集成电路及其操作方法与流程

文档序号:12598977阅读:308来源:国知局
集成电路及其操作方法与流程

本发明的实施例大体上涉及一种半导体结构,且更特定地说,本发明的实施例涉及一种用于提供热量的半导体结构。



背景技术:

半导体集成电路(IC)产业经历了快速增长。IC材料及设计的技术进步已产生多代IC,其中每一代具有比前一代小且复杂的电路。然而,此类进步增加了处理及制造IC的复杂性且需要同步发展IC处理及制造来实现此类进步。在集成电路演进的过程中,将准确控制在(例如)可靠性测试期间提供给受测装置(DUT)的温度来实现测试的目的。



技术实现要素:

在一些实施例中,热晶片卡盘可用于加热DUT。然而,热晶片卡盘无法在有效时段内加热DUT。与热晶片卡盘相比,可通过控制施加到FinFET的功率来快速调整FinFET的温度以依更有效且更可靠的方式将DUT加热到预定温度。在一些实施例中,多晶硅加热器可用于加热DUT。然而,多晶硅加热器的寿命、发热稳定性及温度控制灵敏度不如本文中所描述的半导体装置加热器的寿命、发热稳定性及温度控制灵敏度。流动通过多晶硅加热器的电流将不可避免地劣化材料结构完整性。然而,在本发明的实施例中,电流流动通过FinFET的金属栅极、(例如)MOS装置的沟道或p-n结,因此,不会对本文中所提出的半导体装置加热器造成结构损坏。可预期较长加热器寿命。此外,半导体装置的自加热特性及外加功率与由自加热特性产生的热量之间的相关性可用于准确控制DUT的温度。与多晶硅加热器相比,FinFET归因于其结构限制而更稳定可靠。另外,使用FinFET作为加热器完全匹配FinFET CMOS制程且无额外工作量,其将减少制造成本。

本发明的实施例提供一种集成电路(IC)。所述IC包括受测装置及第一加热器。所述第一加热器定位于所述装置的第一侧处且提供热量来控制所述装置的温度。所述第一加热器包括半导体装置,其具有第一掺杂区域及具有与所述第一掺杂区域的导电类型相反的导电类型的第二掺杂区域,所述第一掺杂区域与所述第二掺杂区域介接。

本发明的实施例提供一种半导体装置。所述半导体装置包括受测装置及第一组FinFET。所述第一组FinFET定位于所述装置的第一侧处来加热所述装置。通过施加到每一FinFET的功率来控制由所述第一组FinFET产生的热量。

本发明的实施例提供一种用于控制装置的温度的方法。所述方法包括:提供所述装置;及将第一组FinFET布置于所述装置的第一侧处来加热所述装置,其中通过施加到每一FinFET的功率来控制由所述第一组FinFET产生的热量。

附图说明

将从结合附图来解读的以下详细描述最佳地理解本发明实施例的方面。应注意,根据产业中的标准实践,各种构件未按比例绘制。事实上,为使讨论清楚,可任意增大或减小各种构件的尺寸。

图1A是说明根据本发明的实施例的集成电路一示意图。

图1B说明根据本发明的实施例的图1A中的半导体结构的详细结构。

图2是说明根据本发明的实施例的集成电路的示意图。

图3是说明根据本发明的实施例的集成电路的示意图。

具体实施方式

以下揭示内容提供用于实施本揭示的不同特征的许多不同实施例或实例。下文将描述组件及布置的特定实例以简化本揭示。当然,这些仅为实例且并非具限制性。例如,在以下描述中,在第二构件上方或第二构件上形成第一构件可包含其中形成直接接触的所述第一构件及所述第二构件的实施例,且还可包含其中可形成介于所述第一构件与所述第二构件之间的额外构件使得所述第一构件与所述第二构件可不直接接触的实施例。另外,本揭示可在各种实例中重复元件符号及/或字母。此重复是为了简化及清楚且其本身不指示所讨论的各种实施例及/或配置之间的关系。

此外,空间相对术语(例如“下面”、“下方”、“下”、“上方”“上”及其类似者)在本文中可用于使描述一个元件或构件与另外的元件或构件的关系的描述较容易,如图中所说明。空间相对术语除涵盖图中所描绘的定向之外,还希望涵盖装置在使用或操作中的不同定向。设备可以其它方式(旋转90度或依其它定向)进行定向且还可相应地解释本文中所使用的空间相对描述词。

