一种基于F4‑TCNQ/C60结构的紫外‑可见有机光电探测器的制备方法与流程

技术特征：

1.一种基于F₄-TCNQ/C60结构的紫外-可见有机光电探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

将表面清洗干净的透光衬底置于热蒸发镀膜仪的生长室中，并将导电薄膜电极层的材料粉末、F₄-TCNQ粉末、C60粉末、金属薄膜电极层的金属颗粒分别放置于四个钼舟内，并将四个钼舟安装在生长室的四对电极上，生长室抽真空至9.0~9.5×10^-4Pa，先对装有导电薄膜电极层的材料粉末的钼舟进行电流调节，在透光衬底(1)上蒸镀导电薄膜层(2)，蒸镀完毕后将电流调为零，于真空度9.0~9.5×10^-4Pa下自然冷却5min；再采用相同的方法依次继续蒸镀F₄-TCNQ薄膜层(3)、C60薄膜层(4)和金属薄膜电极层(5)，最终制备得到所述基于F₄-TCNQ/C60结构的紫外-可见有机光电探测器；

所述导电薄膜层(2)、F₄-TCNQ薄膜层(3)、C60薄膜层(4)和金属薄膜电极层(5)蒸镀时的蒸发速率分别为2Å/s、0.5Å/s、1.5Å/s、2Å/s。

2.如权利要求1所述的基于F₄-TCNQ/C60结构的紫外-可见有机光电探测器的制备方法，其特征在于，所述透光衬底(1)的材质为玻璃、石英或蓝宝石。

3.如权利要求1所述的基于F₄-TCNQ/C60结构的紫外-可见有机光电探测器的制备方法，其特征在于，所述导电薄膜层(2)的材质为ITO或ZnO。

4.如权利要求1所述的基于F₄-TCNQ/C60结构的紫外-可见有机光电探测器的制备方法，其特征在于，所述F₄-TCNQ薄膜层(3)的厚度为2~15nm。

5.如权利要求1所述的基于F₄-TCNQ/C60结构的紫外-可见有机光电探测器的制备方法，其特征在于，所述C60薄膜层(4)的厚度为50~100nm。

6.如权利要求1所述的基于F₄-TCNQ/C60结构的紫外-可见有机光电探测器的制备方法，其特征在于，所述金属电极铝电极或银电极。

7.如权利要求4所述的基于F₄-TCNQ/C60结构的紫外-可见有机光电探测器的制备方法，其特征在于，所述F₄-TCNQ薄膜层(3)的厚度为3nm。

8.如权利要求5所述的基于F₄-TCNQ/C60结构的紫外-可见有机光电探测器的制备方法，其特征在于，所述C60薄膜层(4)的厚度为60nm。