显示设备的制作方法

描述的技术总体上涉及一种显示设备。

背景技术：

显示设备的示例类型包括液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)、有机发光二极管(OLED)显示器、场效应显示器(FED)和电泳显示设备等。

具体地，显示器中的每个像素的OLED包括两个电极和插入的有机发射层，当从一个电极注入的电子和从另一电极注入的空穴在有机发射层中彼此结合以形成激子并且激子释放能量时，OLED发光。

因为OLED显示器的特征在于自发光并且不需要单独的光源，所以与LCD不同，可以减小OLED显示器的厚度和重量。此外，因为OLED技术具有诸如低功耗、高亮度和高响应速度的期望的特性，所以将OLED显示器视为下一代显示技术。

技术实现要素：

一个发明方面涉及一种可以防止设置在基底的外围区域中的布线腐蚀的显示设备。

另一方面是一种显示设备，所述显示设备包括：基底，包括显示图像的显示区域和与显示区域相邻的外围区域；多条信号线，设置在显示区域中；包封层，设置在多条信号线上；焊盘部分，设置在外围区域中；多条连接布线，连接信号线和焊盘部分，其中，设置在显示区域上的包封层延伸从而设置在多条连接布线上。

折叠区域可以设置在基底的外围区域中，延伸的包封层可以与折叠区域叠置。

保护膜可以设置在基底下方。

保护膜可以不设置在基底的折叠区域的下部。

基底可以在折叠区域中弯曲，支撑板可以设置在折叠的基底的端部之间从而彼此面对。

粘合剂层可以设置在基底与支撑板之间。

包封层可以由多个层形成。

包封层可以通过一个接一个地交替层叠无机层和有机层来形成。

包封层的无机层可以延伸从而设置在多条连接布线上。

设置在多条连接布线上的无机层可以由均具有不同密度的至少两个或更多个层形成。

设置在多条连接布线上的无机层可以包括：一对第一无机层，具有第一密度；第二无机层，设置在所述一对第一无机层之间并具有第二密度。

无机层可以由氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种制成。

包封层可以包括：无机层和有机层，一个接一个地交替层叠；金属氧化物层，设置在无机层和有机层之间，作为包封层的最顶层或作为包封层的最底层。

金属氧化物层可以延伸从而设置在多条连接布线上。

金属氧化物层可以由氧化铝、ITO、氧化锌和氧化钛中的至少一种制成。

包封层可以包括：无机层和有机层，一个接一个地交替层叠；六甲基二硅氧烷(HMDSO)层，设置在无机层与有机层之间，作为包封层的最顶层或作为包封层的最底层。

HMDSO层可以延伸从而设置在多条连接布线上。

显示设备还可以包括结合到焊盘部分的膜上芯片。

另一方面是一种显示设备，所述显示设备包括：基底，包括被构造为显示图像的显示区域和围绕显示区域的外围区域；多条信号线，设置在显示区域中；包封层，设置在信号线之上；焊盘部分，设置在外围区域中；多条连接布线，连接信号线和焊盘部分，其中，连接布线中的每条包括设置在外围区域的第一部分和设置在显示区域中的第二部分，其中，包封层设置在显示区域上的部分延伸到外围区域并置于连接布线的第一部分之上。

在以上显示设备中，外围区域包括折叠区域，其中，包封层的延伸部分在显示设备的深度维度上与折叠区域叠置。以上显示设备还包括设置在基底下方的保护膜。在以上显示设备中，保护膜不设置在基底的折叠区域的下部。在以上显示设备中，基底的端部被构造为折叠并彼此面对，其中，显示设备还包括设置在基底的端部之间的支撑板。以上显示设备还包括设置在基底与支撑板之间的粘合剂层。在以上显示设备中，包封层包括多个层。在以上显示设备中，所述层包括交替形成的多个无机层和多个有机层。

在以上显示设备中，无机层中的至少一个延伸到外围区域以便设置在连接布线之上。在以上显示设备中，无机层具有不同的密度。在以上显示设备中，无机层包括：一对第一无机层，具有第一密度；第二无机层，设置在一对第一无机层之间并具有第二密度。在以上显示设备中，无机层中的每个由氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种制成。在以上显示设备中，包封层包括：多个无机层和多个有机层，交替形成；金属氧化物层，设置在无机层和有机层之间，作为包封层的最顶层或作为包封层的最底层。

