1.一种半导体激光装置，其特征在于，
具备半导体光集成元件，
所述半导体光集成元件将具有多个半导体激光元件的半导体激光器阵列和半导体阵列波导衍射光栅在同一基板上集成为单片，并从输出端面输出由所述半导体激光元件振荡得到的激光，
所述半导体阵列波导衍射光栅由半导体构成，并具有输入侧平板波导、阵列波导和输出侧平板波导，其中所述输入侧平板波导与所述多个半导体激光元件连接，所述阵列波导与所述输入侧平板波导连接，由长度彼此不同且并列排列的多个波导构成，所述输出侧平板波导与所述阵列波导连接，
所述半导体光集成元件的所述输出端面构成为包含所述输出侧平板波导的输出端。
2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，
在所述输出侧平板波导的输出端，具有端面窗结构部，所述端面窗结构部与所述输出侧平板波导的其他部分相比，关于所述输出平板波导的层叠方向的光限制较弱。
3.根据权利要求2所述的半导体激光装置，其特征在于，
所述端面窗结构部的半导体上表面的高度高于所述半导体阵列波导衍射光栅的半导体上表面的高度。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体激光装置，其特征在于，
来自所述输出端面的出射光关于所述平板波导的层叠面方向，从相对于所述输出端面的垂直方向倾斜射出。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体激光装置，其特征在于，
在设置了所述输出侧平板波导或者所述端面窗结构部的区域，具有去除所述半导体阵列波导衍射光栅所射出的相邻衍射光的结构。
6.根据权利要求5所述的半导体激光装置，其特征在于，
去除所述相邻衍射光的结构是比所述输出侧平板波导的芯层更深、且到达下部包覆层为止的槽。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体激光装置，其特征在于，具备：
第1透镜，其对从所述输出端面输出的所述激光进行聚光；和
光纤，其被耦合由所述第1透镜聚光后的所述激光，并将所述激光向该半导体激光装置的外部进行导波并输出。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体激光装置，其特征在于，具备：
第1透镜，其对从所述输出端面输出的所述激光进行聚光；
波导型光功能元件，其被输入由所述第1透镜聚光后的所述激光；
第2透镜，其对从所述波导型光功能元件输出的所述激光进行聚光；和
光纤，其被耦合由所述第2透镜聚光后的所述激光，并将所述激光向该半导体激光装置的外部进行导波并输出。
9.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体激光装置，其特征在于，具备：
第1透镜，其对从所述输出端面输出的所述激光进行校准；
波长监视器，其被输入由所述第1透镜校准后的所述激光，对波长进行检测；
第2透镜，其对通过了所述波长监视器的所述激光进行聚光；
波导型光功能元件，其被输入由所述第2透镜聚光后的所述激光；
第3透镜，其对从所述波导型光功能元件输出的所述激光进行聚光；和
光纤，其被耦合由所述第3透镜聚光后的所述激光，并将所述激光向该半导体激光装置的外部进行导波并输出。
10.根据权利要求8或9所述的半导体激光装置，其特征在于，
所述波导型光功能元件具备将所述激光放大并输出的半导体光放大器。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体激光装置，其特征在于，
所述半导体激光元件是分布反馈型激光器、分布反射型激光器或分布布拉格反射型激光器中的任意一者。