半导体器件的制作方法

本申请整体涉及电子器件，更具体地讲，涉及将半导体管芯附接至衬底的方法。

背景技术：

半导体行业通常利用各种方法和结构来形成包封半导体管芯并提供用于电连接至该半导体管芯的引线的封装。在一类半导体封装中，半导体管芯安装于引线框和夹具之间。下部引线框具有连续平坦表面，管芯被安装在该平面上，然后使用夹具来完成所述管芯顶部上的电路。在管芯和夹具两者的安装期间，管芯附接材料(例如焊料)通常用在管芯和引线框之间以及夹具和管芯之间。管芯附接材料可表现出不受控制的移动，导致有源电路或金属结构发生电气短路。

因此，人们期望用于安装半导体管芯的技术可减少或消除管芯附接材料的不受控制的移动。

技术实现要素：

本实用新型的一个方面的目的在于提供一种可减少或消除管芯附接材料的不受控制的移动的半导体器件。

本实用新型涉及一种半导体器件，包括：引线框；设置在所述引线框第一侧的一部分上的非导电阻隔材料；设置在所述引线框的所述第一侧的一部分上的管芯附接材料，其中所述非导电阻隔材料设置在所述引线框的所述第一侧上具有所述管芯附接材料的至少一部分的第一区和所述衬底的所述第一侧上不具有所述管芯附接材料的第二区之间；以及附接至所述引线框的所述第一侧的至少所述第一区的半导体管芯。

优选地，所述非导电阻隔材料的至少一部分设置在所述引线框和所述半导体管芯之间。

优选地，所述非导电阻隔材料是有机材料。

优选地，所述管芯附接材料是环氧树脂、聚酰亚胺、硅树脂、有机粘合剂或焊料。

优选地，所述半导体管芯包括电耦接至所述引线框的所述第一侧的所述第一区的接触垫。

优选地，所述半导体器件还包括包封所述半导体管芯的至少一部分和所述引线框的至少一部分的模制材料。

优选地，所述非导电阻隔材料具有围绕所述第一区的封闭形状。

优选地，所述非导电阻隔材料的厚度为10μm至127μm。

优选地，所述非导电阻隔材料的宽度为50μm至400μm。

优选地，所述非导电阻隔材料形成两条或更多条互连的直线。本实用新型的一个方面的技术效果在于所提供的半导体器件能够避免有源电路或金属结构发生电气短路。

附图说明

结合详细描述和附图将更充分地理解本申请的实施方案，这些实施方案并不旨在限制本申请的范围。

图1A是示出根据本申请的一些实施方案的引线框的一个实例的顶视图。

图1B是示出图1A中绘示的引线框的底视图。

图2A是示出根据本申请的一些实施方案的引线框的一个实例的顶视图，该引线框的管芯附接材料被施加至引线框的安装区。

图2B是示出根据本申请的一些实施方案的引线框的一个实例的顶视图，该引线框的半导体管芯被设置在引线框的安装区上。

图2C是示出根据本申请的一些实施方案的引线框的一个实例的顶视图，该引线框的两个半导体管芯被设置在引线框的安装区上。

图2D是示出根据本申请的一些实施方案的引线框的一个实例的顶视图，该引线框具有两个半导体管芯，其中每一管芯具有被施加至顶表面的管芯附接材料并且被设置在引线框的安装区上。

图2E是示出根据本申请的一些实施方案的引线框的一个实例的顶视图，该引线框的导电夹具与被设置在引线框的安装区上的两个半导体管芯耦接。

图3是示出根据本申请的一些实施方案的引线框的一个实例的顶视图。

为了图示的简洁和清晰，图中的元件不一定按比例，并且不同图中的相同参考标号指示相同元件。此外，为了描述的简洁，省略了公知步骤和元件的描述和细节。如本文中所使用，载流电极意指一装置的载送通过该装置的电流的元件，诸如MOS晶体管的源极或漏极或者双极型晶体管的发射极或集电极或者二极管的阴极或阳极，而控制电极意指该装置的控制通过该装置的电流的元件，诸如MOS晶体管的栅极或者双极型晶体管的基极。尽管装置在本文中被描述为某些N沟道或P沟道装置或者某些N型或P型掺杂区，但本领域的技术人员将理解，根据本实用新型的互补装置也是可以的。本领域的技术人员将理解，本文所用的词语“期间”、“在…同时”和“当…时”不是意指在引发动作后即刻发生动作的确切词语，而是意指在初始动作所引发的反应之间可能存在一些小但合理的延迟，诸如传播延迟。词语“大概”或“基本上”的使用意指元件的值具有预期非常接近于所陈述值或位置的参数。然而，如本领域所熟知，始终存在妨碍值或位置确切地为陈述值或位置的微小偏差。本领域公认的是，最多至约百分之十(10％)(并且对于半导体掺杂浓度，最多至百分之二十(20％))的偏差被认为是与确切如所述的理想目标相差的合理偏差。为了附图清晰可见，器件结构的掺杂区被示为具有大致直线边缘和精确角度拐角。然而，本领域的技术人员理解，由于掺杂物的扩散和激活，掺杂区的边缘通常可能不为直线并且拐角可能不为精确角度。

