技术总结
本发明实施例公开了半导体器件、鳍式场效晶体管器件及其形成方法。根据一些实施例，半导体器件包括衬底、第一栅堆叠、第一介电层、遮蔽层及连接件。所述第一栅堆叠位于衬底之上。所述第一介电层位于所述第一栅堆叠侧边，其中所述第一栅堆叠的顶表面低于所述第一介电层的顶表面，从而在所述第一栅堆叠上方提供第一凹陷。所述遮蔽层位于所述第一凹陷的表面上且延伸至所述第一介电层的所述顶表面上。所述连接件穿过所述遮蔽层并电连接至所述第一栅堆叠。
技术研发人员：张哲诚;林志翰;曾鸿辉
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201611230186
技术研发日：2016.12.27
技术公布日：2017.09.15