元件集合体临时固定片及其制造方法与流程

本发明涉及元件集合体临时固定片以及制造方法，详细而言，涉及元件集合体临时固定片及其制造方法。

背景技术：

以往，公知有利用荧光体层等覆盖层覆盖多个led来制作覆盖led的方法。

例如，提出了如下方法：准备具有硬质的支承板的支承片，将半导体元件配置于支承片的上表面，用密封层覆盖半导体元件，之后，将密封层与半导体元件相对应地切断(例如，参照日本特开2014－168036号公报。)。

在日本特开2014－168036号公报中，在支承板上设置有基准标记，以该基准标记为基准切断密封层。

技术实现要素：

然而，支承板是硬质的，因此，存在难以设置标记这样的不良情况。

本发明的目的在于，提供一种能够在支承层上容易地设置对准标记的、元件集合体临时固定片的制造方法以及由该制造方法获得的元件集合体临时固定片。

本发明[1]是一种元件集合体临时固定片，其特征在于，该元件集合体临时固定片包括：元件集合体固定层，其用于对多个光半导体元件排列配置而成的元件集合体进行临时固定；支承层，其由合成树脂形成，用于对所述元件集合体固定层进行支承，在所述支承层上设置有对准标记。

在该元件集合体临时固定片中，在由合成树脂形成的支承层设置有对准标记，因此，对准标记可容易地形成于支承层。

本发明[2]根据[1]所记载的元件集合体临时固定片，其特征在于，所述对准标记由碳材料形成。

根据该元件集合体临时固定片，对准标记由碳材料形成，因此，能够提高对准标记的可视性。

本发明[3]根据[2]所记载的元件集合体临时固定片，其特征在于，所述碳材料由碳黑形成。

根据该元件集合体临时固定片，所述碳材料由碳黑形成，因此，能够提高对准标记的可视性。

本发明[4]根据[1]～[3]中任一项所记载的元件集合体临时固定片，其特征在于，所述对准标记是利用从由热转印和喷墨印刷构成的组选择的至少1个方法设置的图案。

根据该元件集合体临时固定片，对准标记是可以从由热转印和喷墨印刷构成的组选择的至少1个方法设置的图案，因此，能够容易地设置对准标记。

在本发明[5]中，所述元件集合体固定层以及所述支承层是透明的，所述对准标记是不透明的。

根据该元件集合体临时固定片，能够切实地视觉确认不透明的对准标记。因此，能够以对准标记为基准切实地临时固定元件集合体，或者能够切实地切断用于对元件集合体进行密封的密封层。

本发明[6]包括[1]所记载的元件集合体临时固定片，其特征在于，所述对准标记是显影图案。

根据该元件集合体临时固定片，对准标记是显影图案，因此，能够容易地设置对准标记。

本发明[7]包括[1]或[6]所记载的元件集合体临时固定片，其特征在于，所述对准标记由银形成。

根据该元件集合体临时固定片，对准标记由银形成，因此，能够提高对准标记的可视性。

本发明[8]包括[1]所记载的元件集合体临时固定片，其特征在于，所述元件集合体固定层和所述支承层是有色的，所述对准标记是贯通所述元件集合体固定层和所述支承层的贯通孔。

根据该元件集合体临时固定片，元件集合体固定层和支承层是有色的，对准标记是贯通元件集合体固定层和支承层的贯通孔，因此，能够使对准标记的可视性可靠。

本发明[9]包括[1]所记载的元件集合体临时固定片，其特征在于，所述元件集合体固定层的厚度小于120μm。

该元件集合体临时固定片的元件集合体固定层的厚度薄达小于120μm，因此，处理性优异。

本发明[10]包括[1]所记载的元件集合体临时固定片，其特征在于，所述元件集合体固定层设置于所述支承层的至少一个面。

在该元件集合体临时固定片中，元件集合体固定层设置于支承层的至少一个面，因此，能够提高对准标记的可视性。

本发明[11]是一种元件集合体临时固定片的制造方法，其特征在于，该元件集合体临时固定片的制造方法包括：准备已设置有感光层的支承层的工序(1)；通过光刻法由所述感光层以显影图案的形式形成对准标记的工序(2)；以及将用于对多个光半导体元件排列配置而成的元件集合体进行临时固定的元件集合体固定层设置于所述支承层的工序(3)。

根据该元件集合体临时固定片的制造方法，能够简便地设置对准标记。

本发明[12]包括一种元件集合体临时固定片的制造方法，其特征在于，该元件集合体临时固定片的制造方法包括：在支承层由碳材料形成对准标记的工序(2)；以及将用于对多个光半导体元件排列配置而成的元件集合体进行临时固定的元件集合体固定层设置于所述支承层的工序(3)。

根据该元件集合体临时固定片的制造方法，能够简便地设置对准标记。

本发明[13]是[12]所记载的元件集合体临时固定片的制造方法，其特征在于，所述碳材料由碳黑形成.

根据该元件集合体临时固定片的制造方法，能够设置可视性得以提高的对准标记.

本发明[14]是[12]或[13]所记载的元件集合体临时固定片的制造方法，其特征在于，在所述工序(2)中，利用从由热转印和喷墨印刷构成的组选择的至少1个方法形成所述对准标记。

根据该元件集合体临时固定片的制造方法，能够容易地设置对准标记。

本发明[15]包括一种元件集合体临时固定片的制造方法，其特征在于，该元件集合体临时固定片的制造方法包括：将用于对多个光半导体元件排列配置而成的元件集合体进行临时固定的元件集合体固定层设置于支承层的工序(3)；以及将贯通所述元件集合体固定层和所述支承层的贯通孔设置为对准标记的工序(4)。

