天线装置、卡片型信息介质、电子设备及天线装置的制造方法与流程

本发明涉及天线装置，尤其涉及作为芯片型的线圈天线而被利用的天线装置及其制造方法。再有，本发明涉及具备天线装置的卡片型信息介质及电子设备。

背景技术：

具备线圈天线的表面安装型的天线装置，一般而言在绝缘体层构成基于导体图案的螺旋状的线圈。导体图案之中，在层叠方向上延伸的导体图案由通路孔(通路导体)构成。一般而言通过激光加工或冲孔加工而在层叠体形成多个贯通孔，在这些贯通孔内填充导电膏，由此构成该通路孔。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2013/161608号

技术实现要素：

-发明所要解决的技术问题-

一般而言，在通路导体露出于层叠体的端面的情况下，容易产生微小的灰尘或印刷的飞白、安装时的焊料的飞散等引起的短路不良。尤其，在通过电极膏的填充来形成端面通路的情况下，所填充的电极膏有时会扩散到相邻的端面导体，由此，也存在相邻的端面导体间的短路不良产生的风险。

本发明的目的在于，提供一种防止层叠体的端面处的短路的产生、且对成品率的提高有效的天线装置及具备其的卡片型信息介质以及电子设备。

-用于解决技术问题的手段-

(1)本发明的天线装置，其特征在于，具备：层叠体，多个绝缘体层层叠而形成；和线圈，包含：多个线状导体，形成于所述绝缘体层的面且由位于所述绝缘体层的外缘的2个端部及将所述2个端部间连接的主要部分构成；以及端面导体，形成于所述层叠体的与所述绝缘体层的层叠方向平行的端面且在所述层叠方向将所述线状导体的所述2个端部彼此连接，在所述绝缘体层的面及所述层叠体的所述端面所对应的平行方向上，所述端面导体的宽度比所述主要部分的宽度更窄、且相互相邻的所述端面导体的间隔比相互相邻的所述主要部分的间隔更宽。

根据上述构成，相邻的端面导体间的间隔变宽，端面导体彼此的短路变得难以产生。再有，由于可将线状导体的主要部分的线宽确保为给定宽度，故导体损耗的增加得以抑制。

(2)上述(1)中，优选在所述绝缘体层的面及所述层叠体的端面所对应的平行方向上，所述2个端部的线宽比所述主要部分的线宽更细。

若粗的线状导体与细的端面导体的边界位于层叠体的角部(棱)，则在该角部形成电流的集中场所，因此电阻值变大。根据上述构成，构成线圈的导体之中粗的部分与细的部分的边界形成于绝缘体层的面，可抑制电流的集中或电阻值的增大。

(3)上述(2)中，优选所述2个端部是线宽随着远离所述主要部分而逐渐地变细的形状。

根据上述构成，线状导体的线宽急剧地变化的场所消失(线宽变化的未连续部消失)，可进一步抑制电流集中或电阻值的增大。

(4)上述(2)中，优选所述2个端部的接近所述主要部分的部分的线宽比远离所述主要部分的部分的线宽更粗。

根据上述构成，从主要部分到端面导体的线宽的变化减小，能够抑制电流集中或电阻值的增大。

(5)上述(1)～(4)的任一个中，优选所述2个端部与所述端面导体的连接部的宽度和所述端面导体的线宽不同。

根据上述构成，2个端部与端面导体的连接位置的偏离容许度变大，可防止2个端部与端面导体的连接不良。

(6)上述(5)中，优选所述2个端部与所述端面导体的连接部被配置于所述绝缘体层的边缘的内侧。

根据上述构成，2个端部与端面导体的连接位置处于远离层叠体的角部的(内侧的)位置，因此能减低绝缘体层的角部中的电流集中。

(7)上述(1)～(6)的任一个中，优选所述端面导体由相连的多个层间连接导体构成。

根据上述构成，由于端面导体的横截面积变大，故能够抑制端面导体的电阻值。再有，在母基板状态下进行制造时，由于层间连接导体排列在绝缘体层的面方向，故即便切断线的位置相对地稍微偏离，也能在切断面的两侧将端面导体可靠地留下后进行切断。即，母基板的切断位置的精度及端面导体的形成位置的精度的容许度变大。

(8)上述(7)中，优选所述层间连接导体的横截面形状分别为圆形或椭圆形。

根据上述构成，即便产生层间连接导体的形成位置的偏离，也能较大地确保端面导体的横截面积，能够抑制端面导体的电阻值。

(9)本发明的卡片型信息介质，其特征在于，包括天线元件与存储器元件，所述天线元件具备：层叠体，多个绝缘体层层叠而形成；和线圈，包含：多个线状导体，形成于所述绝缘体层的面且由位于所述绝缘体层的外缘的2个端部及将所述2个端部间连接的主要部分构成；以及端面导体，形成于所述层叠体的与所述绝缘体层的层叠方向平行的端面且在所述层叠方向将所述线状导体的所述2个端部彼此连接，在所述绝缘体层的面及所述层叠体的所述端面所对应的平行方向上，所述端面导体的宽度比所述主要部分的宽度更窄、且相互相邻的所述端面导体的间隔比相互相邻的所述主要部分的间隔更宽。

