一种LED灯珠的封装结构及其漏电检测方法与流程

本发明涉及LED技术领域，特别涉及一种LED灯珠的封装结构及其漏电检测方法。

背景技术：

目前，成品LED(Light Emitting Diode，发光二极管)灯珠会由于多种原因而产生漏电现象，而发生漏电现象的LED灯珠的寿命会大大缩短，所以出厂前对LED灯珠进行漏电检测成为了LED灯珠产品品质保障的一个非常重要的步骤。

传统单色LED灯珠产品漏电检测是用专用电性测试仪器进行测试，对于单色芯片封装的LED灯珠，将电性测试仪调至反向电压，在LED灯珠正负极引脚加反向电压，读取反向电流数据，一般LED的反向电流上限定义为1μA，若读取的反向电流超过1μA，则判定为漏电不良品。但目前市面上存在的驱动芯片与LED灯珠封装在一起的封装结构如图1所示，驱动芯片的VCC(Volt CurrentCondenser，电源电压)端与LED灯珠的VCC端(即正极)连接，这种封装结构无法进行漏电检测，其原因是，当在VCC与GND(Ground，电线接地端)之间加上反向电压时，会导致驱动芯片因VCC端接负电压而烧毁。

因此对于存在驱动芯片的LED灯珠产品，如何进行LED灯珠的封装及进行漏电检测，以保障LED灯珠产品的品质，是我们亟需解决的问题。

技术实现要素：

本发明提供了一种LED灯珠的封装结构及其漏电检测方法，该LED灯珠的封装结构增加了一个VCC引脚直接连接驱动芯片的VCC端，当在漏电检测时，将VCC引脚悬空，使用LED灯珠的VCC test引脚与GND引脚进行漏电检测，解决了因VCC端接负电压而烧坏驱动芯片的问题，也保障了LED灯珠产品的品质。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一方面，提供了一种LED灯珠的封装结构，该LED灯珠的封装结构包括透镜封装体及封装在所述透镜封装体内的支架，所述支架上设置有发光芯片和驱动芯片，所述发光芯片与所述驱动芯片电性连接，所述支架上还设置有延伸出透镜封装体外部的VCC引脚、GND引脚、和VCC test引脚，所述VCC引脚与所述驱动芯片的VCC端连接，所述VCC test引脚与所述发光芯片的正极连接，所述发光芯片的负极连接所述驱动芯片中的NMOS管的漏极，所述NMOS管的源极连接GND引脚。

其中，所述NMOS管的栅极连接所述驱动芯片的信号控制端。

其中，所述发光芯片包括LED R发光芯片、LED G发光芯片及LED B发光芯片，所述LED R发光芯片、所述LED G发光芯片及所述LED B发光芯片的正极均连接VCC test引脚。

其中，所述驱动芯片分别与所述LED R发光芯片、所述LED G发光芯片及所述LED B发光芯片电性连接，以分别控制所述LED R发光芯片、所述LEDG发光芯片及所述LED B发光芯片的灰度。