具体实施方式

对实施方案的以下描述实质上仅为示例性，并且绝不旨在限制本实用新型、其应用或用途。其中，本申请包括一种制备半导体器件的方法，所述方法包括：提供衬底，该衬底包括设置该衬底第一侧的第一部分上的非导电阻隔材料；将管芯附接材料施加至衬底第一侧的第二部分，其中非导电阻隔材料被设置在衬底第一侧的具有管芯附接材料的至少一部分的第一区和衬底第一侧的不具有管芯附接材料的第二区之间；以及将半导体管芯附接至至少衬底第一侧的第一区。

本文所公开的一些实施方案包括制备半导体器件的方法。该方法可包括提供衬底，例如引线框。图1A是示出根据本申请的一些实施方案的引线框100的一个实例的顶视图。引线框100包括安装区105至109，一个或多个半导体管芯可在这些安装区附接至引线框100。引线框100还包括相邻于安装区107的具有‘L’形状的非导电阻隔材料110。如下文将进一步详细论述，非导电阻隔材料110可被构造成限制管芯附接材料的移动以抑制或防止(例如)电气短路。因此，可使用具有用于阻挡管芯附接材料的移动的合适特性的任何材料。非导电阻隔材料可为(例如)凝胶、湿膜、干膜或粘合剂。在一些实施方案中，非导电阻隔材料可通过(例如)加热或辐射(例如，UV光)固化。

图1B示出根据本申请的一些实施方案的引线框100的底视图。引线框100的底侧可包括蚀刻区115。蚀刻区115的深度没有具体限制，但可(例如)是引线框100厚度的大约一半。通过比较图1A和图1B可以发现，蚀刻区115位于安装区105至109中的每一者的下方。这些蚀刻区的覆盖面积可与相应蚀刻区上方的安装区的覆盖面积相同或不同。蚀刻区115中的一个可部分位于非导电阻隔材料110下方。蚀刻区可(例如)为顶侧上的管芯尺寸和引线接合提供较宽面积，同时为安装到衬底(例如印刷电路板)维持较小面积。可使用标准蚀刻技术(例如湿法蚀刻)形成蚀刻区115。

图2A至图2E示出根据本申请的一些实施方案的制备半导体器件的方法。在一些实施方案中，可使用如图1A至图1B中绘示的引线框100执行该方法。

这种制备半导体器件的方法可包括将管芯附接材料施加至衬底，例如引线框。图2A显示在管芯附接材料205至209已分别施加至安装区105至109之后的引线框100。管芯附接材料没有具体限制，并且可通常是可在半导体管芯和衬底(例如，图2A中绘示的引线框100)之间提供合适的机械与热(并且任选地电气)连接的任何材料。合适的管芯附接材料包括但不限于环氧树脂、聚酰亚胺、硅、混合有机粘合剂以及软焊料或共晶焊料。管芯附接材料可以凝胶、糊剂、膜、胶带或焊料形式施加至引线框。管芯附接材料可导电或不导电。可使用标准技术(例如丝网印刷、注射式滴涂、压印滴涂、环氧树脂写入器滴涂、淋浴头滴涂和膜附接)将管芯附接材料施加至衬底。

在一些实施方案中，管芯附接材料的至少一部分可相邻于或靠近于非导电阻隔材料进行施加。非导电阻隔材料可抑制管芯附接材料移动到衬底在非导电阻隔材料另一侧上的区(例如，不具有任何管芯附接材料的区)。例如，非导电阻隔材料可抑制管芯附接材料移动到相邻于衬底上安装的半导体管芯的边缘的区。在一些实施方案中，距非导电阻隔材料约0至约150μm施加管芯附接材料。在一些实施方案中，距非导电阻隔材料约0至约100μm施加管芯附接材料。在一些实施方案中，距非导电阻隔材料约0至约50μm施加管芯附接材料。在一些实施方案中，非导电阻隔材料的至少一部分被设置在衬底的具有管芯附接材料的区和衬底的不包括管芯附接材料的区之间。