根据上述构成，能构成具备了导体损耗低且小型的天线元件的卡片型信息介质。

(10)本发明的电子设备，其特征在于，具备天线元件与容纳所述天线元件的壳体，所述天线元件具备：层叠体，多个绝缘体层层叠而形成；和线圈，包含：多个线状导体，形成于所述绝缘体层的面且由位于所述绝缘体层的外缘的2个端部及将所述2个端部间连接的主要部分构成；以及端面导体，形成于所述层叠体的与所述绝缘体层的层叠方向平行的端面且在所述层叠方向将所述线状导体的所述2个端部彼此连接，在所述绝缘体层的面及所述层叠体的所述端面所对应的平行方向上，所述端面导体的宽度比所述主要部分的宽度更窄、且相互相邻的所述端面导体的间隔比相互相邻的所述主要部分的间隔更宽。

根据上述构成，能构成具备了导体损耗低且小型的天线元件的电子设备。

(11)本发明的天线装置的制造方法，该天线装置具备：层叠体，多个绝缘体层层叠而形成；和线圈，包含：多个线状导体，形成于所述绝缘体层的面且由位于所述绝缘体层的外缘的2个端部及将所述2个端部间连接的主要部分构成；以及端面导体，形成于所述层叠体的与所述绝缘体层的层叠方向平行的端面且在所述层叠方向将所述线状导体的所述2个端部彼此连接，所述天线装置的制造方法的特征在于，包括：在所述绝缘体层形成多个所述线状导体的膏图案的工序；在多个所述绝缘体层形成贯通孔，并在该贯通孔填充所述端面导体用的导体膏的工序；将多个所述绝缘体层层叠并进行烧成的工序；和利用经过多个所述端面导体的线将所述层叠体切断的工序，所述端面导体的宽度比所述主要部分的宽度更窄。

根据上述制造方法，相邻的端面导体间的间隔变宽，端面导体彼此的短路变得难以产生。再有，可将线状导体的主要部分的线宽确保为给定宽度，因此导体损耗的增加得以抑制。

-发明效果-

根据本发明，能得到防止端面导体彼此的短路、且导体损耗的增加得以抑制的天线装置、小型的卡片型信息介质及电子设备。

附图说明

图1(a)是第1实施方式涉及的天线装置201的立体图、图1(b)是表示天线装置201的内部的构造的图。

图2是天线装置201的分解俯视图，是对作为层叠体10的构成要素的绝缘体层1a～1e加以表示的图。

图3(a)(b)是表示第1线状导体、第1端面导体及第2端面导体的详细的构成的部分俯视图。

图4a是对第1线状导体、第1端面导体及第2端面导体的尺寸进行表示的部分俯视图。

图4b是对第2线状导体、第1端面导体及第2端面导体的尺寸进行表示的部分俯视图。

图5是形成了第1线状导体的、母基板状态下的层叠体的俯视图。

图6是表示从母基板将单片分离时的分割线附近的构造的图。

图7是表示天线装置的端面附近的构造的部分立体图。

图8(a)(b)(c)(d)是表示第1线状导体的第1端部及第2端部的几种形状的例子的图。

图9(a)是第3实施方式涉及的卡片型信息介质的俯视图，图9(b)是安装卡片型信息介质的电子设备的外观立体图。

图10是表示第4实施方式涉及的电子设备203的壳体内部的构造的俯视图。

具体实施方式

在以后进行表示的各实施方式中，“天线装置”是辐射磁通的天线。天线装置是为了实现与通信方侧的利用了天线磁场耦合的近距离通信而被采用的天线，例如被利用于nfc(nearfieldcommunication)等通信。天线装置例如在hf频带中使用，尤其被采用于13.56mhz或13.56mhz近旁的频带。天线装置的大小与所使用的频率中的波长λ相比非常小，在使用频带中，电磁波的辐射特性差。后述的天线装置所具备的线圈天线的大小为λ/10以下。另外，此处所说的波长指的是考虑了基于形成天线的基材的介电性或导磁性的波长缩短效应的有效波长。线圈天线所具有的线圈导体的两端被连接于利用使用频带(hf频带、尤其13.56mhz近旁)的供电电路。