在以上显示设备中，金属氧化物层延伸到外围区域以便设置在连接布线之上。在以上显示设备中，金属氧化物层由氧化铝、ITO、氧化锌和氧化钛中的至少一种制成。在以上显示设备中，包封层包括：多个无机层和多个有机层，交替形成；六甲基二硅氧烷(HMDSO)层，设置在无机层与有机层之间，作为包封层的最顶层或作为包封层的最底层。在以上显示设备中，HMDSO层延伸到外围区域以便设置在连接布线之上。以上显示设备还包括结合到焊盘部分的膜上芯片。

另一方面是显示设备，所述显示设备包括：基底，包括被构造为显示图像的显示区域和围绕显示区域的外围区域；多条信号线，设置在显示区域中；包封层，设置在信号线之上；焊盘部分，设置在外围区域中；多条连接布线，连接信号线和焊盘部分，其中，连接布线中的每条包括设置在外围区域的第一部分和设置在显示区域中的第二部分，其中，包封层设置在连接布线的第一部分和第二部分之上。

在以上显示设备中，包封层包括底层、顶层和插入顶层和底层之间的中间层，其中，底层比顶层接近基底，其中，顶层和底层中的一个设置在显示区域和外围区域两者中，其中，中间层与顶层和底层中的另一个仅设置在显示区域中。

根据公开的实施例中的至少一个，可以防止由于来自用户的手的湿气或盐水导致的设置在基底的外围区域中的布线腐蚀。

附图说明

图1是根据示例性实施例的显示设备的俯视平面图。

图2是沿线II-II截取的图1的剖视图。

图3示出处于弯曲状态的图2的基底。

图4是图1的单个像素的扩大的剖视图。

图5是根据另一示例性实施例的显示设备的剖视图。

图6示出处于弯曲状态的图5的基底。

图7是根据本示例性实施例的包封层的剖视图。

图8示出本示例性实施例的包封层的第一示例性变型。

图9示出本示例性实施例的包封层的第二示例性变型。

具体实施方式

在OLED显示器中，基底的附着有膜上芯片等的一侧处于弯曲状态。该弯曲区域设置在显示设备的边缘并与用户的手接触。在这种情况下，用户的手上的湿气和汗水可以渗透到显示设备中，从而导致弯曲区域中的布线腐蚀。

将在下文中参照附图更充分地描述实施例。如本领域的技术人员了解的，在都不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式修改描述的实施例。将附图和描述视为实质上是描述性的而不是限制性的。贯穿说明书，相同的附图标记表示相同的元件。

另外，为了更好地理解和易于描述，任意示出了在附图中示出的每个构件的尺寸和厚度，但本发明不限于此。

在附图中，为了清楚，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中，为了更好地理解和便于描述，夸大了一些层和区域的厚度。将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称作“在”另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上或也可以存在中间元件。

在本公开中，术语“基本上”包括完全地、几乎完全地或在一些应用以及根据本领域技术人员的任何有意义的程度。此外，“形成、设置在……之上、布置在……之上”也可以意为“形成、设置或布置在……上”。术语“连接”包括电连接。

图1是根据示例性实施例的显示设备100的俯视平面图，图2是沿线II-II截取的图1的剖视图，图3示出处于弯曲状态的图2的基底。

参照图1至图3，显示设备100包括基底211、多条连接布线213、包封层400和焊盘部分PAD。

在一些实施例中，包封层400设置在显示区域DA中的部分延伸到外围区域PA，延伸的包封层400覆盖形成在外围区域PA中的连接布线213。延伸的包封层400防止设置在其下方的连接布线213腐蚀。

参照图1和图2，将基底211分为被构造为显示图像的显示区域DA和与显示区域DA相邻或包围显示区域DA的外围区域PA。显示区域DA包括多个发光的像素P。外围区域PA包括被构造为驱动像素P的多条连接布线213、焊盘部分PAD和膜上芯片300。

连接布线213设置在基底211的外围区域PA中。连接布线213将形成在显示区域DA中的诸如数据线(未示出)、扫描线(未示出)等的多条信号线连接到焊盘部分PAD。在本示例性实施例中，连接布线213与将栅极线或数据线与栅极IC或数据IC连接的扇出部分对应。

在这种情况下，缓冲层212设置在基底211与连接布线213之间。缓冲层212用于防止杂质元素的渗透并使基底211的表面平坦化。缓冲层212可以是与设置在图4的基底123上的基底缓冲层126相同的层。

布线绝缘层214设置在连接布线213上。布线绝缘层214部分地暴露焊盘部分PAD中的连接布线213。在这种情况下，可以将连接布线213的暴露部分与膜上芯片300连接。

