技术总结
本公开提供一半导体装置。上述半导体装置包括源极/漏极、栅极、形成于上述栅极的侧壁上的栅极间隔物、以及形成于上述源极/漏极上的介电元件。上述栅极间隔物形成于栅极与介电元件之间。形成一凹口于上述介电元件的上表面中。形成介电层于介电元件的上表面及上述凹口之上，使得上述介电层的一部分呈现出下凹的形状。蚀刻出穿过上述介电层及介电元件的接触孔。上述接触孔露出源极/漏极。填充上述接触孔以形成源极/漏极接点。
技术研发人员：林志翰;张哲诚;曾鸿辉
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201611104469
技术研发日：2016.12.05
技术公布日：2017.09.15