根据该元件集合体临时固定片的制造方法，能够简便地设置对准标记。

附图说明

图1是表示本发明的元件集合体临时固定片的第1实施方式的俯视图。

图2是表示图1所示的元件集合体临时固定片的沿着a－a线的剖视图。

图3a～图3c是使用光刻法来设置对准标记的方法的工序图，

图3a表示准备具有支承层以及感光层的带感光层的支承层的工序(1)，

图3b表示对感光层进行曝光的工序，

图3c表示对感光层进行显影的工序(2)。

图4a～图4e是使用图2所示的元件集合体临时固定片的方法的工序图，

图4a表示将载体设置于元件集合体临时固定片之下的工序，

图4b表示将多个光半导体元件临时固定于元件集合体临时固定片的工序，

图4c表示利用密封层对多个光半导体元件进行密封的工序，

图4d表示将密封层切断而将密封光半导体元件从元件集合体临时固定片剥离的工序，

图4e表示将密封光半导体元件倒装芯片安装于基板的工序。

图5表示第1实施方式的变形例的元件集合体临时固定片的剖视图。

图6a和图6b表示第1实施方式的元件集合体临时固定片的使用方法的变形例，

图6a表示在不切断的情况下将密封元件集合体从元件集合体临时固定片剥离的工序，

图6b表示将密封元件集合体倒装芯片安装于基板的工序。

图7表示第2实施方式的元件集合体临时固定片的俯视图。

图8a～图8e是图7所示的元件集合体临时固定片的使用方法的工序图，

图8a表示将载体设置于元件集合体临时固定片之下的工序，

图8b表示将多个光半导体元件临时固定于元件集合体临时固定构件的工序，

图8c表示利用密封层对多个光半导体元件进行密封的工序，

图8d表示将密封层切断而将密封光半导体元件从元件集合体临时固定片剥离的工序，

图8e表示将密封光半导体元件倒装芯片安装于基板的工序。

图9表示本发明的元件集合体临时固定片的第3实施方式的俯视图。

图10a～图10f是使用图9所示的元件集合体临时固定片的方法的工序图，

图10a表示将载体设置于元件集合体临时固定片之上、并将第2压敏粘接层设置于载体之上来准备临时固定构件的工序，

图10b表示将多个光半导体元件临时固定于第2压敏粘接层的工序，

图10c表示利用密封层对多个光半导体元件进行密封的工序，

图10d表示将密封层切断的工序，

图10e表示将密封光半导体元件从第2压敏粘接层剥离的工序，

图10f表示将密封光半导体元件倒装芯片安装于基板的工序。

图11表示第3实施方式的变形例的元件集合体临时固定片。

图12a～图12c是第3实施方式的元件集合体临时固定片的使用方法的变形例，

图12a表示不将密封元件集合体切断、就将第2压敏粘接层从元件集合体临时固定片剥离的工序，

图12b表示将光半导体元件以及密封层从第2压敏粘接层剥离的工序，

图12c表示将光半导体元件倒装芯片安装于基板的工序。

图13a～图13f是第4实施方式的元件集合体临时固定片的使用方法的工序图，

图13a表示将载体设置于元件集合体临时固定片之上、并将第2压敏粘接层设置于载体之上来准备临时固定构件的工序，

图13b表示将多个光半导体元件临时固定于第2压敏粘接层的工序，

图13c表示利用密封层对多个光半导体元件进行密封的工序，

图13d表示将密封层切断的工序，

图13e表示将密封光半导体元件从第2压敏粘接层剥离的工序，

图13f表示将密封光半导体元件倒装芯片安装于基板的工序。

具体实施方式

在图2中，纸面上下方向是上下方向(第1方向、厚度方向)，纸面上侧是上侧(第1方向的一侧、厚度方向的一侧)，纸面下侧是下侧(第1方向的另一侧、厚度方向的另一侧)。在图2中，纸面左右方向是左右方向(与第1方向正交的第2方向、宽度方向)，纸面右侧是右侧(第2方向的一侧、宽度方向的一侧)，纸面左侧是左侧(第2方向的另一侧、宽度方向的另一侧)。在图2中，纸厚方向是前后方向(与第1方向以及第2方向正交的第3方向)，纸面近前侧是前侧(第3方向的一侧)，纸面进深侧是后侧(第3方向的另一侧)。具体以各图的方向箭头为准。

1.第1实施方式

如图1以及图2所示，元件集合体临时固定片1具有平板形状，具体而言，具有预定的厚度，沿着与厚度方向正交的面方向(左右方向以及前后方向)延伸，具有平坦的表面以及平坦的背面。此外，在元件集合体临时固定片1中，具有前后方向长度比左右方向长度(宽度)长的平板形状。或者，元件集合体临时固定片1具有前后方向较长的长条形状。

如图2所示，元件集合体临时固定片1依次具有元件集合体固定层3、支承层2和第1压敏粘接层4。具体而言，元件集合体临时固定片1具有：支承层2；设置于支承层2之上的元件集合体固定层3；设置于支承层2之下的第1压敏粘接层4。另外，在该元件集合体临时固定片1中，元件集合体固定层3具有对准标记7。以下，说明各构件。

1－1.支承层

支承层2位于元件集合体临时固定片1的厚度方向中央。也就是说，支承层2介于元件集合体固定层3以及第1压敏粘接层4之间。元件集合体临时固定片1具有平板形状，具体而言，具有预定的厚度，沿着左右方向以及前后方向延伸，具有平坦的表面以及平坦的背面。另外，支承层2具有挠性。支承层2支承着元件集合体固定层3以及第1压敏粘接层4。

支承层2由合成树脂形成。作为合成树脂，可列举出例如聚乙烯(例如、低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、线性低密度聚乙烯等)、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-c4以上的α-烯烃共聚物等烯烃聚合物、例如、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸正丁酯共聚物等乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、例如、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、例如聚碳酸酯、例如聚氨酯、例如、聚酰亚胺等聚合物。共聚物也可以是无规共聚物以及嵌段共聚物中的任一种。合成树脂也可以单独使用或组合使用两种以上。另外，支承层2也可以是上述的合成树脂的多孔质。

优选的是，支承层2由pet、聚碳酸酯形成。

另外，支承层2也可以由单层或多个层构成。

另外，上述的合成树脂例如是透明的。也就是说，支承层2是透明的。具体而言，支承层2的全光线透过率例如是80％以上，优选的是90％以上，更优选的是95％以上，另外，例如是99.9％以下。

支承层2的线膨胀系数例如是500×10^-6k^-1以下，优选的是300×10^-6k^-1以下，另外，例如是2×10^-6k^-1以上，优选的是10×10^-6k^-1％以上。支承层2的线膨胀系数只要是上述的上限以下，则能够达成以对准标记7为基准的光半导体元件11的排列、和/或密封层12的切断。支承层2的线膨胀系数可由线膨胀系数测定装置测定。对于以下的各构件的线膨胀系数也可通过同样的方法测定。

支承层2的25℃时的拉伸弹性模量e例如是200mpa以下，优选的是100mpa以下，更优选的是80mpa以下，另外，例如是50mpa以上。支承层2的拉伸弹性模量e只要是上述的上限以下，就能够确保挠性，能够容易地设置对准标记7。

支承层2的厚度例如是10μm以上，优选的是30μm以上，另外，例如是350μm以下，优选的是100μm以下。

1－2.元件集合体固定层

元件集合体固定层3位于元件集合体临时固定片1的上端部。元件集合体固定层3配置于支承层2的上表面。也就是说，元件集合体固定层3形成了元件集合体临时固定片1的上表面。元件集合体固定层3具有平板形状，具体而言，具有预定的厚度，沿着左右方向以及前后方向延伸，具有平坦的表面以及平坦的背面(除了与后述的对准标记7相对应的部分之外)。元件集合体固定层3以对多个光半导体元件11排列配置而成的元件集合体16(如后所述。参照图1和图4b)进行临时固定的方式构成。

另外，元件集合体固定层3具有压敏粘接性(粘合性)。

元件集合体固定层3由压敏粘接剂形成。作为压敏粘接剂，可列举出例如丙烯酸系压敏粘接剂、橡胶系压敏粘接剂、sis(苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯·嵌段共聚物)系压敏粘接剂、有机硅系压敏粘接剂、乙烯基烷基醚系压敏粘接剂、聚乙烯醇系压敏粘接剂、聚乙烯吡咯烷酮系压敏粘接剂、聚丙烯酰胺系压敏粘接剂、纤维素系压敏粘接剂、氨基甲酸酯系压敏粘接剂、聚酯系压敏粘接剂、聚酰胺系压敏粘接剂、环氧系压敏粘接剂等。优选的是，可列举出有机硅系压敏粘接剂。

