一种晶圆辅助载具的制作方法

本实用新型属于半导体制造辅助工具领域，具体涉及一种晶圆辅助载具。

背景技术：

目前集成电路制造行业中，主流晶圆尺寸一般为4英寸、6英寸、8英寸和12英寸。集成电路设备生产商也是基于以上主流尺寸来研发生产自己的设备。而在砷化镓集成电路制造工艺中，需要将150mm的砷化镓晶圆粘合(Bonding)到156mm的蓝宝石衬底上，粘合后的晶圆将由原来的150mm变为156mm，然后将砷化镓晶圆减薄至100微米左右，接着将减薄后的砷化镓晶圆与蓝宝石衬底一起送入干法蚀刻设备中进行背面通孔蚀刻工艺。但传统干法蚀刻设备是基于150mm(6英寸)来研发生产的，其放置晶圆的静电吸附盘只适用于150mm的晶圆，无法直接用于156mm的粘合晶圆。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种晶圆辅助载具，该方法可以很好地解决上述问题。

为达到上述要求，本实用新型采取的技术方案是：提供一种晶圆辅助载具，包括圆环和固定栓，圆环表面设置有限制晶圆滑动的栓针，圆环外边缘开设有与固定栓匹配的栓凹槽，固定栓卡入栓凹槽中将所述圆环固定在静电吸附盘上。

优选的，圆环的内径与需拓展的静电吸附盘直径一致。

优选的，圆环厚度与需拓展的静电吸附盘凸出高度一致。

优选的，圆环由陶瓷材料制成。

优选的，圆环表面至少设置有3根栓针，且栓针沿圆环内径均匀排布。

优选的，栓针至少部分顶面朝向圆环圆心倾斜，倾斜角度为45°到70°。

优选的，栓针的高度不超过10mm。

优选的，固定栓为T型结构。

优选的，固定栓固定栓的水平部卡入栓凹槽中，垂直部通过螺丝与用于固定静电吸附盘的静电吸附台连接。

与现有技术相比，本实用新型具有的优点是：

(1)将圆环水平套在静电吸附盘上，可有效水平拓宽静电吸附盘尺寸，能够满足由于与衬底粘合后尺寸变大的晶圆的使用需求，此载具制作工艺简单，成本低廉，省去购买新设备或者改造静电吸附盘的高昂成本；

(2)通过栓凹槽和固定栓连接固定，方便拆卸和清洁维护。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，在这些附图中使用相同的参考标号来表示相同或相似的部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1为本实用新型的结构示意图。

图2为本实用新型栓针的结构示意图。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，以下结合附图及具体实施例，对本申请作进一步地详细说明。为简单起见，以下描述中省略了本领域技术人员公知的某些技术特征。

本实用新型提供一种晶圆辅助载具，如图1所示，包括圆环1和固定栓4，圆环1表面设置有限制晶圆滑动的栓针2，圆环1外边缘开设有与固定栓4匹配的栓凹槽3，固定栓4卡入栓凹槽3中将所述圆环1固定在静电吸附盘上。

进一步地，圆环1的内径与需拓展的静电吸附盘直径一致，为153mm，外径为165-227mm；圆环1厚度与需拓展的静电吸附盘凸出高度一致，为2.5mm，可以更好的保持静电吸附盘的整体性。

进一步地，圆环1由陶瓷材料制成，可有效抵抗设备中等离子体的侵蚀。

进一步地，本实施例中设置有3根栓针2，且3根栓针2沿圆环1内径均匀排布，即任何两根栓针2之间的夹角为120°，栓针2与圆环1中心距离均为79.5mm。栓针2的形状可以为三棱柱，也可以为三棱柱与长方体的组合结构。栓针2至少部分顶面朝向圆环1圆心倾斜，倾斜角度为45°到70°。如图2(a)、(b)所示，三棱柱的整个顶面朝向圆环1圆心倾斜；如图2(c)所示，只有三棱柱的顶面朝向圆环1圆心倾斜，长方体顶面没有倾斜。栓针2垂直凸出于圆环1表面，高度不超过10mm。

进一步地，固定栓4为T型结构。

进一步地，固定栓4的水平部41卡入栓凹槽3中，垂直部42通过螺丝与用于固定静电吸附盘的静电吸附台连接，该螺丝采用316不锈钢制成。

以上所述实施例仅表示本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能理解为对本实用新型范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型保护范围。因此本实用新型的保护范围应该以所述权利要求为准。