本发明涉及一种氧化钛薄膜电极的制备工艺。
背景技术：
近年来，半导体尤其是二氧化钛由于在光电转换、腐蚀、纳米加工和光催化降解污染物等领域显示了广泛的应用前景，因而得到普遍研究。对光电转换和光电催化而言，TiO2因其高稳定性和良好的光催化活性被认为是目前较好的催化剂。采用溶胶- 凝胶、气相沉积、阳极氧化、电泳等制备TiO2的方法研究较多，而对直接热氧化制备研究很少。
技术实现要素：
本发明提出一种利用直接热氧化制备氧化钛薄膜电极的工艺。
一种氧化钛薄膜电极的制备工艺，其特征在于包括以下步骤：
（1) 取纯钛片，厚度0.1-0.35cm，含量不小于99.7%，依次经0#和8 #金刚砂纸打磨，
（2）放入去离子水中清洗，同时置入HNO3和HF混合液中刻蚀10-30S；
（3）将步骤（2）刻蚀过得钛片经丙酮和去离子水清洗，自然干燥后置入马福炉中，于空气条件下，从室温以5C/min升至95摄氏度温度，然后在此温度下保温30分钟；
（4）将步骤（3）产物冷却至室温即得氧化钛：
（5）在氧化钛背面点焊导线，除工作部分外其余用环氧树脂密封，即获得氧化钛薄膜电极。
优选地，所述钛片厚度0.15cm。
优选地，所述（2）中HNO3：HF=3：11的混合液中刻蚀15S。
优选地，所述（2）中HNO3：HF=5：13的混合液中刻蚀15S。
利用本发明所述工艺方法制备的二氧化钛薄膜为金红石型，随氧化温度升高和时间延长，孔隙率减少，表面结晶致密度增大，导电性好。
具体实施方式
实施例1。
一种氧化钛薄膜电极的制备工艺，包括以下步骤：
（1) 取纯钛片，厚度0.1-0.35cm，含量不小于99.7%，依次经0#和8 #金刚砂纸打磨，
（2）放入去离子水中清洗，同时置入HNO3和HF混合液中刻蚀10-30S；
（3）将步骤（2）刻蚀过得钛片经丙酮和去离子水清洗，自然干燥后置入马福炉中，于空气条件下，从室温以5C/min升至95摄氏度温度，然后在此温度下保温30分钟；
（4）将步骤（3）产物冷却至室温即得氧化钛：
（5）在氧化钛背面点焊导线，除工作部分外其余用环氧树脂密封，即获得氧化钛薄膜电极。
实施例2。
一种氧化钛薄膜电极的制备工艺，包括以下步骤：
（1) 取纯钛片，厚度0.1-0.35cm，含量不小于99.7%，依次经0#和8 #金刚砂纸打磨，
（2）放入去离子水中清洗，同时置入HNO3和HF混合液中刻蚀10-30S；
（3）将步骤（2）刻蚀过得钛片经丙酮和去离子水清洗，自然干燥后置入马福炉中，于空气条件下，从室温以5C/min升至95摄氏度温度，然后在此温度下保温30分钟；
（4）将步骤（3）产物冷却至室温即得氧化钛：
（5）在氧化钛背面点焊导线，除工作部分外其余用环氧树脂密封，即获得氧化钛薄膜电极；本实施例优选所述钛片厚度0.15cm。
实施例3。
一种氧化钛薄膜电极的制备工艺，包括以下步骤：
（1) 取纯钛片，厚度0.15cm，含量不小于99.7%，依次经0#和8 #金刚砂纸打磨，
（2）放入去离子水中清洗，同时置入HNO3和HF混合液中刻蚀10-30S；
（3）将步骤（2）刻蚀过得钛片经丙酮和去离子水清洗，自然干燥后置入马福炉中，于空气条件下，从室温以5C/min升至95摄氏度温度，然后在此温度下保温30分钟；
（4）将步骤（3）产物冷却至室温即得氧化钛：
（5）在氧化钛背面点焊导线，除工作部分外其余用环氧树脂密封，即获得氧化钛薄膜电极；（6）所述（2）中HNO3：HF=3：11的混合液中刻蚀15S。
实施例4。
一种氧化钛薄膜电极的制备工艺，包括以下步骤：
（1) 取纯钛片，厚度0.15cm，含量不小于99.7%，依次经0#和8 #金刚砂纸打磨，
（2）放入去离子水中清洗，同时置入HNO3和HF混合液中刻蚀10-30S；
（3）将步骤（2）刻蚀过得钛片经丙酮和去离子水清洗，自然干燥后置入马福炉中，于空气条件下，从室温以5C/min升至95摄氏度温度，然后在此温度下保温30分钟；
（4）将步骤（3）产物冷却至室温即得氧化钛：
（5）在氧化钛背面点焊导线，除工作部分外其余用环氧树脂密封，即获得氧化钛薄膜电极；
（6）如权利要求1所述一种氧化钛薄膜电极的制备工艺，其特征在于：所述（2）中HNO3：HF=5：13的混合液中刻蚀25S。