布线绝缘层214可以由丙烯酰基树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯基树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯(BCB)、氮化硅(SiN_x)或氧化硅(SiO_x)形成。然而，可以省略布线绝缘层214，包封层400可以设置在连接布线213上。

膜上芯片300设置在由连接布线213的暴露部分形成的焊盘部分PAD上，并且与连接布线213电连接。可以将用于驱动像素P的驱动芯片(未示出)安装在膜上芯片300中。

在这种情况下，膜上芯片300可以设置为在具有柔性的基膜(未示出)上的多条金属布线(未示出)。

可以将驱动芯片安装在基膜中以产生驱动信号。例如，驱动芯片可以是通过接收外部控制信号产生扫描信号的扫描驱动电路或通过接收外部控制信号产生数据信号的数据驱动电路。

根据本示例性实施例，包封层400设置在布线绝缘层214上。如以上所讨论的，包封层400设置在显示区域DA的像素P中的部分延伸到外围区域PA。包封层400通过密封显示区域DA的像素P中的OLED和像素驱动器来保护它们。

在本示例性实施例中，包封层400的延伸部分设置在连接布线213上。

参照图3，当相对于折叠区域或可弯曲区域BA弯曲基底211的外围区域PA时，基底211的外围区域PA可以设置在显示设备中。如图3中所示，将基底211与膜上芯片300结合的一端折叠，因此基底211的端部彼此面对。

包封层400的一部分，例如，金属氧化物层411的一部分，可以与折叠区域BA叠置，从而与连接布线213一起折叠。

在一些实施例中，如图7中所示，包封层400设置为在显示区域DA中的多个层。包封层400可以通过交替层叠金属氧化物层411、有机层421和441以及无机层431和451来形成。即，在金属氧化物层411上交替层叠有机层421和441以及无机层431和451。

在本示例性实施例中，金属氧化物层411设置在包封层400的最底层中，但是金属氧化物层411可以设置在包封层400的最顶层中。可选择地，金属氧化物层411可以设置在交替层叠的有机层421和441与无机层431和451之间。

返回参照图2，在本示例性实施例中，由多个层形成的包封层400之中的金属氧化物层411从显示区域DA延伸从而形成在外围区域PA中。即，金属氧化物层411可以延伸从而可以设置在外围区域PA的布线绝缘层214上。

在这种情况下，金属氧化物层411可以由氧化铝(AlO_x)、氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)和氧化钛(TiO_x)中的至少一种制成。然而，金属氧化物层411的材料不限于此，可以使用在薄膜包封中使用的已知材料。

此外，钝化层215可以设置在外围区域PA中的金属氧化物层411上。钝化层215可以通过防止湿气的渗透来防止设置在其下方的多条连接布线213腐蚀。

参照图1和图3，折叠区域BA设置在显示设备100的边缘处。因此，当用户拿着显示设备100时，折叠区域BA可以与用户的手相邻。

在这种情况下，来自用户的手的湿气和盐水等可以渗透到折叠区域BA中。通常地(不一定是现有技术)，当包封层400的一部分不设置在折叠区域BA中时，连接布线213会由于湿气或盐水被腐蚀。

然而，在本示例性实施例中，包封层400的一部分设置在连接布线213上，从而可以防止湿气和盐水等的渗透。

即，在本示例性实施例中，包封层400之中的金属氧化物层411延伸到外围区域PA，从而可以防止由于湿气和盐水等导致连接布线213腐蚀。

此外，可以在形成显示区域DA的包封层400的同时，在外围区域PA中形成金属氧化物层411。因此，额外的掩膜工艺和额外的沉积工艺都不是必需的。因此，可以节约加工时间和制造成本。

像素P设置在显示区域DA中。在下面的描述中，将参照图4详细描述单个像素P。在本示例性实施例中，每个像素P可以由有机发光元件形成。

参照图4，基底123可以由诸如玻璃、金属材料的无机材料或诸如树脂的有机材料制成。基底123可以具有透光特性或光阻挡特性。基底123可以由与图2和图3的基底211相同的层制成。

另外，基底缓冲层126设置在基底123上。基底缓冲层126用于防止杂质元素的渗透并使其表面平坦化。

基底缓冲层126可以由可以执行上述功能的各种材料制成。例如，基底缓冲层126可以形成为氮化硅(SiN_x)层、氧化硅(SiO_x)层和氮氧化硅(SiO_xN_y)层中的一种。然而，基底缓冲层126不是必需的元件，并且可以根据基底123的类型和工艺条件省略。

