一种高亮度LED芯片的制作方法

本实用新型涉及LED技术领域，尤其是一种高亮度的LED芯片。

背景技术：

目前，LED芯片在照明或其他光源领域得到飞速的发展和应用，但是目前LED芯片的每一个最终产品，均只包含一个LED芯片单元，在应用中，当需要更大的功率或更大的发光面时，需要将数个LED芯片单元尽可能靠近的拼装在一起，封装工艺复杂，光的发散角较大，难以满足某些高要求的场所的需求。

技术实现要素：
为解决上述问题，本实用新型的目的是提供一种多个LED芯片一体成型的大发光面的高亮度LED芯片。 为达到上述目的，本实用新型的技术方案是：一种高亮度LED芯片，在同一块基底上，分别将三个LED芯片单元并联，形成两个并联组，在将两个串联组，形成发光组。

该基底上分布多组发光组，发光组之间串联。

优选地，所述发光组之间的距离为0.1-0.2mm。

优选的，所述基底包括蓝宝石基底、硅基底、碳化硅基底、陶瓷底、铜基底、或铜钨合金基底。

优选的，所述基底为长方形、正方形、圆形或多边形。

优选的，所述每个LED芯片单元的阳极和阴极至少一种相互电绝缘。

采用本技术方案的有益效果是：采用在同一基底上一体生成至少两个LED芯片单元，使得LED芯片单元之间的间隙达到最小化，省略了多个LED芯片单元拼装的工序，降低了光的发散角。

附图说明

图1为现有技术的结构示意图；

图2为本实用新型实施例的结构示意图。

图中：1、第一LED放光单元；2、第二LED发光单元；3、第三LED发光单元；4、第四LED发光单元；5、第五LED发光单元；6、第六LED发光单元；7、第七LED发光单元；8、第八LED发光单元；9、第九LED发光单元；10、基板。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的技术方案做进一步说明。

如图1所示，现有技术在一块基座10上将第二LED发光单元2与第三LED发光单元3并联，再与第一LED发光单元1串联，这样在单元面积内，只有较少的LED发光单元，因此亮度较为一般。

如图2随时，本实用新型通过在一块基座10上，将第四LED发光单元4、第五LED发光单元5、第六LED发光单元6并联，再将第七LED发光单元7、第八LED发光单元8、第九LED发光单元9并联，最后将两组并联的串联起来形成发光组，多个发光组之间再次进行串联。通过这样的连接，可使单元面积内的LED发光单元更多，从而提高产品亮度。

发光组与发光组之间的距离可设置在0.1-0.2mm。