硅片清洁降温结构的制作方法

文档序号:11017148阅读:281来源:国知局
硅片清洁降温结构的制作方法
【专利摘要】一种硅片清洁降温结构,所述硅片清洁降温结构对应于丝网印刷机入口的传输机构设置,并且相对于所述丝网印刷机的入口定位设置,硅片清洁降温结构包括至少一对气流通道,每对气流通道中的两个气流通道以传输机构传输平面的垂直平分面为基准对称设置于传输机构传输方向的两侧,该垂直平分面平行于传输机构的传输方向;各气流通道中的气流方向垂直于所述传输机构的传输方向,并且与传输机构的传输平面之间夹角为锐角;每对气流通道中两个气流通道的气流方向的交点位于传输机构上硅片的中心线上,该中心线平行于传输机构的传输方向。
【专利说明】
娃片清洁降温结构
技术领域
[0001]本实用新型涉及太阳能电池,尤其涉及一种在丝网印刷之前硅片清洁降温结构。
【背景技术】
[0002]常规的化石燃料日益消耗殆尽,在所有的可持续能源中,太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。目前,在所有的太阳电池中,晶体硅太阳电池是得到大范围商业推广的太阳能电池之一,这是由于硅材料在地壳中有着极为丰富的储量,同时晶体硅太阳电池相比其他类型的太阳能电池有着优异的电学性能和机械性能,因此,晶体硅太阳电池在光伏领域占据着重要的地位。
[0003]现有技术中,晶体硅太阳能电池的制备工艺主要包括:清洗、去损伤层、制绒、扩散制结、刻蚀、沉积减反射膜、印刷、烧结、电池片测试。其中,印刷是晶体硅太阳能电池生产过程中的一个重要工序。丝网印刷机是太阳能行业应用最多的一种印刷电池片电极的设备,丝网印刷对硅片的表面清洁度要求较高,若硅片表面有杂质,容易扎破网版。

【发明内容】

[0004]本实用新型的目的在于提供一种硅片清洁降温结构。
[0005]为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种硅片清洁降温结构,所述硅片清洁降温结构对应于丝网印刷机入口的传输机构设置,并且相对于所述丝网印刷机的入口定位设置,硅片清洁降温结构包括至少一对气流通道,每对气流通道中的两个气流通道以传输机构传输平面的垂直平分面为基准对称设置于传输机构传输方向的两侧,该垂直平分面平行于传输机构的传输方向;
[0006]各气流通道中的气流方向垂直于所述传输机构的传输方向,并且与传输机构的传输平面之间夹角为锐角;
[0007]每对气流通道中两个气流通道的气流方向的交点位于传输机构上硅片的中心线上,该中心线平行于传输机构的传输方向。
[0008]上述方案中,包括至少两对气流通道,各对气流通道沿传输机构的传输方向间隔布置。
[0009]上述方案中,相邻两对气流通道之间的间距为30?60毫米。
[0010]上述方案中,所述传输机构传输方向一侧气流通道出气口的连线平行于另一侧气流通道出气口的连线。
[0011]上述方案中,所述气流通道中的气流方向与传输机构的传输平面之间夹角为50?60。。
[0012]上述方案中,所述气流通道与压缩空气源连接。
[0013]上述方案中,对应于所述气流通道设置有调节阀。
[0014]上述方案中,所述传输机构为传送臂、传送带或传送导轨。
[0015]由于上述技术方案运用,本实用新型与现有技术相比具有下列优点:
[0016]1.本实用新型能够吹扫硅片表面的杂质,降低网版被扎破的几率;
[0017]2.本实用新型能够降低硅片表面的温度,从而降低网版内浆料有机物的挥发速率,能保持较好的印刷性能;
[0018]3.本实用新型结构简单,便于维护,适于推广。
【附图说明】