驱动半导体层137设置在基底缓冲层126上。驱动半导体层137形成为多晶硅层。此外，驱动半导体层137包括其中不掺杂杂质的沟道区域135和在沟道区域135的各侧边处掺杂杂质的源区134以及漏区136。在这种情况下，掺杂离子材料是诸如硼(B)的P型杂质，主要使用B₂H₆。杂质根据薄膜晶体管的种类变化。

由氮化硅(SiN_x)或氧化硅(SiO_x)制成的栅极绝缘层127设置在驱动半导体层137上。

包括驱动栅电极133的栅极布线设置在栅极绝缘层127上。另外，驱动栅电极133形成为与驱动半导体层137的至少一部分(具体地，沟道区域135)叠置。

同时，覆盖驱动栅电极133的层间绝缘层128形成在栅极绝缘层127上。暴露驱动半导体层137的源区134和漏区136的接触孔128a形成在栅极绝缘层127和层间绝缘层128中。

与栅极绝缘层127相似，层间绝缘层128可以通过使用诸如氮化硅(SiN_x)或氧化硅(SiO_x)的陶瓷基材料来形成。

另外，包括驱动源电极131和驱动漏电极132的数据布线设置在层间绝缘层128上。此外，通过形成在层间绝缘层128和栅极绝缘层127中的接触孔128a将驱动源电极131和驱动漏电极132分别与驱动半导体层137的源区134和漏区136连接。

因此，形成包括驱动半导体层137、驱动栅电极133、驱动源电极131和驱动漏电极132的驱动薄膜晶体管130。驱动薄膜晶体管130的构造不限于前述示例并且可以进行各种修改为可以容易被本领域技术人员实现的已知构造。

另外，覆盖数据布线的平坦化层124设置在层间绝缘层128上。平坦化层124用于去除台阶并使台阶平坦化以便增加将要形成在其上的有机发光元件的发光效率。此外，平坦化层124具有暴露漏电极132的一部分的电极通孔122a。

平坦化层124可以由聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯基醚树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯(BCB)中的一种或更多种材料制成。

这里，描述的技术不限于前述结构，在一些情况下，可以省略平坦化层124和层间绝缘层128中的一个。

在这种情况下，有机发光元件的第一电极(即，像素电极160)形成在平坦化层124上。即，OLED显示器包括分别针对多个像素设置的多个像素电极160。在这种情况下，像素电极160彼此分开设置。通过平坦化层124的电极通孔122a将像素电极160连接到驱动漏电极132。

此外，具有暴露像素电极160的开口的像素限定层125形成在平坦化层124上。即，像素限定层125具有针对每个像素形成的多个开口。

在这种情况下，可以针对由像素限定层125形成的每个开口形成有机发射层170。因此，形成每个有机发射层的像素区域可以由像素限定层125限定。

在这种情况下，像素电极160设置为与像素限定层的开口对应。然而，像素电极160不仅设置在像素限定层125的开口中，并且可以设置在像素限定层125的下方以使像素电极160的一部分与像素限定层125叠置。

像素限定层125可以由诸如聚丙烯酸酯树脂和聚酰亚胺树脂的树脂或二氧化硅基无机材料等制成。

有机发射层170形成在像素电极160上。

另外，第二电极(即，共电极180)可以形成在有机发射层170上。因此，形成包括像素电极160、有机发射层170和共电极180的OLED。

像素电极160和共电极180中的每个可以由透明导电材料或者透反或反射导电材料制成。根据形成像素电极160和共电极180的材料的种类，OLED显示器可以是顶发射型、底发射型或双面发射型。

同时，覆盖和保护共电极180的覆盖层190可以形成为共电极180上的有机层。

另外，包封层140设置在覆盖层190上。包封层140从外部包封并保护设置在基底123中的OLED和像素驱动器。包封层140形成为与图2和图3的包封层400相同。

包封层140包括交替层叠的有机包封层140a和140c以及无机包封层140b和140d。在图4中，例如，示出了交替层叠两个有机包封层140a和140c以及两个无机包封层140b和140d以构造薄膜包封层140的情况，但不限于此。如上所述，金属氧化物层411可以设置在包封层140之中的有机包封层140a下方。

在下文中，参照图8和图9，将描述根据示例性实施例的显示设备的包封层的第一至第三示例性变型。在第一至第三示例性变型的描述中，将省略关于与上述示例性实施例相同的构造的详细描述。

图8示出根据本示例性实施例的包封层的第一示例性变型，图9示出根据本示例性实施例的包封层的第二示例性变型。

参照图8，在第一示例性变型中，通过在显示区域DA中交替层叠有机层和无机层形成包封层402，无机层中的一个(见412)延伸到外围区域PA中。即，在本示例性变型中，设置在有机层之间的无机层、最上无机层或最底无机层延伸到外围区域PA。

