裸片测试方法及晶圆与流程

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种裸片测试方法及晶圆。

背景技术：

晶圆(wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆，在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之芯片(IC)产品。一种常见的芯片封装形式为玻璃基板上芯片(COG)封装技术，由于该封装技术可以有效的减少应用模块体积，且易于大批量生产，因此已成为现在主流的封装形式。所述裸片(die)，就是指经过晶圆切割没有经过封装的芯片，其上只有用于封装的压焊点。COG封装技术主要的工艺流程为研磨、切割、挑晶，然后将封装好的芯片应用于小屏液晶显示面板等终端。然而一般来说，在COG封装工艺完成后，并没有进行测试，而是直接将封装好的芯片安装于显示面板等终端上，此时，为了测试面板上芯片的性能，就需要使用具有处理裸片测试能力的晶圆测试机台。而一般具有这种特殊测试能力的晶圆测试机台需要另外配置手动晶圆上片机和晶圆测试机铁圈处理台，这两台设备大约需要100万美元，资金投入相当巨大。即使具有了这两台设备，由于一般的晶圆测试机只能处理8寸或12寸的晶圆测试，因此，现有的晶圆测试机的测试范围也有限。因而，开发一种新的裸片测试方式，来降低测试成本，提高测试效率，是目前研究的热点。

技术实现要素：

本发明提供一种裸片测试方法及晶圆，用提降低裸片测试成本，提高测试效率。

为了解决上述问题，本发明提供了一种裸片测试方法，包括如下步骤：提供一晶圆，所述晶圆具有多个伪芯片图形；将所述晶圆粘贴在具有外框的保护膜上；切掉所述晶圆边缘的至少一伪芯片图形并代之以待测试裸片；取下外框，并将所述保护膜裁成晶圆的形状；将带有待测试裸片的晶圆放置于晶圆测试机上进行测试。

优选的，所述具有多个伪芯片图形的晶圆是8寸或12寸晶圆。

优选的，切掉所述晶圆边缘的至少一伪芯片图形并代之以待测试裸片的步骤包括：切掉所述晶圆边缘的至少一伪芯片图形后形成一区域，将待测试裸片粘贴于该区域。

优选的，所述保护膜为蓝膜。

优选的，所述伪芯片图形的形状与所述待测试裸片的形状相同。

优选的，切掉的所述伪芯片图形的数目大于待测试裸片的数目。

优选的，切掉的所述伪芯片图形的数目与待测试裸片的数目相等。

本发明还提供了一种晶圆，所述晶圆上具有放置待测试裸片的区域。

优选的，所述区域的形状与待测试裸片的形状相同。

本发明提供的裸片测试方法及晶圆，在晶圆上设置伪芯片图形，采用待测试裸片替换伪芯片图形，进而将保护膜裁成规则晶圆图形，再在常规的晶圆测试机上进行测试，操作方法简单，不需要使用昂贵设备，使得裸片的测试成本大幅度降低，测试效率得到很大提升。

附图说明

附图1是本发明具体实施方式的裸片测试方法流程图；

附图2A是本发明具体实施方式的具有伪芯片图形的晶圆的结构示意图；

附图2B是本发明具体实施方式的晶圆粘贴在具有外框的保护膜上之后的结构示意图；

附图2C是本发明具体实施方式的以待测试裸片替换伪芯片图形之后的晶圆的结构示意图；

附图2D是本发明具体实施方式的置于晶圆测试机上的晶圆结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本发明的方案做详细说明。

本发明提供了一种裸片测试方法，附图1是本发明具体实施方式的裸片测试方法流程图。如图1所示，本发明所述的裸片测试方法包括如下步骤：

步骤S11，提供一晶圆21，所述晶圆21具有多个伪芯片图形22。附图2A是本发明具体实施方式的具有伪芯片图形的晶圆的结构示意图。如果2A所示，在所述晶圆21上形成有多个伪芯片图形22，所述伪芯片图形22的数量可以根据实际需要进行设定，可以多于待测试裸片的数量，可以与待测试裸片的数量相同。由于现有的晶圆测试机一般只能处理8寸或12寸晶圆的测试，因此，为了简化测试步骤，优选的，所述具有伪芯片图形22的晶圆21的形状为8寸或12寸晶圆形状。在所述晶圆21上制作伪芯片图形22的方法可以采用本领域技术人员所熟知的化学蚀刻法。为了简化制作工艺，也便于后续测试，优选每一所述伪芯片图形22的形状与待测试裸片25的形状相同。当然，本领域技术人员在其掌握的普通技术知识基础之上，也可以改变伪芯片图形的形状，使得所述伪芯片图形22的形状与待测试裸片25的形状不同，而是通过多个伪芯片图形22组合成待测试裸片25的形状，当采用此种方法制作伪芯片图形时，所述晶圆21就能够适用于多种不同形状的裸片的测试，实现批量测试，使得测试效率进一步提高。

