沟槽DMOS器件的制作方法

本实用新型涉及半导体器件极其制造方法，尤其是一种沟槽DMOS器件的制造方法。

背景技术：

目前，沟槽DMOS（Trench DMOS）造单项工艺已非常成熟，Trench DMOS器件结构包括有源区和终端保护区，不同的设计决定了制造过程中需要的光刻掩膜版层数。普通Trench DMOS生产制造过程需要有5层、7层、8层甚至更多的光刻层数来完成，光刻版层数越多，生产成本增加就越多，晶圆产出周期也会增长。

发明专利201010169959.X有提出类似的观点，用绝缘介质层作为源区第一导电杂质注入阻挡层，但其有源区沟槽刻蚀和终端保护区刻蚀是分两次光刻完成，增加了光刻掩膜版层数，至少需要4次光刻来完成器件功能。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于克服现有技术中存在的不足，提供一种沟槽DMOS器件的制造方法，其能够保证器件性能的同时，减少工艺制造光刻层数，大幅度降低了制造成本。本实用新型还提出了上述制造方法所得到的沟槽DMOS的结构；本实用新型采用的技术方案是：

一种沟槽DMOS器件的制造方法，包括以下步骤：

(a)、提供第一导电类型重掺杂衬底，并在第一导电类型重掺杂衬底上形成第一导电类型轻掺杂外延层；形成半导体基板；

(b)、在第一导电类型轻掺杂外延层上淀积沟槽刻蚀阻挡层；

(c)、在外延层正面通过沟槽光刻、刻蚀形成多个阵列型的沟槽；所述沟槽包括位于半导体基板中央有源区内的栅极沟槽、有源区外侧的栅极引出区内的栅极引出沟槽、有源区和栅极引出区外圈的分压保护区内的分压保护沟槽、分压保护区外圈的截止保护区内的截止保护沟槽；其中，分压保护沟槽和截止保护沟槽为环形结构；

(d)、去除上一步沟槽光刻时的光刻胶，随后湿法腐蚀去除淀积的沟槽刻蚀阻挡层；

(e)、在上述沟槽结构内壁生长绝缘氧化层，绝缘氧化层也分布在整个半导体基板正面；

(f)、在半导体基板正面淀积多晶硅；多晶硅填充外延层内的沟槽，及覆盖外延层表面；

刻蚀半导体基板正面的多晶硅，仅保留在沟槽内的多晶硅，同时保留半导体基板正面的绝缘氧化层厚度在一定范围内；

在栅极沟槽内形成栅电极，在栅极引出沟槽内形成栅引出结构，在分压保护沟槽内形成分压保护环，在截止保护沟槽内形成截止保护环；

(g)、在半导体基板的正面注入第二导电类型杂质离子，通过高温退火形成第二导电类型体区；第二导电类型体区位于第一导电类型外延层上部，第二导电类型体区横贯整个半导体基板；

(h)、在外延层表面淀积绝缘介质层，并回流；

(i)、通过接触孔版光刻、选择性的掩蔽和刻蚀绝缘介质层，刻蚀深度与淀积的绝缘介质层厚度相同，在绝缘介质层表面形成引线孔；

各引线孔分别位于有源区内第二导电类型体区上方、栅极引出区内栅引出结构上方、截止保护区内截止保护环外侧的第二导电类型体区上方；

(j)、去除上一步刻蚀引线孔时的光刻胶；

(k)、通过引线孔注入第一导电类型杂质，并退火；

在有源区内第二导电类型体区上部形成第一导电类型源极；

在截止保护区内截止保护环外侧的第二导电类型体区上部形成第一导电类型子区；

(l)、通过引线孔进行选择性干法刻蚀，刻蚀深度大于第一导电类型源极深度且小于第二导电类型体区的结深；

(m)、在上述绝缘介质层和引线孔内均匀淀积正面金属，选择性的掩蔽和刻蚀正面金属层，得到连接栅引出结构的栅极金属和连接第一导电类型源极的源极金属，以及连接第一导电类型子区的金属板；

