本发明涉及GPP芯片技术领域，具体为一种GPP芯片电泳法制作工艺。
背景技术：
随着半导体技术的发展，对半导体表面钝化的要求越来越高，作为GPP芯片一种钝化材料，无疑应具备：一是良好的电气性能和可靠性，包括电阻率、介电强度、离子迁移率等，材料的引入不应给器件带来副作用；二是良好的化学稳定性，半导体工艺是用化学试剂开展的工艺，作为器件的钝化材料，应有一定的抗化学腐蚀能力；三是可操作性，工艺要简单，重复性好，能与器件制造工艺相容，材料的膨胀系数要与硅材料相一致或接近；四是经济性。可大批量生产，制造成本要低，有市场竞争力，材料和工艺有强大的生命力和开发潜力，根据上述要求，近年来市场上出现的利用半导体钝化专用玻璃制作玻璃钝化硅二极管(GPP)芯片就是一种较为理想的半导体钝化材料，目前，使用玻璃钝化硅二极管(GPP)芯片的呼声越来越高，并得到电子行业内人士的普遍认可。
现在市面上的一些方法对GPP芯片的处理并不符合现在理想的状态，所以现在市面上需要一种电泳法钝化GPP芯片。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种GPP芯片电泳法制作工艺，以解决背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种GPP芯片电泳法制作工艺，所述制作工艺包括选择制造材料、硅片清洗、磷预淀积、硼扩散、双面喷砂去氧化层、钝化保护、玻璃钝化、漂洗和划片。
优选的，所述选择制造材料采用N型直拉单晶硅，选择原始硅片厚度约270±10um。
优选的，所述硅片清洗用混合酸、清洗剂和纯水在清洗槽或超声波清洗机内清洗硅片，清洗完成后使用烘干机使其表面洁净并烘干。
优选的，所述磷预淀积选用P60纸质磷源，所述P60纸质磷源更适合GPP芯片的生产，所述硅片每两片中间放一张磷源纸，将硅片排列整齐并压紧在石英舟中。
优选的，所述硼扩散硼源选用B40纸质硼源。
优选的，所述双面喷砂去氧化层，硅片经自来水清洗后，喷砂去除未附磷纸那一面的扩散层，同时减薄硅片去除约10um，用混合酸、清洗剂和纯水在清洗槽或超声波清洗机内清洗硅片，去除硅片表面的缺陷、金属杂质、可动离子和有机物，使其表面洁净并烘干。
优选的，所述钝化保护钝化液包括氧化氢、磷酸和去离子水，所述钝化液的配比为过氧化氢：磷酸：去离子水＝1：1：2-4；温度70℃±5℃，时间为40s-60s。
优选的，所述玻璃钝化包括以下步骤：
(1)乙二醇和醋酸纤维素作为悬浮媒介，所述乙二醇和醋酸纤维素的体积比为1:1。
(2)每100克悬浮液中加入2--4克玻璃粉，利用超声波进行超声4--5分钟，将超声过后的液体静置4--5分钟后将其倒入石英液槽内。
(3)按2.0-4.0g/L的比例加入28％的氨水。
(4)上述电解液添加好后超声混合4分钟然后将携带硅片及其反电极的装置浸入电解液中，硅片和反电极的最佳距离是2厘米。
(5)悬浮液静置30秒后由直流电源通过电泳装置的端子加以100--200V/cm场强，静置2-4分钟。
优选的，所述漂洗的漂洗液体为氟硼酸，用氟硼酸和水的混合液对芯片进行漂洗，漂洗时间为60-90s，用于去除表面的氧化层。
优选的，所述划片是将漂洗完成过后的芯片按照规定的形状进行划片处理，得到所需的芯片。
本发明采用的GPP芯片制造的全过程，从材料的选取到最后物体的制成全部涉及到，而使用电泳法对玻璃进行钝化使玻璃的附着面更广，使附着更加的均匀，提高了GPP芯片的质量，可以更好的进行信息的传导。
具体实施方式
对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一：