步骤S12，将所述晶圆21粘贴在具有外框24的保护膜23上。附图2B是本发明具体实施方式的晶圆粘贴在具有外框的保护膜上之后的结构示意图。如图2B所示，在将所述晶圆粘贴在具有外框24的保护膜23上的步骤中，为了便于后续对所述保护膜23的裁切，优选的，所述保护膜23的面积大于所述晶圆21的面积。其中，所述外框24可以是本领域技术人员所熟知的铁圈，也可以是与铁圈具有相同功能的其他组件；所述保护膜23优选为蓝膜；可以采用本领域技术人员所熟知的胶黏剂具有伪芯片图形22的晶圆21粘贴在具有外框24的保护膜23上。

步骤S13，切掉所述晶圆21边缘的至少一伪芯片图形22并代之以待测试裸片25。附图2C是本发明具体实施方式的以待测试裸片替换伪芯片图形之后的晶圆的结构示意图。如图2C所示，在所述晶圆21的边缘切掉一伪芯片图形22，形成一区域，再将待测试裸片25放置于该区域处。其中，可以采用内圆切割、外圆切割或金刚石线锯切割等本领域技术人员所熟知的切割技术切割掉至少一伪芯片图形22从而在所述晶圆21上形成一用于后续容纳所述待测试裸片25的区域。其中，切割掉的所述伪芯片图形22的数量取决于待测试裸片25的数量。当所述伪芯片图形22的形状与所述待测试裸片25的形状相同时，优选切割掉的伪芯片图形22的数量与待测试裸片25的数量相等；当所述伪芯片图形22的形状与所述待测试裸片25的形状不同时，优选切掉的所述伪芯片图形22的数量大于所述待测试裸片的数量，使得所述区域能够完全容纳所述待测试裸片25。为了简化操作步骤，优选的，切掉所述晶圆21边缘的至少一伪芯片图形22并代之以待测试裸片的步骤包括：切掉所述晶圆21边缘的至少一伪芯片图形22后形成一区域，将待测试裸片25粘贴于该区域。

步骤S14，取下外框24，并将所述保护膜23裁成晶圆21的形状。附图2D是本发明具体实施方式的置于晶圆测试机上的晶圆结构示意图。如图2D所示，由于现有的晶圆测试机只能处理8寸或12寸的晶圆测试，因而，在以所述待测试裸片25替换掉至少一伪芯片图形22之后，还需要将所述保护膜23裁成晶圆21的形状，由于所述晶圆21的形状优选为8寸或12寸的晶圆形状，因而，所述保护膜23将被裁成8寸或12寸的晶圆形状。

步骤S15，将带有待测试裸片25的晶圆21放置于晶圆测试机上进行测试。

本发明提供的裸片测试方法，在裸硅片上设置伪芯片图形，采用待测试裸片替换伪芯片图形，进而剪切蓝膜形成规则晶圆图形，再在常规的晶圆测试机上进行测试，在整个过程中都不需要使用手动晶圆上片机和晶圆测试机铁圈处理台，使得裸片的测试成本大幅度降低，测试效率得到很大提升。

本发明提供的裸片测试方法，在晶圆上设置伪芯片图形，采用待测试裸片替换伪芯片图形，进而将保护膜裁成规则晶圆图形，再在常规的晶圆测试机上进行测试，操作方法简单，不需要使用昂贵设备，使得裸片的测试成本大幅度降低，测试效率得到很大提升。

不仅如此，本发明还提供了一种晶圆21，所述晶圆21上具有放置待测试裸片25的区域。具体来说，所述晶圆21上形成有多个伪芯片图形22，优选的，每一所述伪芯片图形22的形状与待测试裸片25的形状相同。当然，本领域技术人员在其掌握的普通技术知识基础之上，也可以改变伪芯片图形的形状，使得所述伪芯片图形22的形状与待测试裸片25的形状不同，而是通过多个伪芯片图形22组合成待测试裸片25的形状，当采用此种方法制作伪芯片图形时，所述晶圆21就能够适用于多种不同形状的裸片的测试，实现批量测试，使得测试效率进一步提高。在所述晶圆21的边缘切掉一伪芯片图形22，形成一区域，再将待测试裸片25放置于该区域处。

本发明提供的晶圆，在其上设置有放置待测试裸片的区域，通过将待测试裸片放置于所述晶圆上的所述区域后，就可以采用常规的晶圆测试机对待测试裸片进行测试，操作方法简单，不需要使用昂贵设备，使得裸片的测试成本大幅度降低，测试效率得到很大提升。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。