另外，元件集合体固定层3是透明的。元件集合体固定层3的全光线透过率例如是80％以上，优选的是90％以上，更优选的是95％以上，另外，例如是99.9％以下。

元件集合体固定层3的线膨胀系数例如是500×10^-6k^-1以下，优选的是300×10^-6k^-1以下，另外，例如还是2×10^-6k^-1以上、优选的是100×10^-6k^-1以上。

将元件集合体固定层3与硅板压敏粘接，在25℃时将元件集合体固定层3以180度从硅板剥离时的剥离力(参照日本标准jis-z-0237:2009)例如是0.1n/mm以上，优选的是0.3n/mm以上，另外，例如是1n/mm以下。元件集合体固定层3的剥离力只要是上述的下限以上，就能够切实地临时固定多个光半导体元件11。

元件集合体固定层3的厚度例如是5μm以上，优选的是10μm以上，另外，例如是小于120μm，优选的是小于100μm，更优选的是80μm以下，进一步优选的是60μm以下。在元件集合体固定层3的厚度超过上述的下限的情况下，能够对元件集合体临时固定片1的上表面切实地赋予压敏粘接性。因此，能够简便地制造元件集合体临时固定片1。在元件集合体固定层3的厚度低于上述的上限的情况下，能够提高元件集合体固定层3的处理性。

1－3.第1压敏粘接层

第1压敏粘接层4位于元件集合体临时固定片1的下端部。另外，第1压敏粘接层4配置于支承层2的下表面。也就是说、第1压敏粘接层4形成了元件集合体临时固定片1的下表面。而且，第1压敏粘接层4沿着厚度方向与元件集合体固定层3一起夹着支承层2。第1压敏粘接层4具有平板形状，具体而言，具有预定的厚度，沿着左右方向以及前后方向延伸，具有平坦的表面以及平坦的背面。

第1压敏粘接层4具有压敏粘接性(粘合性)。具体而言，第1压敏粘接层4由与元件集合体固定层3相同的压敏粘接剂形成。

第1压敏粘接层4是透明的。第1压敏粘接层4的全光线透过率例如是80％以上，优选的是90％以上，更优选的是95％以上，另外，例如是99.9％以下。

第1压敏粘接层4的线膨胀系数例如是500×10^-6k^-1以下，优选的是300×10^-6k^-1以下，另外，例如还是2×10^-6k^-1以上，优选的是10×10^-6k^-1％以上。第1压敏粘接层4的厚度例如是5μm以上，优选的是10μm以上，另外，例如小于100μm，优选的是80μm以下，更优选的是60μm以下。

1－4.对准标记

如图2所示，对准标记7设置于支承层2的上表面。

如图1以及图2所示，具体而言，对准标记7在支承层2的上表面的右端部设置有多个。详细而言，对准标记7设置于被划分在元件集合体形成区域17的右侧(宽度方向一侧的一个例子)的标记形成区域18，在该元件集合体形成区域17设有后述的元件集合体16。标记形成区域18沿着前后方向配置于元件集合体临时固定片1的右端部。

对准标记7是用于将元件集合体16临时固定于元件集合体固定层3、且用于对密封元件集合体16的密封层12进行切断的基准标记。具体而言，对准标记7具有排列标记8以及切断标记9。排列标记8以及切断标记9与沿着左右方向排列成一列的多个光半导体元件11(后述)相对应地各配置有1个，排列标记8以及切断标记9沿着左右方向彼此隔开间隔地排列配置。

排列标记8是对准标记7中的位于左侧的标记，沿着前后方向彼此隔开间隔地配置有多个。多个排列标记8各自具有例如大致圆形状。

切断标记9是对准标记7中的位于右侧的标记，沿着前后方向彼此隔开间隔地配置有多个。具体而言，多个切断标记9分别以在左右方向投影时不与各个排列标记8重叠的方式配置。也就是说，多个排列标记8和多个切断标记9配置成交错状，也就是说，在左右方向投影时沿着前后方向交替地配置。各切断标记9与各排列标记8隔开间隔地配置于各排列标记8的右前侧。多个切断标记9各自具有例如沿着左右方向延伸的大致棒(直线)形状。

对准标记7是不透明的。

因此，对准标记7由不透明(后述)的材料形成。作为那样的材料，可列举出例如银(金属银)等金属材料、碳黑等碳材料等。

作为金属材料，优选可列举出银。只要是银，就能够更进一步提高对准标记7的可视性。

另外，作为碳材料，优选可列举出碳黑。只要是碳黑，就能够更进一步提高对准标记7的可视性。

对准标记7的尺寸被适当设定。排列标记8的直径(最大长度)例如是0.05mm以上，优选的是0.0mm以上，另外，例如是1mm以下，优选的是0.5mm以下。

相邻的排列标记8的中心间的距离(即，间距)例如是0.05mm以上，优选的是0.1mm以上，另外，例如是1.0mm以下，优选的是0.8mm以下。

切断标记9的左右方向长度例如是0.05mm以上，优选的是0.1mm以上，另外，例如是1mm以下，优选的是0.5mm以下。切断标记9的宽度(前后方向长度)例如是0.05mm以上，优选的是0.1mm以上，另外，例如是1mm以下，优选的是0.25mm以下。在前后方向投影时左右相邻的排列标记8以及切断标记9之间的间隔例如是0.1mm以上，优选的是0.2mm以上，另外，例如是1mm以下，优选的是0.8mm以下。切断标记9的中心间的间距例如是0.05mm以上，优选的是0.1mm以上，另外，例如是1.0mm以下，优选的是0.8mm以下。

对准标记7的厚度例如是0.5μm以上，优选的是1μm以上，另外，例如是10μm以下，优选的是5μm以下。

对准标记7的全光线透过率例如是40％以下，优选的是20％以下，更优选的是10％以下，另外，例如是0.1％以上。

1－5.第1剥离层以及第2剥离层

如图2所示，元件集合体临时固定片1还具有第1剥离层5以及第2剥离层6。

如参照图4a以及图4b那样，第1剥离层5为了在直到利用元件集合体固定层3将光半导体元件11临时固定为止的期间内保护元件集合体固定层3而以可剥离的方式贴合于元件集合体固定层3的表面。也就是说，第1剥离层5是由树脂形成的挠性膜，在元件集合体临时固定片1的出厂、输送、保管时，该挠性膜以覆盖元件集合体固定层3的表面的方式叠合于元件集合体固定层3的表面，在元件集合体固定层3即将使用之前，该挠性膜能够从元件集合体固定层3的表面以呈大致u字状弯曲的方式剥下来。另外，挠性膜的贴合面根据需要进行了剥离处理。作为挠性膜，可列举出例如聚乙烯膜、聚酯膜(pet等)等聚合物膜等。第1剥离层5的厚度例如是1μm以上，优选的是10μm以上，另外，例如是2000μm以下，优选的是1000μm以下。