下文将详细讨论实施例的制造及使用。然而,应了解,本揭示提供可实施于各种特定情境中的许多适用发明概念。所讨论的特定实施例仅说明制造及使用本揭示的特定方式,且不限制本揭示的范围。

参考图式,图1A是说明根据本发明的实施例的集成电路(IC)1的示意图。IC 1包含受测装置(DUT)10、加热器11及导热衬垫12。

DUT 10集成于IC 1中。在一些实施例中,DUT 10可为任何种类的半导体装置,例如金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)、双极结型晶体管(BJT)、多栅极非平面场效晶体管(例如鳍式场效晶体管(FinFET))、电容器、电阻器、电感器或其组合。在不同温度下测试DUT 10的特性(例如电流、电压、可靠性、耐久性、响应时间及其类似者)。

加热器11定位于DUT 10的一侧处。加热器11用于加热DUT 10。IC 1可包含用于检测DUT 10的温度的传感器(图式中未示出)。可通过控制加热器11来调整DUT 10的温度。在一些实施例中,可基于设计要求来将加热器11定位于DUT 10的更多侧处或DUT 10周围以均匀加热DUT 10。

加热器11包含多个FinFET 11A。如图1A中所示出,加热器11包含各具有6个FinFET的3行FinFET组。可基于设计要求来改变FinFET的数目或布置。在一些实施例中,加热器11可包含二极管、MOSFET、BJT或其组合。由FinFET产生的热量取决于施加到FinFET的功率(例如电压或电流)而变化。在一些实施例中,由FinFET提供的热量基本上与施加到FinFET的功率成比例。施加到FinFET的功率越大,由FinFET产生的热量将越多。在一些实施例中,对DUT 10的测试操作可包含以下步骤:(i)将功率施加到FinFET以产生热量来加热DUT 10;(ii)由传感器检查DUT 10是否在预定温度下操作;(iii)如果DUT 10在预定温度下操作,那么维持施加到FinFET的功率,否则,调整施加到FinFET的功率以改变DUT 10的温度,直到DUT 10在预定温度下操作为止;(iv)在预定温度下测量DUT 10的特性;及(v)重复操作(i)到(iv)以在不同预定温度下测量DUT 10的特性。

在一些实施例中,可由集成于IC 1中的控制电路(图式中未示出)控制施加到FinFET的功率。控制电路连接到传感器且接收有关DUT 10的温度的信息。接着,控制电路基于从传感器接收的信息来调整施加到FinFET的功率。在一些实施例中,可由IC 1外部的控制电路控制施加到FinFET的功率。

导热衬垫12定位于加热器11及DUT 10上方。导热衬垫12用于将由加热器11产生的热量传输到DUT 10。导热衬垫12由例如金属、合金或其它适合材料的任何导热材料制成。在一些实施例中,可通过导热衬垫12来将由加热器11产生的热量从加热器11直接传递到DUT 10。由于导热衬垫12具有比加热器11与DUT 10之间的电介质层或空气更高的传热系数,所以导热衬垫12可促进传热,使得可更均匀快速地加热DUT 10。即使DUT 10远离加热器11,但允许通过使用导热衬垫12来将由加热器11产生的热量更有效地传递到DUT 10。

图1B说明根据本发明的一些实施例的图1A中所示出的FinFET 11A的详细结构。FinFET 11A包含衬底101、鳍片结构102、栅极结构103、高介电系数电介质层104、电介质侧壁105a及105b、层间电介质(ILD)层106及隔离构件107。

衬底101是对半导体结构100提供支撑的下伏层。衬底101可为块状硅衬底、外延硅衬底、硅锗衬底、碳化硅衬底或其它III-V族复合衬底。

鳍片结构102经形成为从衬底101突出的薄平面结构且沿第一方向(图1B中的x方向)延伸且可由与衬底101相同的材料形成。鳍片结构102可包含源极区域、漏极区域及沟道区域(图中未示出)。源极区域及漏极区域由被栅极结构103环绕的沟道区域分离。栅极结构103的宽度(沿图1B中的x方向测量)确定半导体结构100的有效沟道长度。环绕式栅极结构103提供较好的电控制且因此有助于减小泄漏电流及克服其它短沟道效应。