虽然图2A示出将管芯附接材料施加至所有安装区，但技术人员将理解，可在制备半导体管芯的方法期间的不同时间将管芯附接材料施加至不同安装区。例如，可将管芯附接材料206施加至安装区106，然后将半导体管芯设置在安装区106上。可随后将管芯附接材料207和208施加至安装区107和108，然后将第二半导体管芯设置在安装区107和108上。将管芯附接材料施加至安装区的许多其他可行顺序是可能的并且涵盖于本申请的范围内。

施加至安装区中的每一个上的管芯附接材料可相同或不同。在一些实施方案中，将相同的管芯附接材料施加至安装区中的每一个上。例如，管芯附接材料205至209可各自是具有相同组分的焊料。在一些实施方案中，将不同的管芯附接材料施加至不同安装区上。例如，管芯附接材料205以及207至209可以是具有相同组分的焊料，而管芯附接材料206可以是粘合带。

应当理解，在该方法期间，衬底(例如，图2A中绘示的引线框100)及其各种安装区可在衬底阵列中互连，这些衬底可在加工期间切割成单独的封装。

所述制备半导体器件的方法还可包括将半导体管芯设置在衬底(例如引线框)的安装区上。图2B示出设置在管芯附接材料207和208上的半导体管芯210，所述管芯附接材料分别施加至安装区107和108上。管芯附接材料可在合适的加工之后使半导体管芯固定至衬底。例如，管芯附接材料可以是可在焊接之后使半导体管芯固定至引线框的焊料。又如，管芯附接材料可以是经固化以固定半导体管芯的粘合剂。在一些实施方案中，半导体管芯210可包括可经由管芯附接材料电耦接至安装区的一个或多个接触垫。例如，半导体管芯210可以是具有电耦接至安装区108的源极接触垫和电耦接至安装区107的栅极接触垫的MOSFET。

如图2B所示，非导电阻隔材料110相邻于半导体管芯210的两个边缘和一个拐角。然而，非导电阻隔材料的位置和形状并不限于这种构造。在一些实施方案中，非导电阻隔材料可完全或至少部分位于半导体管芯的覆盖面积之下。在一些实施方案中，非导电阻隔材料并不位于半导体管芯的覆盖面积之下，而是与半导体管芯的边缘和拐角间隔开。在一些实施方案中，管芯附接材料包括至少一个边缘，其长度约与相邻或靠近非导电阻隔材料的边缘的安装区的边缘相同。在一些实施方案中，管芯附接材料包括至少一个边缘，其比相邻或靠近非导电阻隔材料的边缘的安装区的边缘短。在一些实施方案中，管芯附接材料包括至少一个边缘，其比相邻或靠近非导电阻隔材料的边缘的安装区的边缘长。非导电阻隔材料可相邻于安装区的一个、两个、三个、四个或更多个侧面。

所述制备半导体器件的方法可任选地包括将第二半导体管芯设置在衬底的安装区上。图2C示出设置在管芯附接材料206上的半导体管芯215，该管芯附接材料施加至安装区106。在一些实施方案中，半导体管芯215是低侧MOSFET，半导体管芯210是高侧MOSFET。在一些实施方案中，半导体管芯210可包括可经由管芯附接材料电耦接至安装区的接触垫。

所述制备半导体器件的方法可任选地包括将管芯附接材料施加至设置在衬底上的一个或多个半导体器件。图2D示出施加至半导体管芯210的顶表面和半导体管芯215的顶表面上的管芯附接材料220。在一些实施方案中，将管芯附接材料施加至位于半导体管芯中的每一个的顶表面上的接触垫。施加至半导体管芯中的每一个的顶表面中的每一个上的管芯附接材料可相同或不同。此外，施加至半导体管芯中的每一个的顶表面中的每一个上的管芯附接材料可与管芯附接材料205至209相同或不同。

所述制备半导体器件的方法还可任选地包括将导电衬底(例如导电金属夹具)设置在一个或多个半导体管芯上。图2E示出设置在半导体管芯210和215上的导电夹具225。导电夹具225可电耦接半导体管芯210上的接触垫、半导体管芯215上的接触垫、安装区105和安装区109。

