一种LEDCOB器件的制作方法

文档序号:11080966阅读:592来源:国知局
一种LED COB器件的制造方法与工艺

本实用新型涉及一种LED封装技术领域,尤其涉及一种LED COB器件。



背景技术:

在传统LED应用当中,由于LED本身的低压恒流驱动特性,而电网电压是交流高压,无法直接提供给LED使用,因此LED光源必须搭配相应的恒流电源才可以正常使用。LED光源加电源的方式,给LED的应用造成了很多困扰,在灯具安装上,必须多一道工序;在灯具设计上,必须考虑电源安装空间;在灯具定型上,必须考虑光源与电源的匹配;在品质追溯上,又存在责任推脱隐患。

为了克服以上困难,市场上期待一种可直接使用交流高压驱动的LED光源,将电源的功能集成在了光源里,并做到了高度集成化,实现小尺寸的设计。

本实用新型提出一种LED COB光源,可以直接使用交流高压驱动,采用COB设计,产品结构设计合理,安装于应用端,无需繁琐的驱动装置,便于小型化。



技术实现要素:

本实用新型要解决的技术问题是提供一种LED COB器件,可以直接使用交流高压驱动,采用COB设计,产品结构设计合理,安装于应用端,无需繁琐的驱动装置,便于小型化设计。

为了解决上述技术问题,本实用新型提出一种LED COB器件,包括基板、至少一个LED芯片、驱动芯片及整流芯片、围坝以及封装胶体,所述LED芯片设置于所述基板上,所述围坝包括第一围坝和第二围坝,所述LED芯片设置于所述第一围坝内,所述驱动芯片及整流芯片设置于所述第二围坝内,所述封装胶体填充于所述围坝内并覆盖围坝内的LED芯片、驱动芯片及整流芯片。

优选地,所述基板的正面设置有固晶区及电极区;

所述固晶区包括第一固晶区和第二固晶区,所述第一固晶区位于所述基板的中央位置;

所述第二固晶区分布于所述基板的一对对角上。

优选地,所述电极区为设置于所述基板正面的金属层。

优选地,所述金属层设置有两个,分别为第一金属层和第二金属层,所述第一金属层和第二金属层分别位于所述基板的另外一对对角上。

优选地,所述第一固晶区的表面设置有高反射层,所述高反射层的反射率高于98%。

优选地,所述第一固晶区呈闭合环状结构,其直径为11mm。

优选地,所述第一围坝由白色围坝胶制成,所述第一围坝的直径为0.4~1.0mm。

优选地,所述基板为陶瓷基板,呈矩形,其尺寸为19*19mm。

优选地,所述封装胶体由透明硅胶和荧光粉构成。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果在于:

1、本实用新型提供的LED COB器件,将所述LED芯片及驱动芯片及整流芯片均设置于所述基板上,驱动芯片及整流芯片驱动LED芯片,使得LED芯片能够正常工作,将本实用新型的LED COB器件安装于应用端,无需另外安装驱动装置,大大简化了应用端的安装过程,且减少了应用端的安装部件,更利于应用端的小型化设计。

2、本实用新型提供的LED COB器件,所述第一固晶区的表面设置有高反射层,用于提高LED COB器件的反射率,提高所述LED COB器件的出光效率,另外,白色围坝胶制作所述第一围坝,进一步提高了LED COB器件的反射率。

附图说明

图1为本实用新型LED COB器件的结构示意图。

具体实施方式

为了使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案,下面结合附图和优选实施例对本实用新型作进一步的详细说明。

如图1所示,一种LED COB器件,包括基板1、至少一个LED芯片2、驱动芯片及整流芯片3、围坝4以及封装胶体(图中未示出),所述LED芯片2设置于所述基板上1,所述围坝4包括第一围坝41和第二围坝42,所述LED芯片2设置于所述第一围坝41内,所述驱动芯片及整流芯片3设置于所述第二围坝42内,所述封装胶体填充于所述围坝4内并覆盖围坝内的LED芯片2及驱动芯片及整流芯片3。

所述基板1为金属基板或陶瓷基板,本实施例中,所述基板为陶瓷基板,呈矩形,其尺寸为19*19mm,所述基板的正面设置有固晶区11及电极区12。

所述固晶区11包括第一固晶区111和第二固晶区112,所述第一固晶区111位于所述基板1的中央位置,呈圆形,用于安装LED芯片2,本实施例中,所述第一固晶区111的直径为11mm。更优地,所述第一固晶区111的表面设置有高反射层,所述高反射层的反射率高于98%,用于提高LED COB器件的反射率,提高所述LED COB器件的出光效率;所述第二固晶区112分布于所述基板1的一对对角,用于安装驱动芯片及整流芯片3,其中,本实用新型所述的对角为矩形两个不相邻的角,本说明书及权利要求中提到的对角与该处对角的含义相同。

所述电极区12为设置于所述基板正面的金属层,用于实现LED COB器件与外界电源的电连接,所述金属层设置有两个,分别为第一金属层和第二金属层,所述第一金属层和第二金属层分别位于所述基板的另一对对角上,所述第一金属层及所述第二金属层与所述固晶区11之间通过电路实现电连接关系。

所述LED芯片2设置于所述第一固晶区111,本实施例中,所述LED芯片2为多个,LED芯片2之间设置有电连接逻辑关系,从而可以实现单阶驱动或多阶驱动。

所述围坝4包括第一围坝41和第二围坝42,所述第一围坝41呈闭合环状结构,设置于所述基板1的正面并包围所述第一固晶区111。所述第一围坝41由围坝胶制成,所述围坝胶为白色。所述第一围坝的直径为0.4~1.0mm。本实用新型采用白色围坝胶制作所述第一围坝,用于提高LED COB器件的反射率,所述围坝坝体的宽度设置为0.4~1.0mm ,若所述围坝坝体的宽度小于0.4mm,则围坝与所述基板的结合力过小,容易脱落,LED COB器件的可靠性差,若所述围坝坝体的宽度大于1.0mm,则占用所述基板过多的面积,不利于LED COB器件的小型化设计;所述第二围坝42呈规则或不规则形状的闭合结构,设置于所述基板1的一对对角上并包围所述第二固晶区112。

所述封装胶体可以是透明封装胶体,也可以是混合有荧光粉的封装胶体,本实施例中,所述封装胶体由透明硅胶和荧光粉构成,荧光粉均匀的分布于所述透明硅胶内部。

本实用新型将所述LED芯片及驱动芯片及整流芯片均设置于所述基板上,驱动芯片及整流芯片驱动LED芯片,使得LED芯片能够正常工作,将本实用新型的LED COB器件安装于应用端,无需另外安装驱动装置,大大简化了应用端的安装过程,且减少了应用端的安装部件,更利于应用端的小型化设计。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果在于:

1、本实用新型提供的LED COB器件,将所述LED芯片及驱动芯片及整流芯片均设置于所述基板上,驱动芯片及整流芯片驱动LED芯片,使得LED芯片能够正常工作,将本实用新型的LED COB器件安装于应用端,无需另外安装驱动装置,大大简化了应用端的安装过程,且减少了应用端的安装部件,更利于应用端的小型化设计。

2、本实用新型提供的LED COB器件,所述第一固晶区的表面设置有高反射层,用于提高LED COB器件的反射率,提高所述LED COB器件的出光效率,另外,白色围坝胶制作所述第一围坝,进一步提高了LED COB器件的反射率。

以上所述是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。

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