一种efd型磁芯偏心毛坯结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种EFD型磁芯偏心毛坯结构，包括偏心毛坯结构，偏心毛坯结构包括芯柱、边腿和底座，芯柱设于底座中心一侧，边腿设于底座两端，底座底部的边腿部分位置分别设有凹槽Ⅰ和凹槽Ⅱ，底座底部上设有凹槽Ⅲ和凹槽Ⅳ。本实用新型与现有技术相比具有下列优点：可以有效的解决EFD型磁芯的变形问题，大幅度的提高了EFD型磁芯的成品合格率。
【专利说明】
一种EFD型磁芯偏心毛坯结构
技术领域
[0001]本实用新型涉及一种Ero型磁芯偏心毛坯结构，属于电子产品技术领域。
【背景技术】
[0002]Ero型磁芯具有较低的结构高度和较高的功率传输密度，是目前平面型电子变压器较多选用的磁芯，由于其偏心结构的特点，极其容易变形(变形的情况如图1所示，在主视图中a与a’的差值可达0.5mm以上，还会出现如图2中虚线所示的弯曲变形和图3中虚线所示的芯柱变形等)，影响磁芯的质量和客户的装配使用，所以制造工艺难度较大，利用常规的磁芯制造工艺设计无法解决其各种变形的状态，需要从毛坯的结构设计上加以研究解决。
[0003]Ero型毛坯的常规设计如下图4-9所示，其中常规1(图4-6)的设计方法为最基本的设计，毛坯的底部为平整设计(见图5，该种设计对于EFD型毛坯成型时的各部分的密度控制的要求很高，而在实际操作中很难将其控制好，磁芯的成品合格率很低。常规2(图7-9)的设计是在毛坯底部加一凹槽，具体位置如常规2中的图8所示为:远离芯柱一侧中心位置，长度为芯柱长度(即C尺寸=A尺寸)，宽度为磁芯宽度减去芯柱宽度(S卩D尺寸=B尺寸一B’尺寸)，深度F为0.1mm左右。对于图2中的所示的芯柱变形现象有所改善，但无法改善a与a’的差值达0.5mm以上及弯曲变形的现象。
[0004]因此，应该提供一种新的技术方案解决上述问题。
【发明内容】
[0005]本实用新型提供一种Ero型磁芯偏心毛坯结构。
[0006]为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是:
[0007]—种Ero型磁芯偏心毛坯结构，包括偏心毛坯结构，偏心毛坯结构包括芯柱、边腿和底座，芯柱设于底座中心一侧，边腿设于底座两端，底座底部的边腿部分位置分别设有凹槽I和凹槽π，底座底部上设有凹槽m和凹槽IV。
[0008]上述技术方案的有关内容解释如下:
[0009]上述技术方案中，凹槽m和凹槽IV连接形成τ形状。
[0010]进一步的技术方案，凹槽I和凹槽Π的长度F等于边腿宽度E，凹槽I和凹槽Π的宽度等于偏心毛坯结构的宽度B，凹槽I和凹槽Π的深度G为0.03-0.06mm。
[0011]优选的，凹槽m的长度c与芯柱长度A相等，凹槽m的宽度D为偏心毛坯结构宽度B减去芯柱宽度B’，凹槽m的深度I为0.08-0.12mm。
[0012]优选的，凹槽IV的长度H为芯柱长度A的一半，凹槽IV的宽度L尺寸为芯柱的宽度B’，凹槽IV的深度为0.17-0.22mm。
[0013]由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点:
[0014]可以有效的解决EFD型磁芯的变形问题，大幅度的提高了 EFD型磁芯的成品合格率。
【附图说明】
[0015]附图1为现有技术的示意图。
[0016]附图2为图1的仰视图。
[0017]附图3为图1的俯视图。
[0018]附图4为现有技术常规I的示意图。
[0019]附图5为图4的仰视图。
[0020]附图6为图4的俯视图。
[0021 ]附图7为现有技术常规2的示意图。
[0022]附图8为图7的仰视图。
[0023]附图9为图7的俯视图。
[0024]附图10为本实用新型示意图。
[0025]附图11为图10的仰视图。
[0026]附图12为图10的俯视图。
[0027]以上附图中:1、芯柱;2、边腿;3、底座;4、凹槽1;5、凹槽Π ;6、凹槽ΙΠ ;7、凹槽IV。
【具体实施方式】
[0028]下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述:
[0029]实施例一:
[0030]如图1-12所示，本实用新型的一种EFD型磁芯偏心毛坯结构，包括偏心毛坯结构，偏心毛坯结构包括芯柱1、边腿2和底座3，芯柱I设于底座3中心一侧，边腿2设于底座3两端，底座3底部的边腿2部分位置分别设有凹槽14和凹槽Π 5，底座3底部上设有凹槽ΙΠ6和凹槽IV7，凹槽ΙΠ6和凹槽IV7连接形成T形状，凹槽14和凹槽Π 5的长度F等于边腿2宽度E，凹槽14和凹槽Π 5的宽度等于偏心毛坯结构的宽度B，凹槽14和凹槽Π 5的深度G为0.03-0.06mm，凹槽ΙΠ6的长度C与芯柱I长度A相等，凹槽ΙΠ6的宽度D为偏心毛坯结构宽度B减去芯柱I宽度B’，凹槽ΙΠ6的深度I为0.08-0.12mm，凹槽IV7的长度H为芯柱I长度A的一半，凹槽IV7的宽度L尺寸为芯柱I的宽度B’，凹槽IV7的深度为0.17-0.22mm，可以有效的解决EFD型磁芯的变形问题，大幅度的提高了 EFD型磁芯的成品合格率。
[0031]上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种EFD型磁芯偏心毛坯结构，包括偏心毛坯结构，其特征在于:所述偏心毛坯结构包括芯柱、边腿和底座，所述芯柱设于底座中心一侧，所述边腿设于底座两端，所述底座底部的边腿部分位置分别设有凹槽I和凹槽π，所述底座底部上设有凹槽m和凹槽IV。2.根据权利要求1所述的一种EFD型磁芯偏心毛坯结构，其特征在于:所述凹槽ΙΠ和凹槽IV连接形成T形状。3.根据权利要求1所述的一种Ero型磁芯偏心毛坯结构，其特征在于:所述凹槽I和凹槽Π的长度F等于边腿宽度E，所述凹槽I和凹槽Π的宽度等于偏心毛坯结构的宽度B，所述凹槽I和凹槽Π的深度G为0.03-0.06mm。4.根据权利要求1所述的一种EFD型磁芯偏心毛坯结构，其特征在于:所述凹槽ΙΠ的长度C与芯柱长度A相等，所述凹槽III的宽度D为偏心毛坯结构宽度B减去芯柱宽度B’，所述凹槽ΙΠ的深度I为0.08-0.12mm。5.根据权利要求1所述的一种EFD型磁芯偏心毛坯结构，其特征在于:所述凹槽IV的长度H为芯柱长度A的一半，所述凹槽IV的宽度L尺寸为芯柱的宽度B’，所述凹槽IV的深度为.0.17-0.22mm。
【文档编号】H01F41/02GK205723142SQ201620581106
【公开日】2016年11月23日
【申请日】2016年6月13日
【发明人】颜茂山, 李前军, 陈维兆, 袁翔, 邰阿强, 王晓彬, 蒋柏平, 刘广泽
【申请人】泰州茂翔电子器材有限公司