第2剥离层6为了在直到利用载体10支承第1压敏粘接层4为止的期间内保护第1压敏粘接层4而以可剥离的方式贴合于第1压敏粘接层4的背面。也就是说，第2剥离层6是由树脂形成的挠性膜，在元件集合体临时固定片1的出厂、输送、保管时，该挠性膜以覆盖第1压敏粘接层4的背面的方式叠合于第1压敏粘接层4的背面，在第1压敏粘接层4即将使用之前，该挠性膜能够从第1压敏粘接层4的背面以呈大致u字状弯曲的方式剥下来。另外，挠性膜的贴合面根据需要进行了剥离处理。作为挠性膜，可列举出例如聚乙烯膜、聚酯膜(pet等)等聚合物膜等。第2剥离层6的厚度例如是1μm以上，优选的是10μm以上，另外，例如是2000μm以下，优选的是1000μm以下。

并且，该元件集合体临时固定片1不具有载体10以及光半导体元件11，依次包括第2剥离层6、第1压敏粘接层4、支承层2、元件集合体固定层3以及第1剥离层5。优选的是，元件集合体临时固定片1仅由第2剥离层6、第1压敏粘接层4、支承层2、元件集合体固定层3以及第1剥离层5构成。

1－6.元件集合体临时固定片的制造方法

接着，说明元件集合体临时固定片1的制造方法。

参照图2，在该方法中，首先准备支承层2，接下来设置对准标记7。

设置对准标记7的方法并没有特别限定，可列举出例如使用光刻法的方法、热转印(参照例如日本特开2000－135871号公报)、压印、凸版印刷、凹版印刷、孔版印刷(丝网印刷)、喷墨印刷(参照例如日本特开2014－10823号公报)等。出于精度良好地配置对准标记7的方面考虑，优选的是，可列举出使用光刻法的方法、丝网印刷，更优选的是，可列举出使用光刻法的方法。另外，出于容易设置对准标记7的方面考虑，可列举热转印、喷墨印刷。

在使用光刻法的方法中，具体而言，如图3a～图3c所示，依次实施准备已设有感光层21的支承层2的工序(1)(参照图3a)、以及利用光刻法由感光层21以显影图案23的形式形成对准标记7的工序(2)(参照图3b以及图3c)。

在工序(1)中，如图3a所示，准备具有支承层2、设置于支承层2的上表面的感光层21的带感光层的支承层22。

感光层21设置于支承层2的整个上表面。感光层21由能够利用光刻法形成显影图案23的感光材料形成。作为感光材料，可列举出例如银盐乳剂。银盐乳剂含有例如银盐。作为银盐，可列举出例如卤化银等无机银盐、例如醋酸银等有机银盐，优选的是，可列举出对光的响应性优异的无机银盐。

感光层21的厚度例如是0.5μm以上，优选的是1μm以上，另外，例如是10μm以下，优选的是5μm以下。

在工序(2)中，如图3b所示，隔着光掩模(未图示)对感光层21照射活性能量射线。具体而言，使用由不锈钢等金属形成的金属掩模对感光层21进行局部地覆盖，之后，对感光层21的从金属掩模暴露的部分照射激光(峰值波长150nm以上、250nm以下)。

由此，可在感光层21形成与对准标记7相同的图案的曝光部分和与对准标记7相反的图案的未曝光部分。

之后，如图3c所示，将感光层21浸泡在显影液中，保留曝光部分而去除未曝光部分(显影)。由此，以显影图案23的形式形成对准标记7。

之后，支承层2之上设置元件集合体固定层3(工序(3)的一个例子)，并且，在支承层2之下设置第1压敏粘接层4。

为了将元件集合体固定层3以及第1压敏粘接层4分别设置于支承层2，首先，分别准备元件集合体固定层3以及第1压敏粘接层4。

将元件集合体固定层3设置于例如第1剥离层5的表面。

将第1压敏粘接层4例如设置于第2剥离层6的表面。

接下来，将元件集合体固定层3配置于支承层2的上表面。此时，以埋设对准标记7的方式将元件集合体固定层3配置于支承层2的上表面。

另外，将第1压敏粘接层4配置于支承层2的下表面。

由此，获得了包括支承层2、分别配置于支承层2的上下的元件集合体固定层3以及第1压敏粘接层4、分别配置于元件集合体固定层3以及第1压敏粘接层4的第1剥离层5以及第2剥离层6的元件集合体临时固定片1。

元件集合体临时固定片1的厚度例如是15μm以上，优选的是40μm以上，另外，例如是550μm以下，优选的是260μm以下。

另外，该元件集合体临时固定片1具有挠性。

1－7.元件集合体临时固定片的使用方法

接着，说明元件集合体临时固定片1的使用方法。

如图4a所示，首先，将载体10配置于第1压敏粘接层4的下表面。

具体而言，首先，将图2的以假想线所示的第2剥离层6从第1压敏粘接层4剥离，之后，如图4a所示，使载体10与第1压敏粘接层4的下表面直接接触。由此，使载体10与第1压敏粘接层4压敏粘接。

载体10是用于从下方支承元件集合体临时固定片1的支承板。载体10形成为沿着前后方向以及左右方向延伸的大致平板状。载体10在俯视时具有与元件集合体临时固定片1的形状相同的形状。载体10的厚度例如是100μm以上，优选的是350μm以上，另外，例如是1000μm以下，优选的是600μm以下。载体10由硬质材料形成。作为硬质材料，可列举出例如玻璃等透明材料、例如陶瓷、不锈钢等不透明材料。硬质材料的维氏硬度例如是0.5gpa以上，优选的是1pa以上，更优选的是1.2gpa以上，另外，例如是10gpa以下。只要载体10由硬质材料形成，具体而言，只要硬质材料的维氏硬度是上述的下限以上，就能够切实地支承元件集合体临时固定片1。

由此，可获得依次具有载体10和元件集合体临时固定片1的临时固定构件30。另外，临时固定构件30具有被设置于元件集合体临时固定片1的支承层2的对准标记7。

接下来，如图4a的假想线箭头所示，在将第1剥离层5从元件集合体固定层3的上表面剥离之后，如图4b所示，将多个光半导体元件11临时固定于元件集合体固定层3的上表面。此时，以排列标记8为基准，将多个光半导体元件11排列配置(排列)于元件集合体固定层3的上表面。另外，将多个光半导体元件11设置于元件集合体固定层3中的元件集合体形成区域17。

具体而言，一边视觉确认排列标记8来进行多个光半导体元件11的左右方向以及前后方向上的定位、一边使多个光半导体元件11与元件集合体固定层3的上表面直接接触。

为了视觉确认排列标记8，利用设置于临时固定构件30的上方的照相机等从排列标记8的上方视觉确认排列标记8。此时，元件集合体固定层3是透明的，因此，能够从元件集合体固定层3的上方视觉确认排列标记8。

