技术总结
本发明提供了一种QLED器件及其制备方法。所述QLED器件为倒置QLED器件，包括依次设置的衬底、ITO、量子点发光层、空穴传输层、PEDOT:PSS层和顶电极，且所述PEDOT:PSS层通过界面修饰材料沉积在所述空穴传输层上，所述界面修饰材料为有机醇。本发明提供的QLED器件，能够提高所述空穴传输层与所述PEDOT:PSS层的界面相容性，更好地提高空穴注入传输效率，从而提高了导致QLED器件的性能。
技术研发人员：刘佳
受保护的技术使用者：TCL集团股份有限公司
文档号码：201610870993
技术研发日：2016.09.29
技术公布日：2017.02.15