一种COB光源的制作方法

本发明涉及一种LED封装
技术领域：
，尤其涉及一种COB光源。
背景技术：
：LED作为新一代光源，具有节能、环保、安全、寿命长、低功耗、低热、高亮度、防水、微型、防震、易调光、光束集中、维护简便等特点，可以广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明等领域。COB光源封装，即板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，LED芯片贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。随着COB照明产品的广泛应用，人们对COB产品的性能和光色质量也越来越重视。现在市场上大部分COB产品的显色指数都不高（一般显色指数Ra低于70）,对物体的色彩还原性较差，我们所见到的物体颜色容易失真或偏色，不适合人眼视觉偏好；另外普通COB产品电源一般都为DC低电压，不同功率的COB产品需要配不同规格的电源，这样就会导致电源种类多，电源成本增加，同时由于低压电源的转换效率比高压电源低一些。因此，有必要提出一种新型的COB光源，解决以上问题。本发明提出一种COB光源，显色指数高，更好地还原物体真实的颜色，有利于人眼的健康，电源转换效率高。技术实现要素：本发明要解决的技术问题是提供一种COB光源，显色指数高，更好地还原物体真实的颜色，有利于人眼的健康，电源转换效率高。为了解决上述技术问题，本发明提出一种COB光源，包括基板、至少一个LED芯片、围坝以及荧光胶，所述LED芯片为高压蓝光LED芯片设置于所述基板上，所述围坝呈闭合环状结构并设置于基板上，所述LED芯片设置于所述围坝内，所述荧光胶填充于所述围坝内，所述荧光胶由硅胶、黄绿色荧光粉和红色荧光粉组成，所述黄绿色荧光粉的发射峰值波长为530nm-540nm，其总质量占所述硅胶总质量的8-12%，所述红色荧光粉的发射峰值波长为620nm-640nm，其总质量占所述硅胶总质量的8-12%。优选地，所述黄绿色荧光粉的发射峰值波长为530nm-540nm，其总质量占所述硅胶总质量的10%，所述红色荧光粉的发射峰值波长为620nm-640nm，其总质量占所述硅胶总质量的10%。优选地，所述基板为金属基板，其正面设置有固晶区，所述固晶区表面设置有高反射层，所述高反射层的反射率高于98%。优选地，所述高反射层为镜面铝层。优选地，所述高压蓝光LED芯片的制备过程是将一个大尺寸芯片划分为多个小发光单元，发光单元之间通过隔离沟槽隔离开来，再将发光单元通过电极连接桥串联。优选地，所述隔离沟槽的宽度为19-21μm。优选地，所述隔离沟槽的宽度为20μm。优选地，所述高压蓝光LED芯片的主波长范围为450nm-460nm，电压为9-9.3V，波长为455-457.5nm，功率为3-5W，且至少有23个所述高压蓝光LED芯片相互串联。优选地，所述围坝呈闭合环状结构，设置于所述基板的正面并包围所述固晶区，所述围坝由白色围坝胶制成，所述围坝的直径为9~13mm，所述围坝坝体的宽度为0.9~1.3mm。与现有技术相比，本发明的有益效果在于：1、本发明提供的COB光源，采用高压蓝光LED芯片激发黄绿色荧光粉和红色荧光粉，其显色指数Ra大于80，色域更高，突破了传统COB光源光谱色域低、显色指数低的问题，能够更好地还原物体真实的颜色和更有利于人眼的健康。2、本发明提供的COB光源，所述固晶区表面设置有高反射层，所述高反射层的反射率高于98%，本实施例中，所述高反射层为镜面铝层，用于提高COB光源的反射率，提高所述COB光源的出光效率。3、本发明提供的COB光源，高压蓝光LED芯片的隔离沟槽宽度设置为19-21μm，优化了LED芯片的电性能及光性能。4、本发明提供的COB光源，采用的硅胶为耐高温材料，其可耐温250℃以上。COB光源与普通的LED光源相比，发热更高，此处采用耐高温的硅胶，防止高温导致荧光胶老化，提高了COB光源的可靠性。5、本发明提供的COB光源，COB光源的电压接近220V，电源转换效率更高，另一方面，统一了电源规格，降低了电源成本。附图说明图1为本发明COB光源的结构示意图；图2为传统COB光源的光谱分析曲线图；图3为本发明COB光源的光谱分析曲线图。具体实施方式为了使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和优选实施例对本发明作进一步的详细说明。如图1所示，一种COB光源，包括基板1、至少一个LED芯片2、围坝3以及荧光胶(图中未示出)，所述LED芯片2为高压蓝光LED芯片设置于所述基板1上，所述围坝3呈闭合环状结构并设置于基板1上，所述LED芯片2设置于所述围坝3内，所述荧光胶填充于所述围坝3内，所述荧光胶由硅胶、黄绿色荧光粉和红色荧光粉组成。