此外，光半导体元件11具有上表面、沿着厚度方向与上表面相对配置的下表面、将上表面以及下表面连接起来的周侧面。在下表面上形成有电极。

在排列标记8的上表面对多个光半导体元件11进行排列配置，从而构成元件集合体16。

相邻的光半导体元件11的之间的间隔(前后方向和/或左右方向上的间隔)例如是0.05mm以上，优选的是0.1mm以上，另外，例如是1.0mm以下，优选的是0.8mm以下。此外，多个光半导体元件11各自的厚度(高度)例如是0.1μm以上，优选的是0.2μm以上，另外，例如是500μm以下，优选的是200μm以下。多个光半导体元件11各自的左右方向长度和/或前后方向长度例如是0.05mm以上，优选的是0.1mm以上，另外，例如是1.0mm以下，优选的是0.8mm以下。

接下来，如图4c的实线以及图1的单点划线所示，利用密封层12密封元件集合体16。

例如由半固态或固态的密封组成物形成的密封片密封元件集合体16。或者通过灌注液体状的密封组成物来密封元件集合体16。密封组成物含有有机硅树脂、环氧树脂等透明树脂。密封组成物也能够根据需要以适当的比例含有填充材料、荧光体、光反射性粒子等粒子。

密封层12对多个光半导体元件11各自的上表面以及侧面、元件集合体固定层3的分别从多个光半导体元件11暴露的上表面进行覆盖。密封层12以使元件集合体固定层3的上表面的处于标记形成区域18的部分暴露的方式设置于元件集合体固定层3的上表面的处于元件集合体形成区域17的部分。

由此，可获得包括多个光半导体元件11(元件集合体16)和1个密封层12的密封元件集合体19。也就是说，密封元件集合体19以临时固定于元件集合体临时固定片1的状态制得。

密封层12的厚度例如是40μm以上，优选的是50μm以上，另外，例如是500μm以下，优选的是300μm以下。

如图1的双点划线以及图4d的单点划线所示，接下来，以将光半导体元件11单片化的方式将密封层12切断。也就是说，密封元件集合体19被单片化。

为了切断密封层12，可使用例如具有切刀的切断装置、例如具有激光照射源的切断装置。

作为具有切刀的切断装置，可列举出例如具有圆盘状的切割锯(切割刀片)的切割装置、例如具有刀具的裁切装置。

优选的是使用具有切刀的切断装置、更优选的是使用裁切装置。

在利用上述的切断装置进行的密封层12的切断中，以对准标记7的切断标记9为基准切断密封层12。另外，利用与用于排列标记8的视觉确认的照相机相同的照相机一边从上方视觉确认对准标记7的切断标记9、一边切断密封层12。

切断后的密封层12的前后方向长度和/或左右方向长度例如是20mm以上，优选的是40mm以上，另外，例如是150mm以下，优选的是100mm以下。

由此，可制得多个具有1个光半导体元件11和1个密封层12的密封光半导体元件13，该多个密封光半导体元件13处于临时固定于元件集合体固定层3(临时固定构件30)的状态。

接下来，如图4d的箭头所示，将多个密封光半导体元件13分别从元件集合体固定层3剥离。

接下来，在将多个密封光半导体元件13剥离了的临时固定构件30中，将载体10从第1压敏粘接层4剥离，对载体10进行再利用。另一方面，将元件集合体临时固定片1(支承层2、元件集合体固定层3以及第1压敏粘接层4)废弃。也就是说，元件集合体临时固定片1是一次性的。

之后，如图4e所示，将密封光半导体元件13倒装芯片安装于基板14。

基板14具有沿着前后方向以及左右方向延伸的平板形状。在基板14的上表面形成有可与光半导体元件11的电极电连接的端子。

由此，可获得具有密封光半导体元件13和基板14的光半导体装置15。

2.第1实施方式的作用效果

并且，在该元件集合体临时固定片1中，在由合成树脂形成的支承层2上设置有对准标记7，因此，对准标记7可容易地形成于支承层2。

然而，在日本特开2014－168036号公报中，在硬质的支承板设置标记，因此，无法对那样的支承板进行再利用。但是，在该元件集合体临时固定片1中，不是在载体10而是另外在设置于元件集合体临时固定片1的支承层2上设置对准标记7，因此，能够将比较低廉的包含支承层2的元件集合体临时固定片1废弃，而能够对载体10进行再利用。因此，能够抑制密封光半导体元件13的制造成本，进而能够抑制光半导体装置15的制造成本。

根据该元件集合体临时固定片1，只要对准标记7由碳材料形成，就能够提高对准标记7的可视性。

根据该元件集合体临时固定片1，只要碳材料是碳黑，就能够提高对准标记7的可视性。

根据该元件集合体临时固定片1，只要对准标记7是利用从由热转印和喷墨印刷构成的组选择的至少1个方法设置的图案，就能够容易地设置对准标记7。

另外，根据该元件集合体临时固定片1，能够隔着透明的元件集合体固定层3切实地视觉确认不透明的对准标记7。因此，如图4b所示，能够以排列标记8为基准切实地临时固定元件集合体16，或者，还如图4d的单点划线所示，能够以切断标记9为基准切实地切断密封层12。

另外，根据该元件集合体临时固定片1，如图3b以及图3c所示，只要对准标记7是显影图案23，就能够容易地设置对准标记7。

根据该元件集合体临时固定片1，只要对准标记7由银形成，就能够提高对准标记7的可视性。

另外，该元件集合体临时固定片1的元件集合体固定层的厚度小于100μm时，其厚度较薄，因此元件集合体固定层3的处理性优异。

根据该元件集合体临时固定片1的制造方法，能够简便地设置对准标记7。

3.第1实施方式的变形例

在第1实施方式中，如图1所示，排列标记8具有大致圆形状，切断标记9具有大致直线形状。不过，对准标记7各自的形状并没有特别限定。

另外，首先，将元件集合体固定层3形成于第1剥离层5(参照图2的假想线)的表面之后，将元件集合体固定层3从第1剥离层5转印于支承层2，但也能够例如将元件集合体固定层3直接形成于支承层2的上表面。

另外，首先，将第1压敏粘接层4形成于第2剥离层6(参照图2的假想线)的表面之后，将第1压敏粘接层4从第2剥离层6转印于支承层2，也能够例如将第1压敏粘接层4直接形成于支承层2的下表面。

另外，在第1实施方式中，如图2所示，对准标记7设置于支承层2的上表面。

在变形例中，如图5所示，对准标记7设置于支承层2的下表面。

将对准标记7埋设于第1压敏粘接层4。

在参照图4b将多个光半导体元件11排列于元件集合体固定层3时，或者参照图4d切断密封层12时，利用被配置于临时固定构件30的上方的照相机隔着元件集合体固定层3以及支承层2对排列标记8或者切断标记9进行视觉确认。

并且，虽未图示，但也能够将对准标记7设置于支承层2的上下两面。

优选的是，将对准标记7仅设置于支承层2的一个面，也就是说，仅设置于上表面或者仅设置于下表面。若将对准标记7仅设置于支承层2的一个面，与将对准标记7设置于支承层2的上下两面的图5的情况相比，能够简易地形成对准标记7，能够相应地降低制造成本。

更优选的是，如第1实施方式的图2所示，对准标记7设置于支承层2的上表面。采用该结构，与对准标记7设置于支承层2的下表面的图5的情况相比，能够从上方更切实地视觉确认对准标记7。

另外，虽未图示，但也能够将对准标记7设置为使支承层2凹陷到厚度方向中途的凹部。

而且，在第1实施方式的使用方法中，如图4d的单点划线所示，切断密封层12，将密封元件集合体19单片化。

而在变形例中，如图6a所示，不切断密封层12就使密封元件集合体19从元件集合体固定层3剥离，之后，如图6b所示，将密封元件集合体19倒装芯片安装于基板14。

在该变形例中，不切断密封层12，因此，虽未图示，但对准标记7也可以不具有切断标记9而仅由排列标记8构成。

4.第2实施方式

在第2实施方式中，对于与第1实施方式相同的构件以及工序，标注相同的参照附图标记，省略其详细的说明。

在第1实施方式中，如图2以及图4a所示，在元件集合体临时固定片1(具体而言是支承层2)设置对准标记7.