(n)进行背面金属工艺，形成器件漏极，完成最终器件结构。

进一步地，步骤(c)中，栅极沟槽与栅极引出沟槽通过半导体基板端头的横向沟槽连通。

进一步地，步骤(f)中，绝缘氧化层厚度控制在15～25nm。

上述制造工艺形成的一种沟槽DMOS器件，包括第一导电类型重掺杂衬底，以及在第一导电类型重掺杂衬底上形成的第一导电类型轻掺杂外延层，衬底和外延层构成形成半导体基板；半导体基板上包括有源区、栅极引出区和终端保护区；

有源区位于半导体基板中央区域，栅极引出区位于有源区外侧，终端保护区位于有源区和栅极引出区外圈；

在有源区内，第一导电类型外延层上部有第二导电类型体区和沟槽状栅电极，栅电极顶部侧面设有第一导电类型源极；栅电极与第一导电类型源极、第二导电类型体区、外延层通过栅氧层电绝缘；

在有源区内，外延层表面覆盖绝缘介质层，第二导电类型体区上方的绝缘介质层中设有引线孔，源极金属淀积在绝缘介质层表面和有源区内引线孔中，与第二导电类型体区和第一导电类型源极连接；栅电极通过其顶部的绝缘介质层与源极金属隔离；

在栅极引出区内，第一导电类型外延层上部有第二导电类型体区和沟槽状栅引出结构，栅引出结构与第二导电类型体区、外延层通过绝缘氧化层电绝缘；外延层表面覆盖绝缘介质层，栅引出结构上方的绝缘介质层中设有引线孔，栅极金属淀积在在绝缘介质层表面和栅极引出区内引线孔中，与栅引出结构连接；

栅电极与栅引出结构通过半导体基板端头的横向沟槽连接。

进一步地，源极金属在引线孔中的深度大于第一导电类型源极深度且小于第二导电类型体区的结深。

进一步地，终端保护区包括位于有源区和栅极引出区外圈的分压保护区，以及位于分压保护区外圈的截止保护区；

在分压保护区内，第一导电类型外延层上部有第二导电类型体区和沟槽状分压保护环；分压保护环与第二导电类型体区、外延层通过绝缘氧化层电绝缘；外延层表面覆盖绝缘介质层；

在截止保护区内，第一导电类型外延层上部有第二导电类型体区和沟槽状截止保护环；截止保护环外侧的第二导电类型体区上部形成第一导电类型子区；外延层表面覆盖绝缘介质层，绝缘介质层上设有金属板，金属板通过绝缘介质层中的引线孔向下延伸并连接第一导电类型子区；截止保护环与第二导电类型体区、外延层和金属板的下延伸部通过绝缘氧化层电绝缘；

金属板下延伸部的深度大于第一导电类型子区深度且小于第二导电类型体区的结深。

更进一步地，第一导电类型子区位于金属板下延伸部外侧。

本实用新型的优点在于：本实用新型的技术方案不使用源极光刻板，整套工艺流程只需要3层光罩即可实现（不包含钝化层光刻板），3层光刻板分别实现的功能是沟槽刻蚀（TR）、接触孔引出（CT）、金属电极光刻（Metal）；源区形成在接触孔光刻工艺之后；所述实用新型结构和制造方法包括有源区和终端保护区，器件终端保护结构使用Trench ring（沟槽状的保护环）设计，终端保护区由至少1个以上的Trench ring 组成，终端保护区Trench ring与元胞区（有源区和栅极引出区）栅沟槽刻蚀是同一刻蚀步骤完成。可减少工艺制造光刻层数，大幅度降低了制造成本。

