1.一种双频高增益介质谐振阵列天线，其特征在于，其包括基板、两路微带馈电网络、N个介质谐振单元组成的介质谐振单元阵列，其中N≥1，该微带馈电网络设置在基板上，该N个介质谐振单元共轴或共线排列在基板上，该介质谐振单元包括三个上下叠放的介质立方体，分别为上立方体、中立方体、下立方体，第一馈电槽竖直朝上对称地设置在下立方体两侧面中间位置，第二馈电槽设置在下立方体底面，该介质谐振单元的馈电点分别与两路微带馈电网络的输出端耦合，在两路微带馈电网络、靠近介质立方体的输出端，分别设置一组耦合孔径和耦合探针，该耦合探针与第一馈电槽耦合功率，该耦合孔径开在基板上，与第二馈电槽耦合；
该N个介质谐振单元朝向与阵列轴线呈+45°或-45°角，该微带馈电网络包括两路分别采用多级功分的馈电网络，一路实现+45°极化辐射，另一路则激励-45°极化辐射，该耦合孔径与-45°极化馈电网络的微带线正交，该耦合探针则紧靠第一馈电槽竖直放置；
在基板上位于该介质谐振单元左右两侧的位置，分别对称设置一组相互平行、竖直放置的边缘扼流条；
在基板后侧设置反射板，该反射板包括金属地板，以及其四周竖直加装的围边；
在金属地板和介质基板间，竖直放置两组平行于阵列轴线且对称排布在介质谐振单元阵列两侧的背部隔离片。
2.如权利要求1所述的双频高增益介质谐振阵列天线，其特征在于，该上中下三个立方 体中，下立方体高度最高，中立方体边长最大，上立方体尺寸最小，该第一馈电槽的槽宽上大下小，深度则上下相等，该N个介质谐振单元之间的间距为ds＝(0.50～0.75)×λL，该介质谐振单元所采用材料的介电常数为εr1＝8～30、损耗角正切tanδ1。
3.如权利要求1所述的双频高增益介质谐振阵列天线，其特征在于，该耦合馈电的耦合孔径形状为窄矩形，长度两端朝内凹陷，微带线正交横穿孔径后末端开路，该耦合馈电的耦合探针呈圆柱体，直径上粗下细，底端与+45°极化馈电网络输出端连接。
4.如权利要求1～3任一项所述的双频高增益介质谐振阵列天线，其特征在于，该微带馈电网络各级功分的两输出支路间加设隔离电阻。
5.如权利要求1所述的双频高增益介质谐振阵列天线，其特征在于，该两组边缘扼流条镜像对称放置，每组边缘扼流条有三个金属片，它们平行于阵列轴线、直立于基板地上，每组金属片中的两侧金属片对称设置，顶部朝内下弯，下弯部分短于直立部分，中间金属片则呈倒U形，其内外部分等高。