一种板式PECVD机台的双面镀膜结构的制作方法

本实用新型涉及太阳能电池制造领域，尤其涉及一种板式PECVD机台的双面镀膜结构。

背景技术：

常规的化石燃料日益消耗殆尽，在现有的可持续能源中，太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。太阳能发电装置又称为太阳能电池或光伏电池，可以将太阳能直接转换成电能，其发电原理是基于半导体PN结的光生伏特效应。太阳能发电装置的核心是电池片，目前绝大多数都采用硅片制成。

光伏电池生产过程中，目前高效电池片的技术中PERC工艺已经得到广泛推广，PERC工艺技术需要沉积三次不同的膜层来完成正面和背面的钝化，即背面AL₂O₃、背面Si₃N₄、正面Si₃N₄。PERC工艺在量产技术中，又以微波激发等离子体和ALD为主流的两大技术，其中微波等离子体技术中，背面AL₂O₃和背面Si₃N₄在同一机台中完成，正面Si₃N₄在单独的PECVD镀膜机台中完成；而ALD技术中，先在ALD机台上沉积背面AL₂O₃，然后在PECVD机台上沉积背面Si₃N₄，最后还需在PECVD机台再次沉积正面Si₃N₄，此种方法需要分三步，分别完成正面和背面的镀膜，造成ALD技术的PERC电池成本偏高，而且在多次搬运的过程中，极易造成AL₂O₃膜层被损伤，影响钝化效果。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种板式PECVD机台的双面镀膜结构。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种板式PECVD机台的双面镀膜结构，包括石墨框及微波激发等离子体系统，所述石墨框水平布置，所述微波激发等离子体系统以所述石墨框为基准对称布置于石墨框的上方及下方。

上述技术方案中，所述微波激发等离子体系统包括U型槽、磁铁及石英管，所述磁铁设于U型槽外侧，石英管设于U型槽内。

上述技术方案中，所述U型槽的横截面为等腰梯形结构，等腰梯形的两个底边中，长的底边定义为下底，短的底边定义为上底，所述U型槽等腰梯形结构中的下底为敞口，该敞口朝向所述石墨框设置。

优选地，所述等腰梯形结构的上底上开设有氨气进气孔。

优选地，所述氨气进气孔沿U型槽的长度方向间隔分布。

优选地，所述磁铁设于等腰梯形结构两个腰的外侧。

优选地，所述等腰梯形结构两个腰上靠近下底的一端向U型槽外各延伸出一侧翼。

优选地，所述侧翼上开设有硅烷进气孔。

优选地，所述硅烷进气孔沿U型槽的长度方向在侧翼上间隔分布。

由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

1．本实用新型可同时对硅片的正面和背面进行沉积氮化硅薄膜；

2. 本实用新型减少了镀膜工序，因此减少了过程的搬运，从而降低了背面AL₂O₃膜层被损伤的风险；

3．本实用新型减少了工序，降低了人工和采购设备的成本；

4．本实用新型减少了工序，提升了产能；

5. 本实用新型操作和控制简单，适于在所有板式PECVD机台上推广。

附图说明

图1为本实用新型实施例一结构剖视图。

上述附图中：1、石墨框；2、硅片；3、U型槽；4、硅烷进气孔；5、磁铁；6、石英管；7、氨气进气孔；8、等离子体；9、侧翼。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述：

实施例一：

一种板式PECVD机台的双面镀膜结构，包括石墨框1及微波激发等离子体系统，所述石墨框1水平布置，硅片2置于石墨框1上，所述微波激发等离子体系统以所述石墨框1为基准对称布置于石墨框1的上方及下方。

所述微波激发等离子体系统包括U型槽3、磁铁5及石英管6，所述磁铁5设于U型槽3外侧，石英管6设于U型槽3内。

所述U型槽3的横截面为等腰梯形结构，等腰梯形的两个底边中，长的底边定义为下底，短的底边定义为上底，所述U型槽3等腰梯形结构中的下底为敞口，该敞口朝向所述石墨框1设置。

所述等腰梯形结构的上底上开设有氨气进气孔7。

所述氨气进气孔7沿U型槽3的长度方向间隔分布。

所述磁铁5设于等腰梯形结构两个腰的外侧。

所述等腰梯形结构两个腰上靠近下底的一端向U型槽3外各延伸出一侧翼9。

所述侧翼9上开设有硅烷进气孔4。

所述硅烷进气孔4沿U型槽3的长度方向在侧翼9上间隔分布。

硅片2在沉积完背面AL₂O₃后，在PECVD机台上，可同时完成正面和背面的Si₃N₄的沉积。