在第2实施方式中，如图8a所示，将对准标记7形成为贯通元件集合体临时固定片1的贯通孔26。

贯通孔26沿着厚度方向贯通元件集合体固定层3、支承层2和第1压敏粘接层4。

在第2实施方式中，载体10是无色的，元件集合体固定层3、支承层2和第1压敏粘接层4中的至少一层是有色的，有色的至少一层例如以适当的比例具有染料、颜料等有色成分。

载体10的全光线透过率分别是例如80％以上，优选是90％以上，更优选是95％以下，另外，例如是99.9％以下。

有色的上述至少一层的全光线透过率是例如80％以下，优选是65％以下，更优选是50％以下。

上述至少一层是有色的，因此，贯通孔26在俯视中视觉确认成无色。也就是说，可利用有色的上述至少一层与无色的贯通孔26之间的对比如图7所示明确地视觉确认贯通孔26。

为了制造该元件集合体临时固定片1，如参照图2那样，准备依次具有第2剥离层6、第1压敏粘接层4、支承层2、元件集合体固定层3和第1剥离层5的元件集合体临时固定片1。

接下来，形成沿着厚度方向将第2剥离层6、第1压敏粘接层4、支承层2、元件集合体固定层3和第1剥离层5一起贯通的贯通孔26。

贯通孔26利用例如切削、冲裁、激光加工等形成。优选利用激光加工形成贯通孔26。作为激光加工，可列举出例如准分子激光、yag激光、co2激光等，出于以卷对卷连续地制造元件集合体临时固定片1的观点以及在大范围的区域形成贯通孔26的观点，优选可列举出yag激光。

在该元件集合体临时固定片1的使用方法中，将第2剥离层6从第1压敏粘接层4剥离，之后，如图8a所示，使载体10与第1压敏粘接层4的下表面直接接触。接下来，将第1剥离层5从元件集合体固定层3的上表面剥离。

之后，如图8b所示，以排列标记8为基准而将多个光半导体元件11排列配置(排列)于元件集合体固定层3的上表面。

此时，一边视觉确认排列标记8且进行多个光半导体元件11的左右方向和前后方向上的定位，一边使多个光半导体元件11与元件集合体固定层3的上表面直接接触。

具体而言，视觉确认排列标记8(贯通孔26)为无色。可利用与有色的上述至少一层之间的对比明确地视觉确认排列标记8(贯通孔26)(参照图7)。

另外，如图8d所示，在将密封层12切断之际，以切断标记9为基准。具体而言，利用与上述的排列标记8(贯通孔26)的视觉确认同样的方法视觉确认切断标记9(贯通孔26)(参照图7)。

5、第2实施方式的作用效果

根据第2实施方式，能够起到与第1实施方式相同的作用效果。

尤其是，根据该方法，能够将对准标记7简便地设为贯通孔26。

6、第2实施方式的变形例

在上述说明中，如图8a所示，形成有沿着厚度方向将元件集合体固定层3、支承层2、以及第1压敏粘接层4一起贯通的贯通孔26。不过，虽未图示，也能够形成不贯通第1压敏粘接层4而贯通元件集合体固定层3以及支承层2的贯通孔26。在该情况下，第1压敏粘接层4是无色的，集合体固定层3以及支承层2中的至少一层是有色的。

采用该变形例，也能够起到与第2实施方式同样的作用效果。

6、第3实施方式

在第3实施方式中，对于与第1实施方式以及第2实施方式相同的构件以及工序，标注相同的参照附图标记，省略其详细的说明。

6－1.元件集合体临时固定片

如图9所示，第3实施方式的元件集合体临时固定片1不具有第1压敏粘接层4(参照图2)而具有支承层2和元件集合体固定层3。另外，元件集合体临时固定片1还能够进一步具有第1剥离层5。优选的是，元件集合体临时固定片1仅由支承层2以及元件集合体固定层3构成，另外，根据需要，优选的是，仅由支承层2、元件集合体固定层3以及第1剥离层5构成。

为了制造元件集合体临时固定片1，首先准备支承层2，接下来利用上述的方法(图3a～图3c的方法)将对准标记7设置于支承层2。之后，将元件集合体固定层3设置于支承层2的整个上表面。

6－2.元件集合体临时固定片的使用方法

接着，说明元件集合体临时固定片1的使用方法。

如图10a所示，首先将第1剥离层5(参照图13)从元件集合体固定层3剥离，接下来，将载体10配置于元件集合体固定层3的上表面。

载体10由玻璃等透明材料形成。

由此，可获得依次包括支承层2、元件集合体固定层3以及载体10的临时固定构件30。优选的是，临时固定构件30仅由支承层2、元件集合体固定层3以及载体10构成。

接下来，将第2压敏粘接层25配置于载体10的上表面。

第2压敏粘接层25具有平板形状，具有预定的厚度，沿着左右方向以及前后方向延伸，具有平坦的表面以及平坦的背面。第2压敏粘接层25具有压敏粘接性(粘合性)。第2压敏粘接层25具有与图2所示的上述的元件集合体临时固定片1(支承层2、元件集合体固定层3、第1压敏粘接层4)同样的层结构。另外，第2压敏粘接层25也能够由日本特开2014－168036号公报所记载的粘合层构成。此外，第2压敏粘接层25具有在俯视时比元件集合体临时固定片1的尺寸小的尺寸，具体而言，第2压敏粘接层25以在厚度方向投影时不与对准标记7重叠的方式配置。具体而言，第2压敏粘接层25配置于载体10的元件集合体形成区域17。第2压敏粘接层25的厚度例如是30μm以上，优选的是50μm以上，另外，例如是500μm以下，优选的是300μm以下。

如图10b所示，接下来，将多个光半导体元件11压敏粘接于第2压敏粘接层25的上表面。

此时，一边从临时固定构件30的上方视觉确认对准标记7的排列标记8、一边以排列标记8为基准而将多个光半导体元件11排列配置(排列)于第2压敏粘接层25的上表面。隔着透明的载体10以及元件集合体固定层3视觉确认排列标记8。

