本实用新型涉及一种电子芯片，特别涉及一种集成器件封装结构。
背景技术：
随着当今手机市场体积不断缩小、厚度不断变薄、功能不断增加，用于手机上的各类元器件的研发都朝着集成化、功能大的方向发展，需要依赖先进的设计技术、材料技术，特别是Mems技术等来实现这一系列的目标。
设计技术、材料技术，特别是Mems技术的发展使贴片元器件及模块的研发提高到了一个新的水平，利用微电子机械加工技术将微米级的敏感元件、信号处理器、数据处理装置集成在同一芯片上已逐渐成为芯片设计的主流发展技术，同一芯片上集成的功能越来越多，功率越来越大，大功率芯片需要封装后装配在手机内部的线路板中，实现声电传播、抗静电、快速充电等等功能。
这种背景下，就要求将多功能的大功率芯片，通过合理的封装材料、封装工艺将芯片封装成成品，实现芯片本身所具备的各项功能。如何将大功率的芯片封装成尺寸小，同时厚度薄的外形的成品，是摆在半导体元器件后道封装厂家的一个难题。
现有一款DFN封装的大功率集成器件，装配于手机内部抗浪涌保护的线路中，外形是DFN2*2-3L的封装，即外形尺寸为2*2mm，厚度为0.6mm，外部具有3个PAD（焊盘）
现行各厂家采取的封装结构包括第一焊盘、第二焊盘以及第三焊盘，所述第一焊盘、第二焊盘分别经铜丝与第三焊盘相连，大功率芯片焊在第三焊盘上，铜丝分别将大功率芯片表面与第一焊盘和第二焊盘连接起来；上述结构经过塑封工序后，形成成品，外露3个焊盘，分别是第一焊盘、第二焊盘以及第三焊盘。此外露的焊盘将焊接在手机抗浪涌保护线路板上，实现其功能。其不足之处在于，由于第一焊盘、第二焊盘的面积较小，焊接线路板的过程中，如果有一个焊盘焊接在线路板上的焊接面积不完全（偏焊），势必会影响这侧的电流通过量，遇有浪涌冲击时，器件就会烧毁。只要有一根焊丝的焊点有虚焊，这侧焊盘上通过的电流量就会有影响，一侧电流通不过，整个器件就会失效。用这种封装结构封装的产品进入市场使用后，频繁出现烧毁失效现象。
技术实现要素：
本实用新型的目的是提供一种大功率集成器件封装结构，提高成品器件的浪涌承受能力，降低其失效率。
本实用新型的目的是这样实现的：一种大功率集成器件封装结构，包括第一焊盘、第二焊盘以及第三焊盘，所述第一焊盘、第二焊盘分别经铜丝与第三焊盘相连，第三焊盘上固定安装有芯片，所述第一焊盘与第二焊盘经筋板连接在一起，所述筋板被塑封体封装在其内部。
与现有技术相比，本实用新型通过在第一焊盘与第二焊盘之间设置筋板将两者连接起来，使得流过芯片和焊丝的电流通道由树干型变为环形，从而大大提高成品器件的浪涌承受能力，使大功率集成器件的失效率大大降低。本实用新型可用于手机电路板中。
作为本实用新型的进一步限定，所述第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘以及筋板均采用铜材制成，且表面镀银处理。保证信号传输的稳定性，并增强本实用新型的抗氧化能力。
为了提高信号传输的稳定性，所述第一焊盘、第二焊盘各经三根铜丝与第三焊盘相连。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图。
其中，1第一焊盘，2第二焊盘，3第三焊盘，4塑封体，5铜丝，6芯片。
具体实施方式
如图1所示的一种大功率集成器件封装结构，包括第一焊盘1、第二焊盘2以及第三焊盘3，第一焊盘1、第二焊盘2分别经三根铜丝5与第三焊盘3相连，第三焊盘3上固定安装有芯片6，第一焊盘1与第二焊盘2经筋板连接在一起，筋板被塑封体4封装在其内部，第一焊盘1、第二焊盘2、第三焊盘3以及筋板均采用铜材制成，且表面镀银处理。
本实用新型并不局限于上述实施例，在本实用新型公开的技术方案的基础上，本领域的技术人员根据所公开的技术内容，不需要创造性的劳动就可以对其中的一些技术特征作出一些替换和变形，这些替换和变形均在本实用新型的保护范围内。