另一方面，还提供了一种基于上述LED灯珠的封装结构的漏电检测方法，该漏电检测方法，包括：

将VCC引脚悬空，VCC test引脚接-5V电压，GND引脚接0V电压；

检测经过所述LED灯珠的电流，得到所述LED灯珠的反向漏电电流；

根据所述反向漏电电流与预设反向漏电电流阈值的比较结果判断所述LED灯珠是否漏电。

其中，所述根据所述反向漏电电流与预设反向漏电电流阈值的比较结果判断所述LED灯珠是否漏电包括：

判断所述反向漏电电流是否大于等于预设反向漏电电流阈值，若是，则所述LED灯珠漏电，所述LED灯珠为不良品；若否，则所述LED灯珠不漏电，所述LED灯珠为良品。

其中，所述预设反向漏电电流阈值为1μA。

其中，所述判断所述反向漏电电流是否大于等于预设反向漏电电流阈值，若否，则所述LED灯珠不漏电，所述LED灯珠为良品之后，还包括：

将所述VCC引脚与所述VCC test引脚短接。

与现有技术相比，本发明的有益效果为：本发明提供的LED灯珠的封装结构包括：透镜封装体及封装在所述透镜封装体内的支架，所述支架上设置有发光芯片和驱动芯片，所述发光芯片与所述驱动芯片电性连接，所述支架上还设置有延伸出透镜封装体外部的VCC引脚、GND引脚、和VCC test引脚，所述VCC引脚与所述驱动芯片的VCC端连接，所述VCC test引脚与所述发光芯片的正极连接，所述发光芯片的负极连接所述驱动芯片中的NMOS管的漏极，所述NMOS管的源极连接GND引脚。本发明提供的LED灯珠的封装结构增加了一个VCC引脚直接连接驱动芯片的VCC端，当在漏电检测时，将VCC引脚悬空，使用LED灯珠的VCC test引脚与GND引脚进行漏电检测；若检测出是良品后，将VCC引脚与VCC test引脚短接，即可正常使用，解决了因VCC端接负电压而烧坏驱动芯片的问题，也保障了LED灯珠产品的品质。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对本发明实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据本发明实施例的内容和这些附图获得其他的附图。

图1是现有技术存在的驱动芯片与LED灯珠封装在一起的封装结构的结构示意图。

图2是本发明具体实施方式中提供一种LED灯珠的封装结构的结构示意图一。

图3是本发明具体实施方式中提供一种LED灯珠的封装结构的结构示意图二。

图4是本发明具体实施方式中提供的一种发光芯片从正极VCC test引脚经过驱动芯片中的NMOS管连接到负极GND引脚的漏电检测电路的示意图。

图5是本发明具体实施方式中提供的一种LED灯珠的漏电检测方法的方法流程图。

具体实施方式

为使本发明解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面将结合附图对本发明实施例的技术方案作进一步的详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参考图2和图3，图2是本发明具体实施方式中提供的一种LED灯珠的封装结构的结构示意图一，该图为封装结构的俯视图；图3是本发明具体实施方式中提供的一种LED灯珠的封装结构的结构示意图二，如图所示，该LED灯珠的封装结构包括透镜封装体及封装在所述透镜封装体内的支架，所述支架上设置有发光芯片和驱动芯片，所述发光芯片与所述驱动芯片电性连接，所述支架上还设置有延伸出透镜封装体外部的VCC引脚、GND引脚、和VCC test引脚，所述VCC引脚与所述驱动芯片的VCC端连接，所述VCC test引脚与所述发光芯片的正极连接，所述发光芯片的负极连接所述驱动芯片中的NMOS管的漏极，所述NMOS管的源极连接GND引脚。所述支架根据产品需要还可包括其他引脚，也不仅仅只是VCC引脚、GND引脚、和VCC test引脚，所述VCC引脚与所述VCC test引脚不连接。

需要说明的是发光芯片的正极连接VCC test引脚，即发光芯片的VCC端连接VCC test引脚。本发明实施例增加了一个VCC引脚直接连接驱动芯片的VCC端，驱动芯片的VCC端与发光芯片的VCC端不连接，当在漏电检测时，将VCC引脚悬空，使用LED灯珠的VCC test引脚与GND引脚进行漏电检测，解决了VCC端接负电而烧坏驱动芯片的问题，也保障了LED灯珠产品的品质。

进一步地，如图4所示，其本发明具体实施方式中提供的一种发光芯片从正极VCC test引脚经过驱动芯片中的NMOS管连接到负极GND引脚的漏电检测电路的示意图，如图所示，所述驱动芯片包括一个NOMS管，所述发光芯片的负极连接所述NMOS管的漏极(D极)，所述NMOS管的源极(S极)连接GND引脚。所述NMOS管的栅极(G极)连接所述驱动芯片的信号控制端。所述发光芯片经过所述驱动芯片中的NMOS管连接GND引脚，当LED灯珠的VCC test端接反向电压时，NMOS管产生的寄生二极管使NMOS反向导通，此时若LED灯珠有漏电，漏电检测电路就会产生反向漏电电流，如果反向漏电电流过大，则说明该LED灯珠为不良品，需要筛选掉。