由此，可制得具有1个第2压敏粘接层25和多个光半导体元件11的元件集合体16，该元件集合体16为支承于载体10的状态。也就是说，元件集合体16被支承于载体10。也就是说，元件集合体16借助载体10被临时固定于元件集合体临时固定片1(元件集合体固定层3)。

如图10c所示，接下来，利用密封层12密封元件集合体16中的多个光半导体元件11。

密封层12对多个光半导体元件11各自的上表面以及侧面、第2压敏粘接层25的上表面的从多个光半导体元件11分别暴露的部分进行覆盖。另一方面，密封层12未形成于载体10的上表面。

由此，可获得包括元件集合体16、覆盖元件集合体16的密封层12的密封元件集合体19。密封元件集合体19依次包括1个第2压敏粘接层25、多个光半导体元件11和1个密封层12。优选的是，密封元件集合体19仅由1个第2压敏粘接层25、多个光半导体元件11和1个密封层12构成。

如图10d的单点划线所示，接下来切断密封层12。

由此，可制得多个具有1个光半导体元件11和1个密封层12的密封光半导体元件13，该密封光半导体元件13为临时固定于第2压敏粘接层25的状态。

如图10e的箭头所示，将密封元件集合体19从载体10的上表面剥离。接下来，将多个密封光半导体元件13分别从第2压敏粘接层25剥离。

在临时固定构件30中，将载体10从元件集合体固定层3的上表面剥离，对载体10进行再利用。另一方面，将元件集合体临时固定片1(支承层2以及元件集合体固定层3)废弃。也就是说，元件集合体临时固定片1是一次性的。

如图10f所示，之后，将密封光半导体元件13倒装芯片安装于基板14而获得光半导体装置15。

7.第3实施方式的作用效果

根据第3实施方式，也能够起到与第1实施方式以及第2实施方式同样的作用效果。

另外，如图9所示，该元件集合体临时固定片1不具有第1压敏粘接层4(参照图2)，因此，与具有第1压敏粘接层4的第1实施方式的元件集合体临时固定片1相比，能够使层结构简单。

8.第3实施方式的变形例

在第3实施方式中，如图9所示，对准标记7设置于支承层2的上表面。

在变形例中，如图11所示，对准标记7设置于支承层2的下表面。

对准标记7朝向下方暴露。

在参照图10b将多个光半导体元件11排列于第2压敏粘接层25时，或者在参照图10d切断密封层12时，利用被配置于临时固定构件30的上方的照相机隔着载体10、元件集合体固定层3以及支承层2对排列标记8或者切断标记9进行视觉确认。

并且，虽未图示，但也能够将对准标记7设置于支承层2的上下两面。

优选的是，将对准标记7仅设置于支承层2的一个面，也就是说，仅设置于上表面或者仅设置于下表面。若将对准标记7仅设置于支承层2的一个面，则与将对准标记7设置于支承层2的上下两面的情况相比，能够简易地形成对准标记7，能够相应地降低制造成本。

更优选的是，如第3实施方式的图9所示，对准标记7设置于支承层2的上表面。采用该结构，与对准标记7设置于支承层2的下表面的图11的情况相比，能够从上方更切实地视觉确认对准标记7。

虽未图示，但也能够将对准标记7设置为使支承层2凹陷到厚度方向中途的凹部。

而且，在第2实施方式的使用方法中，如图10d的单点划线所示，切断密封层12。

但是，在变形例中，如图12a所示，不切断密封层12就将第2压敏粘接层25从载体10的上表面剥离。

接下来，如图12b所示，将密封元件集合体19从多个光半导体元件11各自的下表面、以及密封层12的下表面剥离。

之后，如图12c所示，将多个光半导体元件11倒装芯片安装于基板14。

在该变形例中，如图12a所示，不切断密封层12，因此，虽未图示，但对准标记7也可以不具有切断标记9而仅由排列标记8构成。

9.第4实施方式

在第4实施方式中，对于与第1实施方式～第3实施方式相同的构件以及工序，标注相同的参照附图标记，省略其详细的说明

如图13a所示，也能够将对准标记7设置为沿着厚度方向贯通元件集合体临时固定片1的贯通孔26。

贯通孔26沿着厚度方向贯通支承层2和元件集合体固定层3。

该变形例中，如参照图7那样，可利用与支承层2和元件集合体固定层3之间的对比明确地视觉确认贯通孔26。

在该元件集合体临时固定片1的使用方法中，将载体10配置于元件集合体固定层3的上表面。

如图13a所示，接下来，将第2压敏粘接层25配置于载体10的上表面。

如图13b所示，接下来，将多个光半导体元件11压敏粘接于第2压敏粘接层25的上表面。

此时，一边从临时固定构件30的上方视觉确认对准标记7的排列标记8，一边以排列标记8为基准而将多个光半导体元件11排列配置(排列)于第2压敏粘接层25的上表面。

此时，从上方隔着该载体10将排列标记8视觉确认为有色的元件集合体固定层3和支承层2中的贯通孔26。可利用与上述至少一层之间的对比明确地视觉确认排列标记8(贯通孔26)(参照图6)。

如图13d的单点划线所示，接下来，以对准标记7的切断标记9为基准而将密封层12切断。

并且，根据该第4实施方式，也能够起到与第3实施方式相同的作用效果。

实施例

在以下的记载中所使用的配合比例(含有比例)、物性值、参数等的具体的数值能够替代为上述的“具体实施方式”中所记载的、与它们相对应的配合比例(含有比例)、物性值、参数等该记载的上限值(被定义为“以下”、“小于”的数值)或下限值(被定义为“以上”、“超过”的数值)。

实施例1(与第1实施方式相对应的实施例)

1.元件集合体临时固定片的制造

参照图3a，首先，准备包括由pet形成的厚度175μm的支承层2、设置于该支承层2的上表面且由含有卤化银的银盐乳剂形成的厚度3μm的感光层21的带感光层的支承层22(工序(1))。带感光层的支承层22的前后方向长度是600mm，左右方向长度是500mm。

支承层2的全光线透过率是95％。支承层2的线膨胀系数是70×10^-6k^-1。支承层2的25℃时的拉伸弹性模量e是60mpa。

元件集合体固定层3的全光线透过率是95％。元件集合体固定层3的线膨胀系数是220×10^-6k^-1。

接下来，如图3b所示，使用由不锈钢形成的金属掩模来局部地覆盖感光层21，之后，对感光层21的从金属掩模暴露的部分照射峰值波长是193nm的激光。由此，以曝光图案的形式形成排列标记8和切断标记9。

之后，通过将带感光层的支承层22浸泡在显影液中，保留曝光部分而去除未曝光部分(进行了显影)。由此，如图3c以及图1所示，以显影图案23的形式形成具有圆形状的排列标记8和直线形状的切断标记9的对准标记7。

排列标记8的直径是0.5mm，相邻的排列标记8之间的间隔是1.14mm，相邻的排列标记8的间距是1.64mm。切断标记9的左右方向长度是0.5mm，前后方向长度是0.2mm。相邻的切断标记9之间的间隔是1.62mm，相邻的切断标记9的间距是1.64mm。