附图说明

图1为本实用新型的半导体基板示意图。

图2为本实用新型的形成沟槽后的示意图。

图3为本实用新型的半导体基板正面淀积多晶硅并刻蚀后，再形成第二导电类型体区示意图。

图4为本实用新型的淀积绝缘介质层并在绝缘介质层开孔示意图。

图5为本实用新型的通过引线孔注入第一导电类型杂质示意图。

图6为本实用新型的通过引线孔进行选择性干法刻蚀示意图。

图7为本实用新型的正面金属淀积蚀刻形成最终器件示意图。

具体实施方式

下面结合具体附图和实施例对本实用新型作进一步说明。

实施例一；

本实施例提供的沟槽DMOS器件的制造方法，包括以下步骤：

如图1所示，

(a)、提供N+型衬底1，并在N+型衬底1上形成N-型外延层2；形成半导体基板；

(b)、在N-型外延层2上淀积沟槽刻蚀阻挡层；图1和图2中未画出沟槽刻蚀阻挡层；

如图2所示，

(c)、在N-型外延层2正面通过沟槽光刻（TR光罩）、刻蚀形成多个阵列型的沟槽；所述沟槽包括位于半导体基板中央有源区A内的栅极沟槽301、有源区A外侧的栅极引出区B内的栅极引出沟槽302、有源区A和栅极引出区B外圈的分压保护区C内的分压保护沟槽303、分压保护区C外圈的截止保护区D内的截止保护沟槽304；其中，分压保护沟槽203和截止保护沟槽304为环形结构（Trench ring）；

栅极沟槽301与栅极引出沟槽302通过半导体基板端头（远离读者方向或朝向读者方向的端头）的横向沟槽连通；

(d)、各向同性湿法腐蚀去除上一步沟槽光刻时的光刻胶，随后湿法腐蚀去除淀积的沟槽刻蚀阻挡层；

(e)、在上述沟槽结构内壁生长绝缘氧化层4，绝缘氧化层4分布在整个半导体基板正面；栅极沟槽301内壁的绝缘氧化层就是栅氧层；

如图3所示，

(f)、在半导体基板正面淀积多晶硅；多晶硅填充N-型外延层2内的沟槽，及覆盖N-型外延层2表面；

刻蚀半导体基板正面的多晶硅，仅保留在沟槽内的多晶硅，同时保留半导体基板正面的绝缘氧化层4厚度在一定范围内，比如15～25nm，典型地，20nm；

此步骤可在栅极沟槽301内形成栅电极301′，在分压保护沟槽303内形成分压保护环303′，在截止保护沟槽304内形成截止保护环304′；

(g)、在半导体基板的正面注入P-型杂质离子，通过高温退火形成P-型体区5；P-型体区5位于N-型外延层2上部，P-型体区5横贯整个半导体基板；

如图4所示，

(h)、在N-型外延层2表面淀积绝缘介质层6，并回流；

(i)、通过接触孔版光刻（CT光罩）、选择性的掩蔽和刻蚀绝缘介质层6，刻蚀深度与淀积的绝缘介质层6厚度相同，在绝缘介质层6表面形成引线孔7；

各引线孔7分别位于有源区A内P-型体区5上方、栅极引出区B内栅引出结构302′上方、截止保护区D内截止保护环304′外侧的P-型体区5上方；

(j)、各向同性湿法腐蚀去除上一步刻蚀引线孔7时的光刻胶；

如图5所示，

(k)、通过引线孔7注入N+型杂质，并退火；

在有源区A内P-型体区5上部形成N+型源极8；

在截止保护区D内截止保护环304′外侧的P-型体区5上部形成N+型子区9；

如图6所示，

(l)、通过引线孔7进行选择性干法刻蚀，刻蚀深度大于N+型源极8深度且小于P-型体区5的结深；

如图7所示，

(m)、在上述绝缘介质层6和引线孔7内均匀淀积正面金属，选择性的掩蔽和刻蚀正面金属层（通过metal光罩光刻），得到连接栅引出结构302′的栅极金属10和连接第一导电类型源极8的源极金属11，以及连接第一导电类型子区9的金属板12；