安置于鳍片结构102的两侧上的隔离构件107可为可防止相邻鳍片结构102(或相邻半导体结构100)之间的电流泄漏的浅沟槽隔离(STI)构件。可通过以下步骤来形成隔离构件107:蚀刻衬底101中的沟槽的图案;沉积一或多种电介质材料(例如二氧化硅)来填充沟槽;及移除过量电介质以由此暴露鳍片结构102的顶部。可通过湿式或干式热氧化、物理气相沉积(PVD)、原子层沉积(ALD)、高密度等离子体CVD(HDPCVD)、其它适合方法及/或其组合来形成隔离构件107。在实施例中,隔离构件107可由二氧化硅形成。隔离构件107可具有多层结构,例如热氧化物衬层及形成于所述衬层上方的氧化硅或氮化硅。

栅极结构(栅极电极)103经布置于隔离构件107上以跨立于鳍片结构102上且沿基本上垂直于第一方向(鳍片结构102沿其延伸)(图1B中的x方向)的第二方向(图1B中的y方向)延续。栅极结构103可由任何适合栅极电极材料形成。在示范性实施例中,栅极结构103可为由例如(但不限于)铜、钌、钯、铂、钴、镍、氧化钌、钨、铝、钛、钽、氮化钛、氮化钽、铪、锆、金属碳化物或导电金属氧化物形成的金属栅极电极。还应了解,栅极结构103无需为单一材料,而是可包含薄膜的复合堆叠。

高介电系数电介质层104安置于鳍片结构102与栅极结构103之间且安置于隔离构件107与栅极结构103之间。高介电系数电介质层104可由任何栅极电介质材料形成。在实施例中,高介电系数电介质层104包含二氧化硅、氮氧化硅或氮化硅电介质层。高介电系数电介质层104的厚度可为约到约之间。高介电系数电介质层104可具有大于约7.0的介电系数值,且可包含Hf、Al、Zr、La、Mg、Ba、Ti、Pb及其组合的氧化物或硅酸盐。高介电系数电介质层104的示范性材料包含MgOx、BaTixOy、BaSrxTiyOz、PbTixOy、PbZrxTiyOz及其类似者,其中X、Y及Z值介于0到1之间。可通过分子束沉积(MBD)、原子层沉积(ALD)、物理气相沉积(PVD)及其类似者来形成高介电系数电介质层104。

ILD层106用于电分离且表征低介电系数k以使电容性耦合最小化。可通过化学气相沉积(CVD)、高密度等离子体CVD(HDP-CVD)、旋涂沉积、物理气相沉积(PVD或溅镀)或其它适合方法来形成ILD层106。ILD层106可包含氧化硅、氮氧化硅、低介电系数材料及/或其它适合电介质。ILD层106可形成于栅极结构103及鳍片结构102上与栅极结构103及鳍片结构102周围。

根据本发明的实施例,栅极结构103包含第一分段103a及第二分段103b。第二分段103b位于第一分段103a上方且通过第一分段103a来与下伏鳍片结构102及隔离构件107分离。可使用相同材料或制程来形成栅极结构103的第一分段103a及第二分段103b。在实施例中,第一分段103a夹置于电介质侧壁105a之间且第二分段103b夹置于电介质侧壁105b之间。在实施例中,电介质侧壁105a可为掺杂有III族或V族元素的氧化硅侧壁(V族元素/掺杂物可包含砷(As)、磷(P)或锑(Sb),而III族掺杂物可包含硼(B))。电介质侧壁105a中的III族或V族元素的浓度在每立方厘米约1E19个原子到每立方厘米约1E22个原子的范围内。在实施例中,电介质侧壁105b可为掺杂有碳或氮的氧化硅侧壁,碳或氮具有在每立方厘米约5E18个原子到每立方厘米约1E21个原子的范围内的浓度。

在一些实施例中,在对图1A中的DUT 10的测试操作期间,将第一电压施加到FinFET11A的源极区域,将第二电压施加到FinFET 11A的衬底。换句话来说,FinFET的栅极区域是断开的。或者,在对图1A中的DUT 10的测试操作期间,将第一电压施加到FinFET11A的漏极区域且将第二电压施加到FinFET 11A的栅极区域。电流将从漏极区域通过沟道区域而流动到源极区域来产生热量。另外,可通过FinFET 11A的p-n结(例如源极/漏极区域与衬底之间的结)之间的电压差来产生热量。

