用于热释电传感器晶元芯片的批量极化电路板的制作方法

本发明涉及热感应芯片，具体地指用于热释电传感器晶元芯片的批量极化电路板。

背景技术：

热释电传感器是基于热释电材料的热释电效应工作的器件，所谓热释电效应是指极化强度随温度改变而表现出的电荷释放现象，宏观上是温度的改变在材料的两端诱导出现电压或产生电流。

热释电材料的热释电效应只有在材料定向极化后方能显现，所谓极化则是在芯片两端加一定的直流电压，诱导材料内部的偶极子定向排列，形成具有一定极化强度的灵敏元芯片。

而现有的芯片极化需求量极大，因此亟待一种可以对芯片进行批量极化的极化电路板。

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题是现有极化电路需要单对单定位较为繁琐。:

为解决上述的技术问题,本发明提供了一种可对芯片进行批量极化的用于热释电传感器晶元芯片的批量极化电路板。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：

一种用于热释电传感器晶元芯片的批量极化电路板，包括上极化板、极化底板。

所述上极化板包括背向所述极化底板的上极化板背面和面向所述极化底板的上极化板正面。

所述上极化板正面上设置有极化探针阵列；所述极化底板面向所述极化板正面一面设置有待极化芯片凹槽阵列，所述待极化芯片凹槽阵列内布置有若干个待极化芯片；所述待极化芯片与所述极化芯片凹槽形状大小相适应；所述极化芯片凹槽与所述极化探针形状大小位置相适应。

所述待极化芯片两端与所述极化探针电连接，所述极化探针两端与极化电源电连接。

进一步地，所述极化探针至少一端与所述极化电源之间设置有保护电阻。

保护电阻保护了极化过程个别芯片高压击穿产生的直流短路，防止损坏极化仪器，保证剩余芯片的正常极化。

又进一步地，所述极化探针为可伸缩极化探针，所述极化探针的固定端与所述上极化板正面相连接，所述极化探针的自由端与所述待极化芯片相连接。

通过上述这种软性连接方式，保护了芯片上已经制备的导电镀膜层和红外吸收膜层。

再进一步地，所述上极化板、所述极化底板设置有若干个定位孔，以方便机械臂进行操作。

本发明中的电路结构与参数可实现与新型材料的高匹配性；以及对仪器和芯片极化过程的高保护性；从工艺性角度上，可实现芯片的无损伤接触与极化；芯片极化的性能优异，完全满足应用要求；从效率角度上，由于配置了定位卡槽，无需单个对准，可实现批量芯片的快速取放，以及探针的快速接触。

附图说明

图1为本发明侧视结构示意图；

图2为本发明立体结构图；

图3为本发明中上极化板背面结构示意图；

图4为本发明中上极化板正面结构示意图；

图5为本发明中极化底板结构示意图。

附图中，各标号所代表的部件列表如下：

1上极化板；1a上极化板背面；1b上极化板正面；1.1保护电阻；1.2极化探针；1.3定位孔；2极化底板；2.1待极化芯片。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。

如图1、图2所示，一种用于热释电传感器晶元芯片的批量极化电路板，其特征在于：包括上极化板1、极化底板2。

上极化板1包括背向极化底板2的上极化板背面1a和面向极化底板2的上极化板正面1b。

上极化板正面1b上设置有极化探针1.2阵列；极化底板2面向极化板正面1b一面设置有待极化芯片凹槽阵列，凹槽底部设计有导电层，待极化芯片凹槽阵列内布置有若干个待极化芯片2.1；待极化芯片2.1与极化芯片凹槽形状大小相适应；极化探针1.2形状大小位置与极化芯片凹槽中心位置相适应。

待极化芯片2.1正面端与极化探针1.2弹性接触实现电连接，极化探针1.2另外一端与极化电源正端电连接。

待极化芯片2.1反面端与凹槽底部导电层实现电连接，并引出与极化电源负端电连接。

如图3所示，图中E型为总引线，将每个探针经电阻后汇总，并接与电源正负端。极化探针1.2及极化芯片凹槽均设置为三组，每组设置有20个。

极化探针1.2另一端与极化电源之间设置有保护电阻1.1；保护电阻1.1的阻值不可过大造成直流分压(即降低芯片两端的电压)；也不可过小，使得击穿后电流超过仪器使用量程，影响正常极化。每一条芯片极化通道都需布置保护电阻。

极化探针1.2为可伸缩极化探针，极化探针1.2的固定端与上极化板正面1b相连接，极化探针1.2的自由端与待极化芯片2.1相连接。

由于减薄后芯片的极薄和易碎特性，必须采用软接触以防损坏芯片及表面镀膜层。本技术发明采用了具有弹性的镀金探针用于与芯片实现接触连接，针尖尺寸小，点接触不会对镀膜层造成损伤，探针弹性可根据距离调节弹性度，实现探针针尖与芯片表面的良性接触。探针的背面插于排母对应孔中，从而实现芯片上电极层与上电路板的电路连接。

如图4、图5所示，上极化板1、极化底板2设置有若干个定位孔。

以上仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。