存储器装置的制作方法

本实用新型的实施例和制造方法涉及存储器装置。

背景技术：

诸如氧化物基的直接存取存储器(OxRAM)、电解式存储器(CBRAM)或铁磁存储器(FRAM)的阻变式存储器(RRAM)具有许多优点和特性，尤其是非常短的读写时间、低工作电压、低功耗、易于集成、几乎无限大的耐久性以及潜在非常高的密度。

RRAM阻变式存储器通常包括能够存储一个字节的存储节点，其中存储节点在存储平面中以矩阵阵列的方式分布在多个行和列中。存储节点通过横贯存储平面的多个行的字线和横贯存储平面的多个列的位线来进行存取。

在RRAM阻变式存储器中，每个存储节点通常包括电容性金属-氧化物-金属(MOM)结构或存储单元。电容性MOM结构的金属层形成所谓的顶部和底部电极，其设置在例如金属氧化类型的电介质层的两侧上。

由于它们由氧化物和金属构成，所以电容式存储单元可以有利地制造在集成电路的互联部中，该部分位于衬底之上且通常在本领域中由首字母缩写BEOL(back-end of line)表示。

制造RRAM阻变式存储器的工艺包括传统的光刻步骤，其中以期望的图案曝光在形成的结构上沉积的光刻胶层。然后移除被曝光(或未曝光)的光刻胶，以便于形成光刻胶掩模，以经由光刻胶掩模蚀刻所述结构的曝光部分。

图1描述了以上述工艺形成的沉积在阻变式存储器的存储平面PM上的传统的光刻胶掩模。光刻胶掩模包括在存储平面PM的行X 和列Y方向周期性重复的正方形的“焊垫”1。这些焊垫1最后限定电容单元CEL的尺寸。

在光刻工艺中，投影图象呈现出不规则形状，例如圆角。此外，尽管执行光学邻近校正(OPCs)，光刻胶的正方形部分倾向于在其角部形成圆弧状且直到变成圆形结束，如虚线2所示。因而，光刻胶焊垫所占面积变小。

面积越小，光刻胶粘附出现问题的可能越大且剥离会产生严重制造缺陷的风险越大。

因而，RRAM型存储器的密度受限于光刻胶粘附的问题。

技术实现要素：

由此，根据一些制造方法，工艺目的是形成允许存储节点的尺寸不受所述粘附问题的影响而降低的RRAM阻变式存储器存储单元或存储平面。

这使得可以增加RRAM存储器的密度且还可以控制所制造单元的纵横比。

根据一方面，工艺的目的是制造至少一个电容性存储单元，其在集成电路的互联部分内具有第一电极和通过电介质区域隔离的第二电极。

根据该方面的一般特征，工艺包括：

第一蚀刻步骤，其中，在第一导电层中，形成在第一方向上延伸的第一条带；

在被蚀刻的第一导电层上，形成电介质层和第二导电层，以及

第二蚀刻步骤，其中，在第二导电层、电介质层和被蚀刻的第一导电层中，形成在垂直于第一方向的第二方向上延伸的第二条带，

第一电极通过第一条带和第二条带的第一导电层中的交叉点形成以及

第二电极通过面对第一电极的第二导电层的区域形成。

根据一种实施方式的方法，用于制造阻变式存储器存储平面， 该方法包括：在集成电路的所述互联部内的多个电容性存储单元，存储单元的第一电极的形成包括：第一蚀刻步骤，其中，在第一导电层中，蚀刻在第一方向上延伸的多个第一条带；和第二蚀刻步骤，其中，在第二导电层、电介质层和被蚀刻的第一导电层中，蚀刻在第二方向上延伸的多个第二条带，存储单元的第二电极通过面对第一电极的所述第二条带的区域形成。

