本发明涉及功能材料技术领域，具体涉及一种平栅极氧化锌场致发射电子源的制备方法。
背景技术：
对比热阴极电子发射而言，冷阴极电子发射(场致发射)不需要外加能量就可使电子逸出发射体表面。这类发射体可用来制备成电子发射源，在工作时不需加热，只需在材料表面加上足够强的电场进行发射(可称为冷阴极器)。近年来，随着纳米科技和信息显示技术的发展，场致发射电子源作为一种新型的发射体，也可将发射出的电子轰击荧光粉而发光也得到显示界的重视，而场致电子发射源的结构和发射源成为场致发射电子源的研究重点。
ZnO是一种禁带宽度为3.37 eV，激子束缚能高达60meV 的Ⅱ-Ⅵ族半导体氧化物，能有效工作于室温或者更高的温度，低维结构的ZnO不但具有较高的比表面积、机械强度和较好的导电导热性，还具有抗氧化性和耐高温性质，且制备方法较多，被认为是一种很有发展潜力的场发射阴极材料。此外，对比传统的场致发射电子源，平栅极场致发射电子发射源是一种新型的三极式场致电子发射源，它的结构和制备工艺简单，发射性能稳定，可实现点、线和面结构型发射的电子源而成为研究热点，能广泛应用于平板显示器件、LCD 背光源和信息电子领域中。
技术实现要素：
本发明旨在提出一种平栅极氧化锌场致发射电子源的制备方法。
本发明的技术方案在于：
平栅极氧化锌场致发射电子源的制备方法，包括如下步骤：
首先，利用旋涂技术将RZJ-304光刻胶涂覆在洁净的ITO玻璃基底表面，经烘烤、曝光、显影和固膜后，采用ITO 薄膜刻蚀液腐蚀没有光刻胶保护的ITO 薄膜，去除光刻胶后形成相互平行的阴极和栅极电极图案；
其次，再利用光刻技术在栅极电极表面、阴极和栅极电极之间制作阻挡层；
最后，将上述成品放入聚四氟乙烯的反应釜中，将生长溶液倒入反应釜中；把反应釜放入烘箱中；反应结束后将反应釜冷却至室温，取出样片浸泡丙酮中除去阻挡层，从而制备平栅极ZnO场致发射电子源。
所述的ITO玻璃基底表面其尺寸为5cm×5cm。
所述的基片放入聚四氟乙烯的反应釜中时，其电极靠壁面。
所述的生长液为0.05~0.08mol/L硝酸锌和0.05~0.1mol/L六次甲基四胺。
所述的烘箱的温度为90~95℃，反应时间为5~6h。
本发明的技术效果在于：
本发明采用光刻技术制备阴极和栅极相互平行且同处一平面的平栅极场致发射阴极阵列，利用水热法将ZnO发射源沉积在阴极电极表面，成功地组装了平栅极ZnO场致发射电子源。场发射测试表明，器件的阳极电流和栅极电流随着栅极电压的增加而增大，开启电压随着阳极电压的增加而减少，场发射特性完全被栅极电压控发光亮度高达750cd/m2 ，该器件具有较好的发射稳定性和发光特性。
具体实施方式
平栅极氧化锌场致发射电子源的制备方法，包括如下步骤：
实施例1
首先，利用旋涂技术将RZJ-304光刻胶涂覆在洁净的ITO玻璃基底表面，经烘烤、曝光、显影和固膜后，采用ITO 薄膜刻蚀液腐蚀没有光刻胶保护的ITO 薄膜，去除光刻胶后形成相互平行的阴极和栅极电极图案；
其次，再利用光刻技术在栅极电极表面、阴极和栅极电极之间制作阻挡层；
最后，将上述成品放入聚四氟乙烯的反应釜中，将生长溶液倒入反应釜中；把反应釜放入烘箱中；反应结束后将反应釜冷却至室温，取出样片浸泡丙酮中除去阻挡层，从而制备平栅极ZnO场致发射电子源。
其中，所述的ITO玻璃基底表面其尺寸为5cm×5cm。所述的基片放入聚四氟乙烯的反应釜中时，其电极靠壁面。所述的生长液为0.05mol/L硝酸锌和0.05mol/L六次甲基四胺。所述的烘箱的温度为90℃，反应时间为5h。
实施例2
首先，利用旋涂技术将RZJ-304光刻胶涂覆在洁净的ITO玻璃基底表面，经烘烤、曝光、显影和固膜后，采用ITO 薄膜刻蚀液腐蚀没有光刻胶保护的ITO 薄膜，去除光刻胶后形成相互平行的阴极和栅极电极图案；
其次，再利用光刻技术在栅极电极表面、阴极和栅极电极之间制作阻挡层；
最后，将上述成品放入聚四氟乙烯的反应釜中，将生长溶液倒入反应釜中；把反应釜放入烘箱中；反应结束后将反应釜冷却至室温，取出样片浸泡丙酮中除去阻挡层，从而制备平栅极ZnO场致发射电子源。
其中，所述的ITO玻璃基底表面其尺寸为6cm×6cm。所述的基片放入聚四氟乙烯的反应釜中时，其电极靠壁面。所述的生长液为0.08mol/L硝酸锌和0.1mol/L六次甲基四胺。所述的烘箱的温度为95℃，反应时间为6h。