1.一种QLED的制备方法，其特征在于，在电子传输层上沉积发光层之前，对所述电子传输层进行表面处理，包括以下步骤：将所述电子传输层进行氧气等离子体预处理或臭氧处理、以及紫外灯辐射处理，其中，所述紫外灯辐射处理的光子能量大于电子传输材料的有效能带隙。
2.如权利要求1所述的QLED的制备方法，其特征在于，所述表面处理为真空条件下的氧气等离子体预处理和紫外灯辐射处理，且所述氧气等离子体预处理和紫外灯辐射处理同时进行，处理时间30-300s，其中，
所述氧气等离子体预处理的溅射功率为25-250mw/cm2，氧气流量为5-1000sccm；
所述紫外灯辐射处理的功率密度≥100mw/cm2。
3.如权利要求2所述的QLED的制备方法，其特征在于，所述表面处理在设置有磁控管的预清洗设备中进行。
4.如权利要求1所述的QLED的制备方法，其特征在于，所述表面处理为真空条件下的氧气等离子体预处理和紫外灯辐射处理，其中，
所述氧气等离子体预处理在设置有单独氧离子发生装置的表面处理设备中进行，所述单独氧离子发生装置的通电线圈功率为10-200W，溅射功率为25-250mw/cm2，氧气流量为5-200sccm，处理时间15-150s；
所述紫外灯辐射处理的功率密度≥100mw/cm2。
5.如权利要求1所述的QLED的制备方法，其特征在于，所述表面处理为臭氧处理和紫外灯辐射处理。
6.如权利要求5所述的QLED的制备方法，其特征在于，所述表面处理在紫外-臭氧发生装置中进行。
7.如权利要求6所述的QLED的制备方法，其特征在于，所述紫外-臭氧发生装置的功率≥100W。
8.如权利要求1-7任一所述的QLED的制备方法，其特征在于，所述电子传输材料包括过渡族氧化物、II-VI族半导体、钛酸盐。
9.如权利要求8所述的QLED的制备方法，其特征在于，所述过渡族氧化物包括氧化锌、二氧化钛、五氧化二钽，其中，所述氧化锌包括氧化锌纳米晶、非掺杂氧化锌、非掺杂氧化锌-有机纳米复合物；所述II-VI族半导体包括硫化锌、硒化锌、碲化锌、硫化镉；所述钛酸盐包括钛酸铋、钛酸钡。
10.一种QLED，包括依次层叠设置的衬底、底电极、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和顶电极，其特征在于，所述电子传输层为权利要求1-9任一方法进行表面处理的电子传输层。