一种GPP芯片电泳法制作工艺，制作工艺包括选择制造材料、硅片清洗、磷预淀积、硼扩散、双面喷砂去氧化层、钝化保护、玻璃钝化、漂洗和划片。
选择制造材料采用N型直拉单晶硅，选择原始硅片厚度约270um。
硅片清洗用混合酸、清洗剂和纯水在清洗槽或超声波清洗机内清洗硅片，清洗完成后使用烘干机使其表面洁净并烘干。
磷预淀积选用P60纸质磷源，P60纸质磷源更适合GPP芯片的生产，硅片每两片中间放一张磷源纸，将硅片排列整齐并压紧在石英舟中。
硼扩散硼源选用B40纸质硼源。
双面喷砂去氧化层，硅片经自来水清洗后，喷砂去除未附磷纸那一面的扩散层，同时减薄硅片去除10um，用混合酸、清洗剂和纯水在清洗槽或超声波清洗机内清洗硅片，去除硅片表面的缺陷、金属杂质、可动离子和有机物，使其表面洁净并烘干。
钝化保护钝化液包括氧化氢、磷酸和去离子水，钝化液的配比为过氧化氢：磷酸：去离子水＝1：1：3；温度72℃，时间为50s。
玻璃钝化包括以下步骤：
(1)乙二醇和醋酸纤维素作为悬浮媒介，乙二醇和醋酸纤维素的体积比为1:1。
(2)每100克悬浮液中加入3克玻璃粉，利用超声波进行超声4分钟，将超声过后的液体静置4分钟后将其倒入石英液槽内。
(3)按4.0g/L的比例加入28％的氨水。
(4)上述电解液添加好后超声混合4分钟然后将携带硅片及其反电极的装置浸入电解液中，硅片和反电极的最佳距离是2厘米。
(5)悬浮液静置30秒后由直流电源通过电泳装置的端子加以200V/cm场强，静置4分钟。
漂洗的漂洗液体为氟硼酸，用氟硼酸和水的混合液对芯片进行漂洗，漂洗时间为80s，用于去除表面的氧化层。
划片是将漂洗完成过后的芯片按照规定的形状进行划片处理，得到所需的芯片
实施例二：
一种GPP芯片电泳法制作工艺，制作工艺包括选择制造材料、硅片清洗、磷预淀积、硼扩散、双面喷砂去氧化层、钝化保护、玻璃钝化、漂洗和划片。
选择制造材料采用N型直拉单晶硅，选择原始硅片厚度约265um。
硅片清洗用混合酸、清洗剂和纯水在清洗槽或超声波清洗机内清洗硅片，清洗完成后使用烘干机使其表面洁净并烘干。
磷预淀积选用P60纸质磷源，P60纸质磷源更适合GPP芯片的生产，硅片每两片中间放一张磷源纸，将硅片排列整齐并压紧在石英舟中。
硼扩散硼源选用B40纸质硼源。
双面喷砂去氧化层，硅片经自来水清洗后，喷砂去除未附磷纸那一面的扩散层，同时减薄硅片去除约10um，用混合酸、清洗剂和纯水在清洗槽或超声波清洗机内清洗硅片，去除硅片表面的缺陷、金属杂质、可动离子和有机物，使其表面洁净并烘干。
钝化保护钝化液包括氧化氢、磷酸和去离子水，钝化液的配比为过氧化氢：磷酸：去离子水＝1：1：4；温度65，时间为40s。
玻璃钝化包括以下步骤：
(1)乙二醇和醋酸纤维素作为悬浮媒介，乙二醇和醋酸纤维素的体积比为1:1。
(2)每100克悬浮液中加入2克玻璃粉，利用超声波进行超声5分钟，将超声过后的液体静置5分钟后将其倒入石英液槽内。
(3)按2.0g/L的比例加入28％的氨水。
(4)上述电解液添加好后超声混合4分钟然后将携带硅片及其反电极的装置浸入电解液中，硅片和反电极的最佳距离是2厘米。
(5)悬浮液静置30秒后由直流电源通过电泳装置的端子加以200V/cm场强，静置2分钟。
漂洗的漂洗液体为氟硼酸，用氟硼酸和水的混合液对芯片进行漂洗，漂洗时间为90s，用于去除表面的氧化层。
划片是将漂洗完成过后的芯片按照规定的形状进行划片处理，得到所需的芯片。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。