电容串40的两侧间隙，其中一侧二极管20的两端引脚连接相邻对角分布的联接片30，另一侧二极管20的两端引脚连接相邻平行分布的联接片30；其中，本步骤（D）采用绕线装置完成二极管串的螺旋递进缠绕。

（E）焊接所有二极管20的引脚与联接片30的接触点80，本步骤（E）中二极管20的引脚与联接片30的接触点采用回流焊式波缝焊一次成型。

以上所述仅为本发明的优先实施方式，本发明并不限定于上述实施方式，只要以基本相同手段实现本发明目的的技术方案都属于本发明的保护范围之内。