所述制备半导体器件的方法还可包括各种额外操作。在一些实施方案中，可对半导体器件进行处理以将各种部件固定在一起。例如，当管芯附接材料是焊料时，半导体器件可经受回流焊和/或焊接以将部件固定在一起(例如，将半导体管芯固定至引线框和导电夹具)。又如，管芯附接材料可经受固化(例如，加热)以将部件固定在一起。在一些实施方案中，对一种或多种管芯附接材料进行处理，以将半导体管芯几乎同时固定至引线框和导电夹具。例如，施加于半导体管芯下方和顶部上的焊料同时经受回流。在将各种部件固定在一起的这些操作期间，管芯附接材料可能会流到器件的不期望区中，导致(例如)电气短路或污染。在一些实施方案中，所述制备半导体器件的方法的一个优点在于，非导电阻隔材料可阻碍或防止管芯附接材料移动到不期望的区域中。

在一些实施方案中，该方法可包括将半导体器件的组件至少部分地包封于模制材料(例如，树脂)中。在一些实施方案中，将一个或多个半导体管芯包封于模制材料中。在一些实施方案中，将一个或多个衬底(例如，引线框和/或导电夹具)至少部分地包封于模制材料中。在一些实施方案中，将非导电阻隔材料包封于模制材料中。在一些实施方案中，将管芯附接材料包封于模制材料中。可使引线框和/或导电夹具的若干部分暴露，以便将一个或多个半导体管芯电耦接至(例如)印刷电路板。

该方法可任选地包括将半导体器件从由衬底(例如，引线框)阵列互连的半导体器件阵列切割。阵列中的每一个半导体器件可相同。

该方法可任选地包括在将半导体管芯固定至衬底之后从衬底去除非导电阻隔材料。例如，在半导体管芯已(例如，通过焊接)固定至衬底之后，可通过(例如)施加合适的溶剂从衬底去除非导电阻隔材料。可在固定半导体管芯之后去除非导电阻隔材料，因为管芯附接材料可能在此工艺之后不太可能移动。

尽管所述制备半导体器件的方法包括图2A至图2E中示出的实施方案，但是许多替代实施方案也在本申请的范围内。例如，尽管该方法可使用金属引线框，但许多其他衬底也可供使用并且在本申请的范围内。可在所述制备半导体器件的方法中使用的衬底的非限制性实例包括层压衬底、印刷电路板、陶瓷载体、膜、胶带、晶片、导电金属夹具、半导体管芯(例如，在多层堆叠的管芯封装中或在附接导电金属夹具时)和半导体封装(例如，在封装中封装附接和封装上封装附接中)。

类似地，半导体器件中半导体管芯的数量没有限制。在一些实施方案中，该方法包括只将一个半导体管芯附接至衬底。在一些实施方案中，该方法包括将两个或更多个半导体管芯附接至衬底(例如，两个、三个、四个或更多个半导体管芯)。附接至衬底的半导体管芯的类型也没有限制。在一些实施方案中，该方法包括将MOSFET附接至衬底。在一些实施方案中，该方法包括将MOSFET附接至衬底，其中非导电阻隔材料相邻于固定到MOSFET上的接触垫的安装区设置。在一些实施方案中，该方法包括将MOSFET附接至衬底，其中非导电阻隔材料相邻于固定到MOSFET上的栅极接触垫的安装区设置。

非导电阻隔材料的尺寸和形状也没有具体限制。根据本申请中的教导内容，技术人员可选择合适的尺寸和形状来抑制或防止管芯附接材料移动到半导体器件中的特定区。用于确定合适形状和尺寸的潜在因素包括但不限于管芯附接材料被准许移动多远、附近结构和设计、工具尺寸限制以及非导电阻隔材料本身的特性。在一些实施方案中，非导电阻隔材料围绕衬底上的安装区。在一些实施方案中，非导电阻隔材料部分地围绕衬底上的安装区。在一些实施方案中，非导电阻隔材料围绕衬底上的管芯附接材料。在一些实施方案中，非导电阻隔材料部分地围绕衬底上的管芯附接材料。