以后，参照附图，列举几种具体例来表示用于实施本发明的多个方式。各图中对同一场所赋予同一符号。第2实施方式以后，省略针对与第1实施方式共同的事项的描述，仅对不同的方面进行说明。尤其，关于同样的构成所带来的同样的作用效果，并不按照每个实施方式逐次言及。

《第1实施方式》

图1(a)是第1实施方式涉及的天线装置201的立体图，图1(b)是表示天线装置201的内部的构造的图。

天线装置201具备长方体状的层叠体10，其具有第1主面s1、与第1主面s1对置的第2主面s2及将第1主面s1与第2主面s2连接的端面s3、s4。如图1(a)所示，在层叠体10的第1主面s1形成有外部连接端子31、32。该天线装置201通过将外部连接端子31、32连接于电路基板上的连接盘而被表面安装。

在层叠体10的第1主面s1侧(隔着后述的绝缘体层1a而位于第1主面s1的内侧的面)，设置有第1线状导体11a～11t。也就是说，在层叠体10的第1主面s1侧配置有20个第1线状导体11a～11t。在层叠体10的第2主面s2侧(隔着后述的绝缘体层1e而位于第2主面s2的内侧的面)，设置有第2线状导体12a～12t。也就是说，在层叠体10的第2主面s2侧配置有20个第2线状导体。

在层叠体10的端面s3，形成有将第1线状导体11a～11t的第1端部和所述第2线状导体12a～12t的第3端部之间分别连接的第1端面导体21a～21t。也就是说，在层叠体10的端面s3配置有20个第1端面导体。在层叠体10的端面s4，形成有将第1线状导体11a～11t的第2端部和所述第2线状导体12a～12t的第4端部之间分别连接的第2端面导体22a～22s。也就是说，在层叠体10的端面s4配置有19个第2端面导体。

通过上述第1线状导体11a～11t、第2线状导体12a～12t、第1端面导体21a～21t、第2端面导体22a～22s而构成扁平矩形的螺旋状的线圈天线。其中，第1线状导体、第2线状导体、第1端面导体、第2端面导体的个数未被限于上述。

图2是天线装置201的分解俯视图，是对作为层叠体10的构成要素的绝缘体层1a～1e加以表示的图。

绝缘体层1a处于第1主面s1侧、绝缘体层1e处于第2主面s2侧。在绝缘体层1a的上表面形成有外部连接端子31、32。在绝缘体层1b的上表面，形成有由位于绝缘体层1b的外缘的2个端部和将这2个端部间连接的主要部分构成的多个第1线状导体11a～11t。在绝缘体层1e的上表面，形成有由位于绝缘体层1e的外缘的2个端部和将这2个端部间连接的主要部分构成的多个第2线状导体12a～12t。在绝缘体层1b、1c、1d形成有第1端面导体21a～21t及第2端面导体22a～22s。

绝缘体层1b、1c、1d由磁性体铁氧体构成，绝缘体层1a、1e由非磁性铁氧体构成。

另外，在图2示出的例子中，虽然在第1线状导体11a～11t与第2线状导体12a～12t之间仅设置了3层的绝缘体层1b、1c、1d，但第1线状导体11a～11t与第2线状导体12a～12t之间的绝缘体层既可以是1层或2层，也可以是4层以上。通过将层数增多，从而能使线圈开口较大。例如，也可以将作为非磁性体层的绝缘体层1a、1e的厚度分别设为25μm，将作为厚度为50μm的磁性体层的绝缘体层层叠5层，由此将磁性体层的总厚度例如设为250μm。

此外，也可以在第1、第2线状导体的外侧配置磁性体的层。即，构成层叠体10的全部的层也可以是磁性体层。例如，图2示出的绝缘体层1a、1e也可以是磁性体铁氧体。其中，如果将第1线状导体11a～11t与第2线状导体12a～12t的外侧设为非磁性体层，那么从天线装置201的线圈天线产生的磁通的磁路仅成为开路磁路，从天线装置201的线圈天线产生的磁通向层叠体10的第1主面s1、第2主面s2、端面s3及端面s4中层叠体10的外侧扩展。由此，天线装置201的线圈天线与通信方侧的天线的磁场耦合变得容易，天线装置201的线圈天线与通信方侧的天线的耦合系数上升，通信特性优化。

再有，构成层叠体10的全部的层也可以是非磁性体层。

图3(a)(b)是表示第1线状导体、第1端面导体及第2端面导体的详细的构成的部分俯视图。第1线状导体由第1主要部分110、第1端部111及第2端部112构成。第1端部111由与第1主要部分110相连的部分111r及与第1端面导体21相连的部分111e构成。第2端部112由与第1主要部分110相连的部分112r及与第2端面导体22相连的部分112e构成。同样地，第2线状导体由第2主要部分120、第3端部121及第4端部122构成。第3端部121由与第2主要部分120相连的部分121r及与第1端面导体21相连的部分121e构成。第4端部122由与第2主要部分120相连的部分122r及与第1端面导体21相连的部分122e构成。