该利用条带形成一个或多个存储单元的工艺使得可以保持通常正方形或矩形存储单元的纵横比。

根据一种实施方式的方法，第一条带和第二条带在两方向的每一个中以规则的节距周期性地分布在存储平面中。

根据一种实施方式的方法，第一和第二蚀刻步骤包括沉积光刻胶然后执行光刻步骤。

在这些实施方式的方法中，光刻胶掩模比传统的实施方式的方法占有更大的面积。因而，该方法解决光刻胶粘附问题且有利地允许RRAM阻变式存储器的密度增加。

工艺还可以包括：形成在第一方向上横贯存储平面的字线和在第二方向上横贯存储平面的位线；形成连接字线与第一电极的第一导电接触；和形成连接位线与第二电极的第二导电接触。

根据另一方面，存储器件还可以在集成电路的互连部内包括至少一个电容性存储单元，其具有通过电介质区隔离的第一电极和第二电极。

根据各个方面的一般特征，第一电极包括正方形或矩形的导电焊垫，且该装置包括电介质层和导电层的堆叠结构，堆叠结构形成在所述焊垫的每一侧上延伸的条带，第二电极通过所述第二导电层的面对所述焊垫的区域形成。

根据一实施例，存储器件在集成电路的互连部内包括存储平面，存储平面包括在垂直的第一和第二方向上延伸的电容性存储单元且每个均包括第一电极、电介质区和第二电极，存储平面包括：

形成所述第一电极的正方形或矩形的导电焊垫；

所述电介质层和第二导电层的堆叠结构在第一方向上覆盖焊垫，且在第二方向上形成在所述焊垫之上和之间延伸的导电条带；

第二电极通过所述第二条带的面对所述焊垫的区域形成。

根据一个实施例，存储器进一步包括：在第一方向上横贯存储平面的字线和在第二方向上横贯存储平面的位线；第一导电接触，连接字线与第一电极；和第二导电接触，连接位线与第二电极。

附图说明

本实用新型的其他优点和特征可以通过查看具体完整的非限制性实施例和实施方式的方法、以及附图可以更明显地明白。其中：

-图1，如上所述，描述了传统工艺中用于形成阻变式存储器的光刻胶掩模；

-图2至图7示出了根据本实用新型的在用于形成阻变式存储器的工艺期间获得或使用的各种结构。

图2、图4、图6和图7示出了在用于形成RRAM阻变式存储器存储平面的各个步骤中获得的结构的截面图X和Y，在平面中平行于第一方向X和第二方向Y可以例如分别是纵向和横向。这些方向X、Y例如分别对应于存储平面PM未来的行和列。

图3和图5示出了从上方所示，在RRAM阻变式存储器形成期间沉积在存储平面上的光刻胶掩模，其中在图中第一和第二方向已经示出。

图2中的截面X和Y示出了包括一金属化平面Mi的传统的BEOL互连结构，由金属化平面Mi形成存储平面的电容性存储单元。

具体实施方式

BEOL互连部通常形成在制造于半导体衬底中和上的电子电路上，且包括多个连续的金属化平面。阻变式存储单元例如形成在两个金属化平面Mi和Mi+1之间。

金属化平面Mi被非常详细地示出且尤其包括形成在第一方向X 上延伸的字线WL的金属迹线。

在初始步骤中，以实际上传统和公知的方式，连接到字线的第一导电接触CWL已经形成在电介质层OX中，电介质层沉积在金属化平面Mi上。

优选地且传统地，包括接触CWL的电介质OX的表面S通过例如湿式化学-机械平面化的方式来进行平面化。

在用于形成RRAM阻变式存储器存储平面的优选工艺的第一步骤中，第一导电层CC1最终将用来形成MOM电容性结构的第一电极BE，沉积在表面S上。

这些第一电极BE是MOM电容性结构的底部电极，即最接近集成电路的衬底的电极。

用于形成底部电极BE的金属可以例如选自于钛Ti、氮化钛TiN、或贵金属，例如铂Pt或铱Ir。

在形成工艺的下一步骤中，光刻胶层沉积在第一层CC1上且进行实质已知的传统的光刻和蚀刻步骤，以形成光刻胶RX的纵向条带。

图3示出了在平行于方向X延伸且在垂直于方向X的方向周期性分布的所述光刻胶RX的条带。光刻胶条带彼此之间的宽度相同，以规则的节距重复且面对接触CWL设置。

然后，相对于光刻胶RX选择性蚀刻第一导电层CC1的暴露部分，直到电介质OX的表面，以便于在移除光刻胶之后获得在未来的存储平面的第一方向X上延伸的条带BDX(图4)。