在一些实施例中,热晶片卡盘可用于加热DUT。然而,热晶片卡盘无法在有效时段内加热DUT。与热晶片卡盘相比,可通过控制施加到FinFET的功率来快速调整FinFET的温度以依更有效且更可靠的方式将DUT加热到预定温度。在一些实施例中,多晶硅加热器可用于加热DUT。然而,多晶硅加热器的寿命、发热稳定性及温度控制灵敏度不如本文中所描述的半导体装置加热器的寿命、发热稳定性及温度控制灵敏度。流动通过多晶硅加热器的电流将不可避免地劣化材料结构完整性。然而,在本发明的实施例中,电流流动通过FinFET的金属栅极、(例如)MOS装置的沟道或p-n结,因此,不会对本文中所提出的半导体装置加热器造成结构损坏。可预期较长加热器寿命。此外,半导体装置的自加热特性及外加功率与由自加热特性产生的热量之间的相关性可用于准确控制DUT的温度。与多晶硅加热器相比,FinFET归因于其结构限制而更稳定可靠。另外,使用FinFET作为加热器完全匹配FinFET CMOS制程且无额外工作量,其将减少制造成本。

参考图式,图2是说明根据本发明的实施例的IC 2的示意图。IC 2包含DUT 20及加热器21、22、23、24。

DUT 20集成于IC 2中。在一些实施例中,DUT 20可为任何种类的半导体装置,例如MOSFET、BJT、FinFET、电容器、电阻器、电感器或其组合。在不同温度下测试DUT 20的特性(例如电流、电压、可靠性、耐久性、响应时间及其类似者)。IC 2可包含用于检测DUT 20的温度的传感器(图式中未示出)。

加热器21、22、23及24定位于DUT 20的四侧处以包围DUT 20。加热器21、22、23及24用于加热DUT 20。可通过控制加热器21、22、23、24来调整DUT 20的温度。可通过将加热器21、22、23及24布置成包围DUT 20来均匀加热DUT 20。

每一加热器21、22、23、24包含多个FinFET 21A。如图2中所示出,每一加热器21、22、23、24包含各自具有6个FinFET的3行FinFET组。可基于设计要求来改变FinFET的数目或布置。在一些实施例中,加热器21、22、23、24可包含二极管、MOSFET、BJT或其组合。由FinFET产生的热量取决于施加到FinFET的功率(例如电压或电流)而变化。在一些实施例中,由FinFET提供的热量基本上与施加到FinFET的功率成比例。施加到FinFET的功率越大,由FinFET产生的热量将越多。在一些实施例中,对DUT 20的测试操作可包含以下步骤:(i)将功率施加到FinFET以产生热量来加热DUT 20;(ii)由传感器检查DUT 20是否在预定温度下操作;(iii)如果DUT 20在预定温度下操作,那么维持施加到FinFET的功率,否则,调整施加到FinFET的功率以改变DUT 20的温度,直到DUT 20在预定温度下操作为止;(iv)在预定温度下测量DUT 20的特性;及(v)重复操作(i)到(iv)以在不同预定温度下测量DUT 20的特性。

在一些实施例中,可由集成于IC 2中的控制电路(图式中未示出)控制施加到FinFET的功率。控制电路连接到传感器且接收有关DUT 20的温度的信息。接着,控制电路基于从传感器接收的信息来调整施加到FinFET的功率。在一些实施例中,可由IC 2外部的控制电路控制施加到FinFET的功率。

由于图2中所示出的IC 2不包含位于加热器21、22、23、24上方的导热衬垫,所以通过加热器21、22、23、24与DUT 20之间的电介质层或空气来将热量从加热器21、22、23、24传递到DUT 20。由于未使用导热衬垫,所以IC 2的布线比图1中所示出的IC 1的布线简单且因此可减小IC 2的总面积。

在一些实施例中,在对图2中的DUT 20的测试操作期间,将第一电压施加到FinFET21A的源极区域,将第二电压施加到FinFET 21A的衬底。换句话来说,FinFET的栅极区域是断开的。或者,在对图2中的DUT 20的测试操作期间,将第一电压施加到FinFET 21A的漏极区域且将第二电压施加到FinFET 21A的栅极区域。电流将从漏极区域通过沟道区域而流动到源极区域来产生热量。另外,可通过FinFET 21A的p-n结(例如源极/漏极区域与衬底之间的结)之间的电压差来产生热量。