在一些实施方案中，非导电阻隔材料形成一条或多条直线(例如，一条、两条、三条、四条、五条或更多条直线)。在一些实施方案中，非导电阻隔材料形成两条或更多条互连直线。这些互连直线可互连以相邻于安装区形成约90度或以下的角度(例如，非导电阻隔材料110具有相邻于的安装区107的90度角，如图1A所示)。在一些实施方案中，非导电阻隔材料包括至少一条曲线。在一些实施方案中，非导电阻隔材料不包括曲线。在一些实施方案中，非导电阻隔材料形成封闭形状，例如多边形、圆、半圆、椭圆形等等。该封闭形状可围绕可施加有管芯附接材料的安装区。

图3是示出根据本申请的一些实施方案的引线框的一个实例的顶视图。如图3所示，非导电阻隔材料300具有可围绕引线框100的安装区107的矩形形状。

可对非导电阻隔材料的宽度进行选择以抑制或防止管芯附接材料移动。在一些实施方案中，非导电阻隔材料的宽度为约50μm至约400μm。在一些实施方案中，非导电阻隔材料的宽度为约100μm至约300μm。也可对非导电阻隔材料的厚度进行选择以抑制或防止管芯附接材料移动。在一些实施方案中，非导电阻隔材料的厚度为约10μm至约127μm。在一些实施方案中，非导电阻隔材料的厚度小于约100μm。

单独的非导电阻隔材料的数量没有具体限制。在一些实施方案中，只有一个非导电阻隔材料连续区被设置在衬底上(例如，只有非导电阻隔材料110被设置在引线框100上，如图3所示)。在一些实施方案中，两个或更多个非导电阻隔材料连续区(例如，两个、三个、四个、五个或更多个)被设置在衬底上。非导电阻隔材料连续区中的每一个可具有相同或不同形状。连续区中的每一个可(例如)相邻或靠近可施加有管芯附接材料的不同安装区。连续区中的每一个可具有相同或不同的形状和/或尺寸。

可使用各种技术施加非导电阻隔材料。用于施加非导电阻隔材料的方法的例子包括但不限于丝网印刷、注射式滴涂、镂空版印刷、压印、贴边或膜附接。非导电阻隔材料可以各种形式施加，例如凝胶、糊剂、膜或胶带。可对非导电阻隔材料进行处理(例如)以硬化或固化该材料。还可对非导电阻隔材料进行处理以使该材料固定至衬底。例如，可通过在将非导电阻隔材料设置在衬底上之后向该材料施加热或辐射，来使该材料固化。这些任选处理可在施加管芯附接材料之前或之后发生。例如，可通过在将非导电阻隔材料和管芯附接材料(例如，粘合剂)施加至衬底之后对这两种材料进行加热，来使这两种材料几乎同时固化。

本文所公开的一些实施方案包括半导体器件。该半导体器件可为(例如)根据本申请中公开的方法制备的任何器件。例如，该半导体器件可以是图2E中绘示的器件。在一些实施方案中，该半导体器件包括衬底、施加至衬底的非导电阻隔材料、施加至衬底上的管芯附接材料，和通过管芯附接材料附接至衬底的半导体管芯。非导电阻隔材料可相邻于管芯附接材料设置并且被构造成防止管芯附接材料移动到半导体器件的若干部分。

衬底可以是上文关于制备半导体器件的方法所公开的衬底中的任一者。例如，衬底可以是金属引线框。非导电阻隔材料还可具有上文关于制备半导体器件的方法所述的特性中的任一者。例如，非导电阻隔材料可以是具有‘L’形状的固化有机材料。半导体管芯还可具有上文关于制备半导体器件的方法所述的特性中的任一者。例如，半导体管芯可以是MOSFET。

在一些实施方案中，半导体器件包括包封半导体管芯的模制材料(例如，树脂)。模制材料可任选地包封非导电阻隔材料。模制材料可任选地包封管芯附接材料。在一些实施方案中，模制材料至少部分地包封衬底。

本文所公开的一些实施方案包括引线框。引线框可包括施加至引线框的一部分的非导电阻隔材料。在一些实施方案中，将非导电阻隔材料相邻于引线框的安装区设置。引线框可以是上文关于制备半导体器件的方法所公开的任一引线框。例如，引线框可以是如图1A和图1B中绘示的引线框100。非导电阻隔材料可具有上文关于制备半导体器件的方法所述的特性中的任一者。例如，非导电阻隔材料可以是具有多边形形状的有机胶带。在一些实施方案中，引线框可包括引线框的与具有非导电阻隔材料的一侧相对的另一侧的蚀刻区。