在此步骤期间，没有遇到光刻胶粘附的问题；具体地，光刻胶图案为条带的形状，条带的接触区大于制造焊垫的图案，且不具有变圆的风险的角。

然后选择性地移除光刻胶以清洁用于后续工艺继续加工的所获得的结构。

图4示出了工艺的下一步骤，其中在结构上获得电介质层MOX，然后沉积第二导电层CC2。

第二导电层CC2最终将包括电容性单元CEL的第二电极TE，且也可以由Ti、TiN、Pt形成。这些第二电极TE是电容性单元CEL的顶部电极，即远离衬底的电极。

电介质层MOX优选金属氧化物，例如由氧化钛TiO_x或氧化铪HfO₂组成。

在形成工艺的下一步骤中，再次沉积光刻胶层且进行光刻和蚀刻步骤以形成垂直于前述获得的纵向条带RX的横向光刻胶条带RY。

图5示出了前述获得的结构的表面上的所述光刻胶条带RY，包括在第一导电层CC1和电介质层OX的表面S上的电介质层MOX和第二导电层CC2的堆叠结构。

光刻胶条带RY沿平行于轴Y的方向延伸且在X方向周期性地分布。光刻胶条带RY也可以具有相同的宽度，以规则的节距重复且面对接触CWL设置。

在下一步骤中，图6示出了结果，相对于光刻胶连续和选择性蚀刻第二导电层CC2、电介质层MOX和第一导电层CC1直到氧化层OX的表面S。

因而，经由两个垂直掩模RX、RY来蚀刻第一导电层CC1使第一电极BE形成正方形或矩形形状，而不具有圆形角。

电介质层MOX和第二导电层CC2对于它们的部分对应于掩模RY的图案具有条带BDY结构，且形成V型形状，其齿部面对第一电极BE形成存储单元的第二电极(或顶部电极)TE。

下面参考图7进行描述，属于特定列的存储单元的第二电极TE最终通过位线连接在一起。

MOM电容性单元的纵横比因而主要由形成第一电极BE的焊垫的形状限定。由于所述焊垫通过蚀刻垂直条带来获得，所以该工艺允许对于小尺寸保持一纵横比。

如图7所示，在横向Y上延伸的位线BL以实质上传统和公知的方式形成，形成了存储平面PM的列，所述位线通过第二接触CBL 连接到存储平面PM的列的每一个顶部电极TE。

位线BL例如制造在上部金属化平面Mi+1中。第二接触CBL因而制造在金属化平面Mi+1和电容性单元CEL的第二电极之间。

为了清楚的原因，没有示出传统上设置在电容性结构CEL之间和接触CBL之间的绝缘材料层。

因而，获得的存储平面包括形成所述第一电极BE的正方形或矩形的导电焊垫。

电介质层MOX和第二导电层的堆叠在第一方向X上覆盖所述焊垫BE且在第二方向Y上形成在焊垫之上和焊垫之间延伸的导电条带BDY。第二电极TE因而通过所述第二条带BDY的区域形成，垂直面对所述焊垫。

当然，存储器件还可以包括传统的选择晶体管，用于选择存储单元，为了简化在此没有示出。

本实用新型的实施方式和实施例的方法并非受限于本说明书，而是包含其它变型。例如用于制造存储平面的工艺还可以详述，但是本实用新型当然可以用于制造单一独立的存储单元。本领域的技术人员能够根据本说明书的教导来实现这种变型。