[0019]图1为本实用新型实施例一俯视示意图。
[0020]图2为图1的A向视图。
[0021]其中:1、传输机构;2、硅片;3、气流通道。
【具体实施方式】
[0022]下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述:
[0023]实施例一:
[0024]参见图1?2所示,一种硅片清洁降温结构,所述硅片清洁降温结构对应于丝网印刷机入口的传输机构I设置,并且相对于所述丝网印刷机的入口定位设置,硅片清洁降温结构包括五对气流通道3,各对气流通道3沿传输机构I的传输方向间隔布置,传输机构I的传输方向如图1中箭头所示,每对气流通道3中的两个气流通道3以传输机构I传输平面的垂直平分面为基准对称设置于传输机构I传输方向的两侧,该垂直平分面平行于传输机构I的传输方向;
[0025]所述垂直平分面指的是:将传输机构I的传输平面平分并且垂直于该传输平面的平面;
[0026]各气流通道3中的气流方向垂直于所述传输机构I的传输方向,并且与传输机构I的传输平面之间夹角为55°;实际应用中,该夹角也可以选取其他角度,于50?60°之间为宜。
[0027]每对气流通道3中两个气流通道3的气流方向的交点位于传输机构I上硅片2的中心线上,该中心线平行于传输机构I的传输方向。
[0028]相邻两对气流通道3之间的间距为50毫米。
[0029]所述传输机构I传输方向一侧气流通道3出气口的连线平行于另一侧气流通道3出气口的连线。
[0030]所述气流通道3与压缩空气源连接。
[0031 ]对应于所述气流通道3设置有调节阀。
[0032]所述传输机构I为传送臂、传送带或传送导轨。
[0033]所述气流通道3相对于丝网印刷机的入口定位设置,传输机构I承载着硅片2并将硅片2送入丝网印刷机,在硅片2运送过程中,硅片2相对于气流通道3移动,气流通道3中的气流将硅片2上的杂质吹扫干净,同时降低硅片2的温度。
[0034]本实施例中气流通道3的数量设置为五对,实际应用中,可以根据硅片2的尺寸设置不同数量的气流通道3以及气流通道3出气口的高度、气流方向的角度;气流通道3的数量可以设置为一对、两对或者更多,当设置一对气流通道3时,气流通道3的出气口为扁平状为佳。
【主权项】
1.一种硅片清洁降温结构,其特征在于:所述硅片清洁降温结构对应于丝网印刷机入口的传输机构设置,并且相对于所述丝网印刷机的入口定位设置,硅片清洁降温结构包括至少一对气流通道,每对气流通道中的两个气流通道以传输机构传输平面的垂直平分面为基准对称设置于传输机构传输方向的两侧,该垂直平分面平行于传输机构的传输方向; 各气流通道中的气流方向垂直于所述传输机构的传输方向,并且与传输机构的传输平面之间夹角为锐角; 每对气流通道中两个气流通道的气流方向的交点位于传输机构上硅片的中心线上,该中心线平行于传输机构的传输方向。2.根据权利要求1所述的硅片清洁降温结构,其特征在于:包括至少两对气流通道,各对气流通道沿传输机构的传输方向间隔布置。3.根据权利要求2所述的硅片清洁降温结构,其特征在于:相邻两对气流通道之间的间距为30?60毫米。4.根据权利要求2所述的硅片清洁降温结构,其特征在于:所述传输机构传输方向一侧气流通道出气口的连线平行于另一侧气流通道出气口的连线。5.根据权利要求1所述的硅片清洁降温结构,其特征在于:所述气流通道中的气流方向与传输机构的传输平面之间夹角为50?60°。6.根据权利要求1所述的硅片清洁降温结构,其特征在于:所述气流通道与压缩空气源连接。7.根据权利要求1所述的硅片清洁降温结构,其特征在于:对应于所述气流通道设置有调节阀。8.根据权利要求1所述的硅片清洁降温结构,其特征在于:所述传输机构为传送臂、传送带或传送导轨。
【文档编号】H01L21/02GK205692800SQ201620622875
【公开日】2016年11月16日
【申请日】2016年6月22日 公开号201620622875.X, CN 201620622875, CN 205692800 U, CN 205692800U, CN-U-205692800, CN201620622875, CN201620622875.X, CN205692800 U, CN205692800U
【发明人】谢金晶, 衡阳, 周彬, 郑旭然
【申请人】苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
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