技术总结
本发明公开了一种碲镉汞薄膜材料的化学抛光方法。该方法包括以下步骤：利用化学抛光液对所述碲镉汞薄膜材料进行N次化学抛光，其中，第i+1次化学抛光的去除厚度小于第i次化学抛光的去除厚度，其中，N≥3，1≤i≤N；将经过N次化学抛光后的碲镉汞薄膜材料在表面处理液中进行表面处理。借助于本发明的技术方案，解决了现有技术中碲镉汞表面的组分偏差较大的问题，不仅能够降低碲镉汞材料的组分方差，而且使碲镉汞材料的表面极少氧化物甚至无氧化物，从而使碲镉汞探测器器件光谱响应均匀性能够满足性能要求。
技术研发人员：李春领;王春红;秦艳红
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第十一研究所
文档号码：201611007386
技术研发日：2016.11.16
技术公布日：2017.05.10