对准标记7是不透明的，具体而言，全光线透过率是10％。

另外，在第1剥离层5的表面设置由有机硅系粘接剂形成的厚度25μm的元件集合体固定层3，而在第2剥离层6的表面设置由有机硅系粘接剂形成的厚度15μm的第1压敏粘接层4。

接下来，将元件集合体固定层3以包含对准标记7的方式配置于支承层2的上表面，同时将第1压敏粘接层4配置于支承层2的下表面。

由此，如图2所示，获得依次包括第2剥离层6、第1压敏粘接层4、支承层2、元件集合体固定层3以及第1剥离层5的元件集合体临时固定片1。

2.元件集合体临时固定片的使用(密封光半导体元件以及光半导体装置的制造)

之后，使用元件集合体临时固定片1来制造密封光半导体元件13，接下来制造光半导体装置15。

即，将第2剥离层6从第1压敏粘接层4剥离，之后如图4a所示，在第1压敏粘接层4的下表面配置由玻璃形成的厚度700μm的载体10。

如图4的假想线箭头所示，将第1剥离层5从元件集合体固定层3的上表面剥离，之后如图4b所示，以排列标记8为基准将多个光半导体元件11排列配置于元件集合体固定层3。此时，照相机从上方视觉确认排列标记8。

光半导体元件11的厚度是150μm，光半导体元件11的左右方向长度以及前后方向长度是1.14mm，相邻的光半导体元件11的之间的间隔是0.5mm以上。

如图4c所示，接下来，利用密封层12密封元件集合体16。密封层12由含有100质量份的有机硅树脂以及15质量份的荧光体的密封组成物形成。密封层12的厚度是400μm。由此，获得包括多个光半导体元件11和1个密封层12的密封元件集合体19。

如图1以及图4d的单点划线所示，接下来，以切断标记9为基准，用切割锯切断密封层12，将密封元件集合体19单片化。此时，照相机从上方视觉确认切断标记9。切断后的密封层12的左右方向长度以及前后方向长度分别是100mm。

由此，制得包括光半导体元件11和密封层12的密封光半导体元件13，该密封光半导体元件13为临时固定于临时固定构件30的状态。

接下来，如图4d的箭头所示，将多个密封光半导体元件13分别从元件集合体固定层3剥离下来。

之后，如图4e所示，将密封光半导体元件13倒装芯片安装于基板14。

实施例2(与第1实施方式相对应的实施例)

除了利用含有碳黑的涂布液的喷墨印刷和干燥形成了对准标记7以外，与实施例1同样地进行处理而获得元件集合体临时固定片1，接下来，使用元件集合体临时固定片1而制造密封光半导体元件13，继续制造了光半导体装置15。

实施例3(与第2实施方式的变形例相对应的实施例)

准备了包括由聚酰亚胺形成的厚度25μm的支承层2、由有机硅系压敏粘接剂形成的厚度6μm的元件集合体固定层3、以及由聚酯形成的厚度50μm的第1剥离层5的层叠体(商品名“trm－6250－l”、日东电工株式会社制)。

支承层2的全光线透过率是95％。支承层2的线膨胀系数是70×10^－6k^－1。支承层2的25℃时的拉伸模量e是60mpa。

元件集合体固定层3的全光线透过率是95％。元件集合体固定层3的线膨胀系数是220×10^－6k^－1。

接下来，利用yag激光，以与实施例1同样的图案形成了贯通孔26。yag激光的条件如下所述。

yag激光：model5330(株式会社esi制)

射束直径：5μm

激光功率：2.5w

脉冲的重复频率：30khz

扫描速度＝150mm/秒

之后，在支承层2的下表面载置了由有机硅系粘合剂形成的厚度15μm的第1压敏粘接层4和第2剥离层6。由此，获得了元件集合体临时固定片1。

之后，与实施例1同样地使用元件集合体临时固定片1而制造密封光半导体元件13(参照图8a～8d)，继续制造了光半导体装置15(参照图8e)。

实施例4(与第3实施方式相对应的实施例)

1.元件集合体临时固定片的制造

除了不具有第2剥离层6以及第1压敏粘接层4以外，与实施例1同样地进行处理而获得元件集合体临时固定片1。

也就是说，如图9所示，该元件集合体临时固定片1依次包括支承层2、元件集合体固定层3以及第1剥离层5。元件集合体临时固定片1的厚度是100μm。

2.元件集合体临时固定片的使用(密封光半导体元件以及光半导体装置的制造)

之后，使用元件集合体临时固定片1来制造密封光半导体元件13，接下来制造光半导体装置15。

即、首先将第1剥离层5从元件集合体固定层3剥离，接下来如图10a所示，在元件集合体固定层3的上表面配置由玻璃形成的厚度700μm的载体10。另外，将由元件集合体临时固定片1形成的厚度90μm的第2压敏粘接层25配置到载体10的上表面，该元件集合体临时固定片1由支承层2、元件集合体固定层3和第1压敏粘接层4形成。

如图10b所示，接下来，以排列标记8为基准将多个光半导体元件11排列配置到第2压敏粘接层25的上表面。此时，照相机从上方视觉确认排列标记8。光半导体元件11的尺寸以及相邻的光半导体元件11之间的尺寸与实施例1是同样的。

由此，获得包括第2压敏粘接层25和多个光半导体元件11的元件集合体16，该元件集合体16为借助载体10支承于元件集合体临时固定片1的状态。

如图10c所示，接下来，利用密封层12密封元件集合体16中的多个光半导体元件11。密封层12由含有100质量份的有机硅树脂以及15质量份的荧光体的密封组成物形成。密封层12的厚度是400μm。

由此，获得包括元件集合体16和覆盖多个光半导体元件11的密封层12的密封元件集合体19。

如图10d的单点划线所示，接下来，以切断标记9为基准用切割锯切断密封层12。此时，照相机从上方对切断标记9进行视觉确认。切断后的密封层12的左右方向长度以及前后方向长度均为1.62mm。

之后，如图10e的箭头那样，将密封元件集合体19从载体10的上表面剥离下来。接下来，将多个密封光半导体元件13分别从第2压敏粘接层25剥离下来。

之后，如图10f所示，将密封光半导体元件13倒装芯片安装于基板14而获得光半导体装置15。

实施例5(与第3实施方式相对应的实施例)

除了利用含有碳黑的涂布液的喷墨印刷和干燥形成了对准标记7以外，与实施例4同样地进行处理而获得元件集合体临时固定片1，接下来，使用元件集合体临时固定片1制造密封光半导体元件13，继续制造了光半导体装置15。

实施例6(与第4实施方式相对应的实施例)

除了不具有第2剥离层6和第1压敏粘接层4以外，与实施例3同样地进行处理而获得了元件集合体临时固定片1(参照图13a)。接下来，制造密封光半导体元件13(参照图13a～13e)，继续制造了光半导体装置15(参照图13f)。

此外，作为本发明的例示的实施方式提供了上述说明，但这只不过是例示，并不能进行限定性的解释。对于本领域技术人员显而易见的本发明的变形例包含在权利要求书中。