所述基板1为金属基板，其正面设置有固晶区11，所述固晶区用于安装LED芯片2，更优地，所述固晶区11的表面设置有高反射层，所述高反射层的反射率高于98%，本实施例中，所述高反射层为镜面铝层，用于提高COB光源的反射率，提高所述COB光源的出光效率。所述LED芯片2为高压蓝光LED芯片，所述高压蓝光LED芯片，其制备过程是将一个大尺寸芯片划分为多个小发光单元，发光单元之间通过隔离沟槽隔离开来，再将发光单元通过电极连接桥串联，从而实现的一种小电流、大电压的高功率LED芯片。本发明为了优化LED芯片的电性能及光性能，将LED芯片的隔离沟槽宽度设置为19-21μm,具体地，所述LED芯片的隔离沟槽宽度为19μm，20μm，21μm。当隔离沟槽宽度小于19μm时，金属蒸镀质量较差，电阻率较高，使得电极连接桥的电阻较高，所以芯片的电压较大；当隔离沟槽宽度为19-21μm时，金属蒸镀质量较好，电阻率较低，使得电极连接桥的电阻减小，所以芯片的电压下降；当隔离沟槽宽度大于21μm时，电极连接桥的电阻开始增加增大，所以芯片的电压升高。输出光功率呈现先升后降的趋势，是由于相邻发光单元的光耦合能力不同。更佳地，LED芯片的隔离沟槽宽度设置为20μm，LED芯片的电性能及光性能最优。本发明提供的所述LED芯片2为高压蓝光LED芯片，主波长范围为450nm-460nm，电压为9-9.3V，波长为455-457.5nm,功率为3-5W，为了使COB光源的电压接近市电电压，超过200V，且至少有23个所述LED芯片相互串联，本实施例中，所述LED芯片的数量为27个LED相互串联并与一个LED芯片并联，COB光源的电压接近220V，电源转换效率更高，另一方面，统一了电源规格，降低了电源成本。所述围坝3呈闭合环状结构，设置于所述基板的正面并包围所述固晶区11。所述围坝3由白色围坝胶制成，所述围坝的直径为9~13mm，所述围坝坝体的宽度为0.9~1.3mm，具体地，所述围坝坝体的宽度为0.9mm，1.0mm，1.1mm，1.3mm。本发明采用白色围坝胶制作所述围坝，用于提高COB光源的反射率，所述围坝坝体的宽度设置为0.9~1.3mm，若所述围坝坝体的宽度小于0.9mm，则围坝与所述基板的结合力过小，容易脱落，COB光源的可靠性差，若所述围坝坝体的宽度大于1.3mm，则占用所述基板过多的面积，不利于COB光源的小型化设计。所以荧光胶由硅胶，黄绿色荧光粉和红色荧光粉组成。本发明提供的硅胶为耐高温材料，其可耐温250℃以上。COB光源与普通的LED光源相比，发热更高，此处采用耐高温的硅胶，防止高温导致荧光胶老化，提高了COB光源的可靠性。所述黄绿色荧光粉的发射峰值波长为530nm-540nm，其总质量占所述硅胶总质量的8-12%，更佳地，所述黄绿色荧光粉的总质量占所述硅胶的10%。所述红色荧光粉的发射峰值波长为620nm-640nm，其总质量占所述硅胶总质量的8-12%，更佳地，所述红色荧光粉的总质量占所述硅胶的10%。将本发明的COB光源采用中为3900T测试机进行光电参数测试,结果表1：表1COB光源光电测试参数色温(K)CIE-XCIE-Y光通量(lm)光效率(lm/w)电压VF(V)电流(mA)显色指数30280.43820.4094464.9831312351581如图2和3所示，图2为传统COB光源的光谱分析曲线图，图3为本发明提供的COB光源的光谱分析曲线图，由图2、图3以及表1可知，本发明采用高压蓝光LED芯片激发以上成分、配比及波长的荧光粉，其显色指数Ra大于80，色域更高，突破了传统COB光源光谱色域低、显色指数低的问题，能够更好地还原物体真实的颜色和更有利于人眼的健康。与现有技术相比，本发明的有益效果在于：1、本发明提供的COB光源，采用高压蓝光LED芯片激发黄绿色荧光粉和红色荧光粉，其显色指数Ra大于80，色域更高，突破了传统COB光源光谱色域低、显色指数低的问题，能够更好地还原物体真实的颜色和更有利于人眼的健康。2、本发明提供的COB光源，所述固晶区表面设置有高反射层，所述高反射层的反射率高于98%，本实施例中，所述高反射层为镜面铝层，用于提高COB光源的反射率，提高所述COB光源的出光效率。3、本发明提供的COB光源，高压蓝光LED芯片的隔离沟槽宽度设置为19-21μm，优化了LED芯片的电性能及光性能。4、本发明提供的COB光源，采用的硅胶为耐高温材料，其可耐温250℃以上。COB光源与普通的LED光源相比，发热更高，此处采用耐高温的硅胶，防止高温导致荧光胶老化，提高了COB光源的可靠性。5、本发明提供的COB光源，COB光源的电压接近220V，电源转换效率更高，另一方面，统一了电源规格，降低了电源成本。以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本
技术领域：
的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。当前第1页1 2 3