在一些实施例中,热晶片卡盘可用于加热DUT。然而,热晶片卡盘无法在有效时段内加热DUT。与热晶片卡盘相比,可通过控制施加到FinFET的功率来快速调整FinFET的温度以依更有效且更可靠的方式将DUT加热到预定温度。在一些实施例中,多晶硅加热器可用于加热DUT。然而,多晶硅加热器的寿命、发热稳定性及温度控制灵敏度不如本文中所描述的半导体装置加热器的寿命、发热稳定性及温度控制灵敏度。流动通过多晶硅加热器的电流将不可避免地劣化材料结构完整性。然而,在本发明的实施例中,电流流动通过FinFET的金属栅极、(例如)MOS装置的沟道或p-n结,因此,不会对本文中所提出的半导体装置加热器造成结构损坏。可预期较长加热器寿命。此外,半导体装置的自加热特性及外加功率与由自加热特性产生的热量之间的相关性可用于准确控制DUT的温度。与多晶硅加热器相比,FinFET归因于其结构限制而更稳定可靠。另外,使用FinFET作为加热器完全匹配FinFET CMOS制程且无额外工作量,其将减少制造成本。

参考图式,图3是说明根据本发明的实施例的IC 3的示意图。IC 3包含DUT 30、加热器31、32、33、34及导热衬垫31B、31C、32B、32C、33B、33C、34B、34C。

DUT 30集成于IC 3中。在一些实施例中,DUT 30可为任何种类的半导体装置,例如MOSFET、BJT、FinFET、电容器、电阻器、电感器或其组合。在不同温度下测试DUT 30的特性(例如电流、电压、可靠性、耐久性、响应时间及其类似者)。IC 3可包含用于检测DUT 30的温度的传感器(图式中未示出)。

加热器31、32、33及34定位于DUT 30的四侧处以包围DUT 30。加热器31、32、33及34用于加热DUT 30。可通过控制加热器31、32、33、34来调整DUT 30的温度。可通过将加热器31、32、33及34布置成包围DUT 30来均匀加热DUT 30。

每一加热器31、32、33、34包含多个FinFET 31A。如图3中所示出,每一加热器31、32、33、34包含各自具有6个FinFET的3行FinFET组。可基于设计要求来改变FinFET的数目或布置。在一些实施例中,加热器31、32、33、34可包含二极管、MOSFET、BJT或其组合。由FinFET产生的热量取决于施加到FinFET的功率(例如电压或电流)而变化。在一些实施例中,由FinFET提供的热量基本上与施加到FinFET的功率成比例。施加到FinFET的功率越大,由FinFET产生的热量将越多。在一些实施例中,对DUT 30的测试操作可包含以下步骤:(i)将功率施加到FinFET以产生热量来加热DUT 30;(ii)由传感器检查DUT 30是否在预定温度下操作;(iii)如果DUT 30在预定温度下操作,那么维持施加到FinFET的功率,否则,调整施加到FinFET的功率以改变DUT 30的温度,直到DUT 30在预定温度下操作为止;(iv)在预定温度下测量DUT 30的特性;及(v)重复操作(i)到(iv)以在不同预定温度下测量DUT 30的特性。

在一些实施例中,可由集成于IC 3中的控制电路(图式中未示出)控制施加到FinFET的功率。控制电路连接到传感器且接收有关DUT 30的温度的信息。接着,控制电路基于从传感器接收的信息来调整施加到FinFET的功率。在一些实施例中,可由IC 3外部的控制电路控制施加到FinFET的功率。

导热衬垫31B、32B、33B、34B分别定位于加热器31、32、33、34上方。导热衬垫31C、32C、33C、34C分别定位于DUT 30与加热器31、32、33、34之间且包围DUT 30。导热衬垫31C、32C、33C、34C分别与导热衬垫31B、32B、33B、34B连接。导热衬垫31B、31C、32B、32C、33B、33C、34B、34C用于将由加热器31、32、33、34产生的热量传输到DUT 30。在一些实施例中,可通过电介质层或空气且通过导热衬垫31B、32B、33B、34B来将由加热器31、32、33、34产生的热量从加热器31、32、33、34传递到导热衬垫31C、32C、33C、34C。导热衬垫31B、31C、32B、32C、33B、33C、34B、34C由例如金属、合金或其它适合材料的任何导热材料制成。在一些实施例中,导热衬垫31C、32C、33C、34C的材料可与导热衬垫31B、32B、33B、34B的材料相同。或者,导热衬垫31C、32C、33C、34C的材料与导热衬垫31B、32B、33B、34B的材料不同。由于导热衬垫具有比加热器31、32、33、34与DUT 30之间的电介质层或空气更高的传热系数,所以导热衬垫可促进传热,使得可更均匀快速地加热DUT 30。