进一步地，所述发光芯片包括LED R发光芯片、LED G发光芯片及LED B发光芯片，所述LED R发光芯片、所述LED G发光芯片及所述LED B发光芯片的正极均连接VCC test引脚，即LED灯珠为多色LED灯珠，R、G、B分别对应的是红、绿、蓝，LED R发光芯片、所述LED G发光芯片及所述LED B发光芯片的正极(即VCC端)均连接VCC test引脚，这样使电路布线更简单，也方便给各个发光芯片提供电压。

进一步地，所述驱动芯片分别与所述LED R发光芯片、所述LED G发光芯片及所述LED B发光芯片电性连接，以分别控制所述LED R发光芯片、所述LED G发光芯片及所述LED B发光芯片的灰度，进而控制LED灯珠显示不同的颜色。

本发明具体实施方式中还提供了一种基于上述LED灯珠的封装结构的漏电检测方法，如图5所示，其是本发明具体实施方式中提供的一种LED灯珠的漏电检测方法的方法流程图，如图所示，该漏电检测方法，包括：

步骤S101：将VCC引脚悬空，VCC test引脚接-5V电压，GND引脚接0V电压。将VCC引脚悬空，是为了避免驱动芯片的VCC端接负电压而烧毁芯片；VCC test引脚接-5V电压，GND引脚接0V电压，即使发光芯片接反向电压，当LED灯珠的VCC test端接反向电压时，NMOS管产生的寄生二极管使NMOS反向导通，此时若LED灯珠有漏电，就会产生反向漏电电流，如图3所示。

步骤S102：检测经过所述LED灯珠的电流，得到所述LED灯珠的反向漏电电流。使LED灯珠接反向电压之后，检测经过所述LED灯珠的电流，该电流即LED灯珠的反向漏电电流。

步骤S103：根据所述反向漏电电流与预设反向漏电电流阈值的比较结果判断所述LED灯珠是否漏电。

具体地，所述根据所述反向漏电电流与预设反向漏电电流阈值的比较结果判断所述LED灯珠是否漏电包括：

判断所述反向漏电电流是否大于等于预设反向漏电电流阈值，若是，则所述LED灯珠漏电，所述LED灯珠为不良品；若否，则所述LED灯珠不漏电，所述LED灯珠为良品。

作为一个优选的实施例，所述预设反向漏电电流阈值为1μA，用户也可以根据产品要求，选择其他预设反向漏电电流阈值，这里不做限定。

进一步地，所述判断所述反向漏电电流是否大于等于预设反向漏电电流阈值，若否，则所述LED灯珠不漏电，所述LED灯珠为良品之后，还包括：将所述VCC引脚与所述VCC test引脚短接。若LED灯珠为良品，则将VCC引脚与VCC test引脚短接，即可正常使用，方便给LED灯珠和驱动芯片提供电压。

本发明提供的LED灯珠的封装结构增加了一个VCC引脚直接连接驱动芯片的VCC端，当在漏电检测时，将VCC引脚悬空，使用LED灯珠的VCC test引脚与GND引脚进行漏电检测；若检测出是良品后，将VCC引脚与VCC test引脚短接，即可正常使用，解决了因VCC端接负电压而烧坏驱动芯片的问题，也保障了LED灯珠产品的品质。

以上结合具体实施例描述了本发明的技术原理。这些描述只是为了解释本发明的原理，而不能以任何方式解释为对本发明保护范围的限制，附图中所示的也只是本发明的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本发明的其它具体实施方式，这些方式都将落入本发明的保护范围之内。