变压器的制作方法

本发明涉及一种特殊组合结构的高频功率变压器。

背景技术：

市场上的大部分适配器采用功率器件的高速导通和关断来斩波转换电能，由于功率器件的高速导通和关断会导致流过的电流和电压的快速变化，产生较高的电压及电流尖峰，是开关电源内部产生EMI的主要原因。

目前，降低开关电源内部的EMI干扰的常规做法是外加缓冲吸收电路，在系统前端加滤波器、X电容和Y电容，采用具有抖频和频率调制的脉宽调制器也可以改善EMI性能。采用前面的一些方法虽然对EMI有所改善，但不能绝对的保证适配器通过EMI的测试。必须在电路和变压器结构上进行改进，才能使适配器满足EMI标准。本专利通过改进变压器结构使变压器分布电容和漏感调整到一个合适值，以满足EMI测试规范要求的优益效果。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供了一种特殊组合结构的高频功率变压器。

使变压器分布电容和漏感调整到一个合适值，使开关电源电路EMI测试保证充足裕量。

为实现前述目的，本发明采用如下技术方案：一种变压器，其包括骨架及由内向外绕制在骨架上的第一次级绕组、第一铜皮屏蔽层、初级绕组、初级VCC辅助供电绕组、第二铜皮屏蔽层、第二次级绕组，所述第一次级绕组和第二次级绕组绕制的圈数相同且并联在一起，第一铜皮屏蔽层与第二铜皮屏蔽层各自的一末端悬空，另一末端与初级VCC辅助供电绕组的地回路连接，所述第一次级绕组、第一铜皮屏蔽层、初级绕组、初级VCC辅助供电绕组、第二铜皮屏蔽层、第二次级绕组两两相邻之间及第二次级绕组外侧分别绕制有绝缘胶带。

本发明变压器通过各绕组、铜皮屏蔽层及绝缘胶带之间的巧妙组合，使变压器分布电容和漏感调整到一个合适值，以满足EMI测试规范要求的优益效果。由于增大了次级绕组和其他绕组的接触面积，通过铜皮屏蔽层的屏蔽，可以减少次级绕组和其他绕间的耦合电容。铜皮屏蔽层绕在次级绕组和其他绕间之间，并且接到初级VCC辅助供电绕组的初级地回路，使次级绕组和其他绕组的耦合系数降低，从而增加了漏感。本发明变压器能够将分布电容和漏感调整到一个合适值，便于满足EMI测试规范要求。

采用本发明变压器，可以使开关电源电路传导的测试保证充足裕量，实用性强，且各项功能较常规的做法有了更好的提升，并且简化了设计线路，实现成本低廉，实施简单有效。

附图说明

图1为本发明的功能模块图

图2为本发明变压器的结构示意图。

具体实施方式

图1为反激开关电源的功能模块图，功率变压器连接于初次级，是电能转换的关键元件。合理的功率变压器电气和物理绕制方法对整个开关电源的性能及可靠性有极大的影响。本实施例中特殊组合结构的高频功率变压器使电源中的电磁干扰EMI在测试时有充足的裕量。

请参阅图2所示，本发明变压器包括骨架10及由内向外绕制在骨架10上的第一次级绕组21、第一铜皮屏蔽层31、初级绕组40、初级VCC辅助供电绕组50、第二铜皮屏蔽层22、第二次级绕组32。各绕组21、40、50、32分别采用整层密绕。

变压器各引脚定义见图1中U3所示：VBUS:输入整流滤波后的正电压；MOS-D:功率开关MOSFET的漏极；VCC：初级VCC辅助供电绕组正电压；GND：初级VCC辅助供电绕组地回路；VOUT+：次级输出正电压；VOUT+：次级输出负电压。

第一次级绕组21和第二次级绕组32并联在一起，绕组绕制的圈数相同，用于次级输出。

第一铜皮屏蔽层31与第二铜皮屏蔽层22的一末端悬空，另一末端与初级VCC辅助供电绕组50的地回路连接。

初级绕组40的两末端分别连接在VBUS Pin、MOS-D Pin上。

第一次级绕组21、第一铜皮屏蔽层31、初级绕组40、初级VCC辅助供电绕组50、第二铜皮屏蔽层22、第二次级绕组32两两相邻之间及第二次级绕组32外侧分别绕制有绝缘胶带60。

本发明变压器通过各绕组21、40、50、32、铜皮屏蔽层31、22及绝缘胶带60之间的巧妙组合，使变压器分布电容和漏感调整到一个合适值，以满足EMI测试规范要求的优益效果。由于增大了次级绕组21、32和其他绕组的接触面积，通过铜皮屏蔽层31、22的屏蔽，可以减少次级绕组21、32和其他绕间的耦合电容。铜皮屏蔽层31、22绕在次级绕组21、32和其他绕间之间，并且接到初级VCC辅助供电绕组50的地回路，使次级绕组21、32和其他绕组的耦合系数降低，从而增加了漏感。本发明变压器能够将分布电容和漏感调整到一个合适值，便于满足EMI测试规范要求。

采用本发明变压器，可以使开关电源电路传导的测试保证充足的裕量，实用性强，且各项功能较常规的做法有了更好的提升，并且简化了设计线路，实现成本低廉，实施简单有效。

以上所述实施例仅表达了本发明的优选实施方式，其描叙较为具体与详细，但并不能因此而理解为本发明专利范围和实施例的限制。应当指出的是，对于本领域的技术人员来说，在不脱离本实施例构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明保护范围。