1.一种红外探测材料，包括红外光吸收层，其特征在于，还包括：电荷传输载体层；所述电荷传输载体层布设在所述红外光吸收层上；其中，所述电荷传输载体层由石墨烯材料制备得到。
2.如权利要求1所述的红外探测材料，其特征在于，所述红外光吸收层由碲镉汞材料制备得到。
3.如权利要求1所述的红外探测材料，其特征在于，所述红外光吸收层生长在设有缓冲层的衬底上。
4.如权利要求3所述的红外探测材料，其特征在于，所述衬底的材质为Si、GaAs、Ge、InSb、CdZnTe、GaSb或蓝宝石；所述缓冲层的材质为ZnTe或CdTe。
5.如权利要求1所述的红外探测材料，其特征在于，所述红外光吸收层的厚度为1～5微米。
6.如权利要求1所述的红外探测材料，其特征在于，所述电荷传输载体层由单层或多层石墨烯层构成。
7.一种权利要求1～6任一项所述的红外探测材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在衬底上面依次生长缓冲层、红外光吸收层；
在基底上面生长石墨烯层；
除去所述红外光吸收层的表层氧化层，并进行退火；除去石墨烯层下面的基底，并将所述石墨烯层转移至经退火处理后的红外光吸收层表面进行键合，得到红外探测材料。
8.如权利要求7所述的红外探测材料的制备方法，其特征在于，所述基底的材质为金属箔或Si。
9.如权利要求7所述的红外探测材料的制备方法，其特征在于，除去所述碲镉汞薄膜层的表层氧化层，并进行退火具体包括以下步骤：
将所述红外光吸收层进行磨抛，除去所述红外光吸收层的表层氧化层；
将去除表层氧化层后的红外光吸收层进行p型退火，获得p型浓度为1015cm-3～1017cm-3量级的红外光吸收层。
10.如权利要求7所述的红外探测材料的制备方法，其特征在于，在基底上面生长石墨烯层具体包括以下步骤：
采用气相沉淀或氧化还原法在基底上生长石墨烯层。