(n)进行背面金属工艺，形成器件漏极，完成最终器件结构。器件漏极是形成与衬底背面的漏极金属。

需要说明的是，图1至图6显示了DMOS器件的部分截面，图中右侧是靠近半导体基板中央，左侧是靠近半导体基板外缘；

通过上述制造工艺，获得的一种沟槽DMOS器件，包括N+型衬底1，以及在N+型衬底1上形成的N-型外延层2，N+型衬底1和N-型外延层2构成形成半导体基板；所述半导体基板上包括有源区A、栅极引出区B和终端保护区；

有源区A位于半导体基板中央区域，栅极引出区B位于有源区A外侧，终端保护区位于有源区A和栅极引出区B外圈；

在有源区A内，N-型外延层2上部有P-型体区5和沟槽状栅电极301′，栅电极301′顶部侧面设有N+型源极8；栅电极301′与N+型源极8、P-型体区5、N-型外延层2通过栅氧层电绝缘；

在有源区A内，N-型外延层2表面覆盖绝缘介质层6，绝缘介质层6中设有引线孔7，源极金属11淀积在绝缘介质层6表面和引线孔中，与P-型体区5和N+型源极8接触；栅电极301′通过其顶部的绝缘介质层6与源极金属11隔离；

在栅极引出区B内，N-型外延层2上部有P-型体区5和沟槽状栅引出结构302′，栅引出结构302′与P-型体区5、N-型外延层2通过绝缘氧化层4电绝缘；N-型外延层2表面覆盖绝缘介质层6，栅引出结构302′上方的绝缘介质层6中设有引线孔7，栅极金属10淀积在绝缘介质层6表面和栅极引出区B内引线孔中，与栅引出结构302′连接；

栅电极301′与栅引出结构302′通过半导体基板端头的横向沟槽连接。

终端保护区包括位于有源区A和栅极引出区B外圈的分压保护区C，以及位于分压保护区C外圈的截止保护区D；

在分压保护区C内，N-型外延层2上部有P-型体区5和沟槽状分压保护环303′；分压保护环303′与P-型体区5、N-型外延层2通过绝缘氧化层4电绝缘；N-型外延层2表面覆盖绝缘介质层6；

在截止保护区D内，N-型外延层2上部有P-型体区5和沟槽状截止保护环304′；截止保护环304′外侧的P-型体区5上部形成N+型子区9；外延层2表面覆盖绝缘介质层6，绝缘介质层6上设有金属板12，金属板12通过绝缘介质层6中的引线孔向下延伸并连接N+型子区9；截止保护环304′与P-型体区5、N-型外延层2和金属板12的下延伸部通过绝缘氧化层4电绝缘；

金属板12下延伸部的深度大于N+型子区9深度且小于P-型体区5的结深。

N+型子区9位于金属板12下延伸部外侧。

本实用新型提供的技术方案，其特点在于，设计中不使用源极光刻板，整套工艺流程只需要3层光罩即可实现（不包含钝化层光刻板），3层光刻板分别实现的功能是沟槽刻蚀（TR）、接触孔引出（CT）、金属电极光刻（Metal）；源区形成在接触孔光刻工艺之后；所述实用新型结构和制造方法包括有源区和终端保护区，器件终端保护结构使用Trench ring（沟槽状的保护环）设计，终端保护区由至少1个以上的Trench ring 组成，终端保护区Trench ring与元胞区（有源区A和栅极引出区B）栅沟槽刻蚀是同一刻蚀步骤完成。

所述“第一导电类型”和“第二导电类型”两者中对于N型MOS场效应管，第一导电类型指N型，第二导电类型为P型；

在其他实施例中，对于P型MOS场效应管，第一导电类型与第二导电类型所指的类型与N型MOS场效应管正好相反。