更具体地，交替层叠有机层422和442中的每个以及无机层432和452中的每个，无机层412设置在有机层422的下部分中，即，无机层412设置为最底层。

最底无机层412延伸到外围区域PA。即，无机层412延伸从而设置在外围区域PA的布线绝缘层214上。在这种情况下，无机层可以包括氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)、和氮氧化硅(SiON)中的至少一种。

参照图9，在第二示例性变型中，包封层403通过在显示区域DA中交替层叠有机层和无机层来形成，无机层中的一个延伸到外围区域PA。即，在本示例性变型中，设置在有机层之间的无机层、最上无机层或最底无机层延伸到外围区域PA。在这种情况下，无机层可以由均具有不同的密度的至少两个或更多个层形成。

更具体地，在第二示例性变型中，有机层422和442以及无机层432和452一个接一个地交替层叠，形成为分别具有不同密度的层的无机层413设置在有机层422的下部分中，即，最底层。无机层413可以延伸到外围区域PA。

在第二示例性变型中，无机层413可以由均具有第一密度的一对第一无机层413a和413c以及设置在一对第一无机层413a和413c之间的第二无机层413b形成。在这种情况下，第二无机层413b具有与第一无机层413a和413c的第一密度不同的第二密度。

例如，一对第一无机层413a和413c可以具有1.8g/cm³的密度，第二无机层413b可以具有3.0g/cm³的密度。在这种情况下，第一无机层413a可以由氧化硅(SiO_x)制成，第一无机层413c可以由氮化硅(SiN_x)制成，第二无机层413b可以由氮氧化硅(SiON)制成。

同时，根据第三示例性变型，包封层400通过交替层叠六甲基二硅氧烷(HMDSO)层(未示出)、有机层421和441以及无机层431和451形成。即，在HMDSO层(未示出)上一个接一个地交替层叠有机层421和441以及无机层431和451。

然而，在本示例性实施例中，HMDSO层设置为包封层400的最底层，但这不是限制性的。HMDSO层可以设置为包封层400的最顶层。可选择地，HMDSO层(未示出)可以设置在交替层叠的有机层421和441与无机层431和451之间。

在由多个层形成的包封层400之中，HMDSO层(未示出)从显示区域DA延伸从而形成在外围区域PA中。即，HMDSO层(未示出)延伸从而设置在外围区域PA的布线绝缘层214上。第三示例性变型与图2和图3的示例性实施例不同在于，代替金属氧化物层411，设置了HMDSO层(未示出)。

HMDSO层用于吸收包封层400的应力以提供柔性。HMDSO层基本上是无机层，但是具有与有机层相似的柔韧特性。因此，HMDSO层可以利用与有机层相似的柔性有效地吸收包封层400的应力，同时因为HMDSO层基本上是无机层，所以可以在形成包封层400的无机层431和451的室中沉积HMDSO层。

在下文中，将参照图5和图6描述根据另一示例性实施例的显示设备。相同的附图标记表示与前述示例性实施例的构成元件相同的构成元件。

图5是根据另一示例性实施例的显示设备的剖视图，图6示出处于弯曲状态的图5的基底。

参照图5和图6，保护膜310设置在基底211的下方。在这种情况下，保护膜310可以防止湿气等向基底211的渗透或防止由于外部冲击对基底211的损害。

保护膜310不设置在折叠区域BA的下方。即，保护膜310可以设置在除了折叠区域BA的下部分处之外的基底211的下方。然而，保护膜310可以仅设置在外围区域PA中或可以设置在外围区域PA和显示区域DA中。

支撑板500设置在弯曲的基底211的端部之间，因此它们彼此面对。当将膜上芯片300附着到其上的基底211的横向端部折叠时，支撑板500保持基底211的端部彼此面对。

在本示例性实施例中，粘合剂层320设置在支撑板500与基底211之间，因此膜上芯片300附着的基底211固定到支撑板500。因此，基底211可以保持折叠状态。

根据示例性实施例的显示设备，包封层400设置在显示区域DA的像素P中的部分延伸到外围区域PA，从而可以防止设置在包封层400下方的多条连接布线213腐蚀。此外，包封层400可以与显示区域DA的包封层同时形成，从而可以节约制造时间和制造成本。

虽然已经结合目前认为是实际的示例性实施例描述了发明技术，但是将理解的是，发明不限于公开的实施例，而是相反，意图覆盖包括在权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。