半导体器件、显示装置和上述装置的制造方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明提供一种显示优良的电特性的半导体器件和该半导体器件的制造方法。另外，提供具有该半导体器件的显示装置和该显示装置的制造方法。该半导体器件包括：具有氧化物半导体膜的第1晶体管、和包括第1晶体管上的层间膜、和位于层间膜上、含硅的半导体膜的第2晶体管。层间膜能够包含无机绝缘体。含硅的半导体膜能够包含多晶硅。层间膜能够包含无机绝缘体。

技术研发人员：大原宏树
受保护的技术使用者：株式会社日本显示器
技术研发日：2016.11.23
技术公布日：2017.09.15