在一些实施例中,在对图3中的DUT 30的测试操作期间,将第一电压施加到FinFET31A的源极区域,将第二电压施加到FinFET 31A的衬底。换句话来说,FinFET的栅极区域是断开的。或者,在对图3中的DUT 30的测试操作期间,将第一电压施加到FinFET 31A的漏极区域且将第二电压施加到FinFET 31A的栅极区域。电流将从漏极区域通过沟道区域而流动到源极区域来产生热量。另外,可通过FinFET 31A的p-n结(例如源极/漏极区域与衬底之间的结)之间的电压差来产生热量。

在一些实施例中,热晶片卡盘可用于加热DUT。然而,热晶片卡盘无法在有效时段内加热DUT。与热晶片卡盘相比,可通过控制施加到FinFET的功率来快速调整FinFET的温度以依更有效且更可靠的方式将DUT加热到预定温度。在一些实施例中,多晶硅加热器可用于加热DUT。然而,多晶硅加热器的寿命、发热稳定性及温度控制灵敏度不如本文中所描述的半导体装置加热器的寿命、发热稳定性及温度控制灵敏度。流动通过多晶硅加热器的电流将不可避免地劣化材料结构完整性。然而,在本发明的实施例中,电流流动通过FinFET的金属栅极、(例如)MOS装置的沟道或p-n结,因此,不会对本文中所提出的半导体装置加热器造成结构损坏。可预期较长加热器寿命。此外,半导体装置的自加热特性及外加功率与由自加热特性产生的热量之间的相关性可用于准确控制DUT的温度。与多晶硅加热器相比,FinFET归因于其结构限制而更稳定可靠。另外,使用FinFET作为加热器完全匹配FinFET CMOS制程且无额外工作量,其将减少制造成本。

鉴于上文,本发明的实施例提供稳定可靠热源来加热待受测装置以在不同温度处准确测量装置的特性。

本发明的实施例提供一种集成电路(IC)。所述IC包括待受测装置及第一加热器。所述第一加热器定位于所述装置的第一侧处且提供热量来控制所述装置的温度。所述第一加热器包括半导体装置,其具有第一掺杂区域及具有与所述第一掺杂区域的导电类型相反的导电类型的第二掺杂区域,所述第一掺杂区域与所述第二掺杂区域介接。

本发明的实施例提供一种半导体装置。所述半导体装置包括待受测装置及第一组FinFET。所述第一组FinFET定位于所述装置的第一侧处来加热所述装置。通过施加到每一FinFET的功率来控制由所述第一组FinFET产生的热量。

本发明的实施例提供一种用于控制装置的温度的方法。所述方法包括:提供所述装置;及将第一组FinFET布置于所述装置的第一侧处来加热所述装置,其中通过施加到每一FinFET的功率来控制由所述第一组FinFET产生的热量。

此外,不希望本揭示的范围受限于本说明书中所描述的制程、机器、制造及物质的组合物、方式、方法及步骤的特定实施例。本领域技术人员将易于从本揭示的揭示内容了解,可根据本揭示来利用目前既有或待后来开发的制程、机器、制造、物质的组合物、方式、方法或步骤,其执行基本上相同于本文中所描述的对应实施例的功能或实现基本上相同于本文中所描述的对应实施例的结果。相应地,希望随附权利要求书在其范围内包含例如制程、机器、制造、物质的组合物、方式、方法或步骤/操作。另外,每一项权利要求构成单独实施例,且各种权利要求及实施例的组合是在本揭示的范围内。

符号说明

1 集成电路(IC)

2 集成电路(IC)

3 集成电路(IC)

10 受测装置(DUT)

11 加热器

11A 鳍式场效晶体管(FinFET)

12 导热衬垫

20 受测装置(DUT)

21 加热器

21A 鳍式场效晶体管(FinFET)

22 加热器

23 加热器

24 加热器

30 受测装置(DUT)

31 加热器

31A 鳍式场效晶体管(FinFET)

31B 导热衬垫

31C 导热衬垫

32 加热器

32B 导热衬垫

32C 导热衬垫

33 加热器

33B 导热衬垫

33C 导热衬垫

34 加热器

34B 导热衬垫

34C 导热衬垫

101 衬底

102 鳍片结构

103 栅极结构

103a 第一分段

103b 第二分段

104 高介电系数电介质层

105a 电介质侧壁

105b 电介质侧壁

106 层间电介质(ILD)层

107 隔离构件

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