在一些实施方案中，引线框可在引线框阵列中互连。可使用标准半导体制造技术加工引线框阵列以获得多个半导体器件。所述加工可包括切割该阵列以形成若干个单独的半导体器件。在一些实施方案中，阵列中的每一个引线框相同。在一些实施方案中，该阵列中的每一个引线框包括非导电阻隔材料。可将非导电阻隔材料相邻于引线框的安装区设置。

根据上述全部内容，本领域的技术人员可确定，根据一个实施方案，一种制备半导体器件的方法包括：提供衬底，该衬底包括设置该衬底第一侧的第一部分上的非导电阻隔材料；将管芯附接材料施加至衬底第一侧的第二部分，其中非导电阻隔材料被设置在衬底第一侧的具有管芯附接材料的至少一部分的第一区和衬底第一侧的不具有管芯附接材料的第二区之间；以及将半导体管芯附接至至少衬底第一侧的第一区。

在一些实施方案中，非导电阻隔材料是有机材料。在一些实施方案中，非导电阻隔材料是凝胶、湿膜、干膜或粘合剂。在一些实施方案中，提供衬底包括将粘合剂膜施加至衬底以在衬底第一侧的第一部分上形成非导电阻隔材料。在一些实施方案中，提供衬底包括将粘合剂丝网印刷在衬底上，以在衬底第一侧的第一部分上形成非导电阻隔材料。在一些实施方案中，提供衬底包括注射式滴涂、镂空版印刷、压印、贴边或膜附接，以在衬底第一侧的第一部分上形成非导电阻隔材料。在一些实施方案中，提供衬底包括固化所述衬底第一侧的第一部分上的非导电阻隔材料。在一些实施方案中，衬底是引线框、层压件、印刷电路板、陶瓷载体、胶带、半导体晶片、半导体管芯或半导体封装。在一些实施方案中，非导电阻隔材料具有围绕第一区的封闭形状。在一些实施方案中，管芯附接材料是环氧树脂、聚酰亚胺、硅树脂、有机粘合剂或焊料。在一些实施方案中，管芯附接材料是凝胶、糊剂、膜、胶带或焊料形式。在一些实施方案中，管芯附接材料是焊料，并且其中将半导体管芯附接至至少衬底第一侧的第一区包括将半导体管芯回流焊接至至少衬底第一侧的第一区。

根据上述全部内容，本领域的技术人员可确定，根据一个实施方案，一种半导体器件包括：引线框；设置在该引线框第一侧的第一部分上的非导电阻隔材料；设置在引线框第一侧的第二部分上的管芯附接材料，其中非导电阻隔材料被设置在引线框第一侧的具有管芯附接材料的至少一部分的第一区和引线框第一侧的不具有管芯附接材料的第二区之间；以及附接至至少引线框第一侧的第一区的半导体管芯。

根据上述全部内容，本领域的技术人员可确定，根据一个实施方案，一种引线框包括：导电衬底，其具有被构造成附接半导体管芯的安装区；以及设置在导电衬底上的非导电阻隔材料，其中非导电阻隔材料相邻于安装区。在一些实施方案中，引线框还包括设置在导电衬底的安装区上的管芯附接材料。

根据上述全部内容，很显然本文公开了一种新型器件和方法。本公开的其他特征还包括衬底，例如引线框或导电夹具，其具有可减少或防止管芯附接材料的移动的非导电阻隔材料。

尽管通过具体的优选实施方案和示例性实施方案对本实用新型的主题进行了描述，但上述附图及其描述仅绘示了该主题的典型实施方案，因此不视为限制其范围，很显然，许多替代形式和变型形式对于本领域的技术人员将显而易见。例如，已关于特定引线框构造对该主题进行了描述，然而，也可使用各种衬底。又如，已关于具有两个半导体管芯的半导体器件对该主题进行了描述，然而，具有更多或更少半导体管芯的其他半导体器件可容易地并入本申请的特征。

如以下权利要求所反映，发明性方面可在于单个上述所公开的实施方案的特征中的一部分。因此，下文中表达的权利要求据此明确并入到本“具体实施方式”中，其中每一项权利要求独立地作为本实用新型的单个实施方案。此外，虽然本文所述的一些实施方案包括了其他实施方案中所包括的特征中的一些而没有包括其中其他特征，但不同实施方案的特征的组合应在本实用新型的范围内，并且形成不同实施方案，如本领域的技术人员将理解的那样。