一种晶硅电池多层钝化膜及其制造方法与流程

文档序号:11136656阅读:来源:国知局
技术总结
本发明公开了一种晶硅电池多层钝化膜及其制备方法;晶硅电池多层钝化膜,包括第一氧化硅膜、氮化硅膜、第二氧化硅膜以及氮氧化硅膜;氮化硅膜沉积在第一氧化硅膜上;第二氧化硅膜沉积在氮化硅膜上,氮氧化硅膜沉积在第二氧化硅膜上;第一氧化硅膜厚度为5‑9nm,氮化硅膜厚度为60‑90nm,第二氧化硅膜的厚度为10‑20nm,氮氧化硅膜的厚度为15‑30nm。本发明光线发生全反射的概率大幅度地提高,即有更多的光线进入硅片内,可以产生更多的载流子,提高电池效率。

技术研发人员:庞倩桃
受保护的技术使用者:庞倩桃
文档号码:201611087654
技术研发日:2016.11.30
技术公布日:2017.02.15

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