1.一种高能量密度薄膜电容，其特征是：高能量密度薄膜电容结构为Si衬底/金属电极/电介质薄膜/缓冲层/磁性薄膜/金属电极；电介质薄膜、磁性薄膜以及电极均采用蒸发工艺沉积而成，缓冲层位于磁性薄膜与电介质薄膜界面。
2.根据权利要求1所述的高能量密度薄膜电容，其特征是：电介质薄膜为掺杂磁性元素的钛酸铜钙，电介质薄膜厚度为0.3μm-3μm，掺杂元素的化合价态，部分替代Ca或Ti，占据相应的晶格位置。
3.根据权利要求2所述的高能量密度薄膜电容，其特征是：掺杂的磁性元素为Ni、Co、Mn、La或镧系元素，掺杂浓度摩尔量比例小于5％。
4.根据权利要求1所述的高能量密度薄膜电容，其特征是：缓冲层为Pt或Pd薄膜，厚度为0.1-0.3μm。
5.根据权利要求1所述的高能量密度薄膜电容，其特征是：磁性薄膜材料为MnxGa合金，x＝1.1-1.9，磁性薄膜厚度为0.05μm-0.5μm。
6.一种高能量密度薄膜电容的制备方法，其特征是：制备Si衬底/金属电极/缓冲层/电介质薄膜/磁性薄膜/金属电极结构薄膜电容时，采用电子束蒸发工艺制备电介质薄膜，电介质薄膜沉积过程中的衬底温度为600℃-900℃，通入氧气流量为10sccm-60sccm。
7.根据权利要求6所述的高能量密度薄膜电容的制备方法，其特征是：电子束蒸发工艺制备电介质薄膜时，首先采用电子束蒸发工艺在电介质薄膜表面沉积一层厚度为0.05μm的Au或Pd薄膜，然后通过离子束切割工艺得到一层厚度0.1-0.3μm的Pt(001)或Pd(001)缓冲层薄膜，并通过Au-Pt、Pd-Pd金属键合转移到电介质薄膜上。
8.根据权利要求6或7所述的高能量密度薄膜电容的制备方法，其特征是：采用真空蒸发工艺沉积磁性薄膜，磁性薄膜为MnxGa合金，x＝1.1-1.9，沉积过程中衬底温度为150℃-380℃，Mn源和Ga源的蒸发温度分别为960℃-990℃和1000℃-1060℃。