技术总结
本发明公开了具有调制碳掺杂氮化镓高阻层的HEMT结构及其制备方法。该HEMT结构自下而上依次包括衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、GaN:C/GaN超晶格高阻层和AlGaN势垒层；其中高阻层由多层GaN：C故意碳掺杂层和非故意掺杂GaN层交替连接组成；单层GaN：C故意碳掺杂层的厚度为5‑500nm；单层非故意掺杂GaN层的厚度为5‑500nm。GaN:C/GaN超晶格可以提高氮化镓材料的电阻同时不降低其晶体质量，可以提高GaN/AlGaN异质结HEMT器件的耐高压特性、可靠性和寿命等特性。
技术研发人员：徐明升;王洪;周泉斌
受保护的技术使用者：华南理工大学
文档号码：201610859900
技术研发日：2016.09.27
技术公布日：2017.05.10