技术总结
本发明涉及一种高能量密度薄膜电容及其制备方法。本发明属于物理电源技术领域。一种高能量密度薄膜电容，其特点是：高能量密度薄膜电容结构为Si衬底/金属电极/电介质薄膜/缓冲层/磁性薄膜/金属电极；其中，磁性薄膜提供垂直于电介质方向的、一定强度的磁场，使电介质薄膜内部介电极化增强，可有效提高电容量及能量密度。缓冲层金属薄膜用于辅助磁性薄膜外延生长，保证其具有较好的垂直方向磁各向异性。制备该结构薄膜电容时，电介质薄膜、磁性薄膜以及电极均采用蒸发工艺沉积而成，可实现电容器件的连续化沉积。本发明薄膜电容具有功率密度高，能量密度高，长寿命储能，工作电压高，应用范围广泛，电容器件连续化制备，可批量化生产等优点。
技术研发人员：王赫;杨亦桐;徐睿;高鹏
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第十八研究所
文档号码：201611226336
技术研发日：2016.12.27
技术公布日：2017.05.10