另外，第1主要部分110、第2主要部分120中的“主要部分”意味着第1线状导体及第2线状导体的主要的部分，例如是占据各线状导体的50％以上的部分。

第1端面导体21由直接地与第1端部111及第3端部121相连的部分211和露出于层叠体10的端面s3的部分212构成。第2端面导体22由直接地与第2端部112及第4端部122相连的部分221和露出于层叠体10的端面s4的部分222构成。

图4a是对第1线状导体、第1端面导体及第2端面导体的尺寸进行表示的部分俯视图，图4b是对第2线状导体、第1端面导体及第2端面导体的尺寸进行表示的部分俯视图。图4a、图4b中，第1主要部分110的宽度能够用第1主要部分110的与延伸方向正交的方向的宽度w11r或多个第1主要部分110的排列方向的宽度w11t来表示。同样，第2主要部分120的宽度能够用第2主要部分120的与延伸方向正交的方向的宽度w12r或多个第2主要部分120的排列方向的宽度w12t来表示。第1端部111的最大宽度部分的线宽为w111r，最小宽度部分的线宽为w111e。再有，第2端部112的最大宽度部分的线宽为w112r，最小宽度部分的线宽为w112e。还有，第3端部121的最大宽度部分的线宽为w121r，最小宽度部分的线宽为w121e。再者，第4端部122的最大宽度部分的线宽为w122r，最小宽度部分的线宽为w122e。

第1端面导体21的宽度w21比第1主要部分110的宽度w11t或w11r窄，比第2主要部分120的宽度w12t、w12r更窄。再者，第2端面导体22的宽度w22比第1主要部分110的宽度w11t或w11r窄，比第2主要部分120的宽度w12t、w12r更窄。

以尺寸w111r～w111e进行表示的、第1端部111的线宽比第1主要部分110的线宽w11t、w11r更细。再有，以尺寸w112r～w112e进行表示的、第2端部112的线宽比第1主要部分110的线宽w11t、w11r更细。

以尺寸w121r～w121e进行表示的、第3端部121的线宽比第2主要部分120的线宽w12t、w12r更细。再有，以尺寸w122r～w122e进行表示的、第4端部122的线宽比第2主要部分120的线宽w12t、w12r更细。

第1端部的一部分111r为越远离第1主要部分110则越变细的前端细形状。再有，第2端部的一部分112r为越远离第1主要部分110则越变细的前端细形状。即，第1端部111及第2端部112是随着远离第1主要部分110而线宽逐渐地变细的形状。同样，第3端部121及第4端部122是随着远离第2主要部分120而线宽逐渐地变细的形状。

第1端部111或第3端部121与第1端面导体21的连接部的宽度wc21和第1端面导体21的线宽w21不同。或者，第2端部112或第4端部122与第2端面导体22的连接部的宽度wc22和第2端面导体22的线宽w22不同。本实施方式中，第1端部111及第3端部121与第1端面导体21的连接部的宽度wc21比第1端面导体21的线宽w21细，第2端部112及第4端部122与第2端面导体22的连接部的宽度wc22比第2端面导体22的线宽w22细。

另外，相反，第1端部111及第3端部121与第1端面导体21的连接部的宽度wc21也可以比第1端面导体21的线宽w21粗。再有，第2端部112及第4端部122与第2端面导体22的连接部的宽度wc22也可以比第2端面导体22的线宽w22粗。

图5是形成了第1线状导体的、母基板状态下的层叠体的俯视图。图6是表示从母基板将单片分离时的分割线附近的构造的图。其中，图6中将相当于图2示出的绝缘体层1a的绝缘体层刨除并进行图示。图7是表示天线装置的端面附近的构造的部分立体图。关于天线装置201的制造方法，参照这些附图及图2、图3而进行说明。

(1)在绝缘体层1a形成外部连接端子31、32。

(2)在第1绝缘体层1b形成第1线状导体11a～11t用的膏图案。再有，在第2绝缘体层1e形成第2线状导体12a～12t用的膏图案。

(3)通过激光加工等在绝缘体层1a的外部连接端子31、32的给定位置形成层间连接导体形成用的贯通孔。层间连接导体形成用的贯通孔的横截面优选设为圆形或椭圆形。

(4)通过激光加工等在绝缘体层1b、1c、1d的给定位置形成贯通孔。

(5)在绝缘体层1a～1d的各孔填充导电性膏，以形成层间连接导体。

(6)层叠绝缘体层1a～1e，进行压接以构成层叠体。

(7)对层叠体进行烧成。

(8)到此为止的工序中，各绝缘体层及层叠体是相当于母基板的尺寸，具备多个天线装置形成区域。然后，以图5所表示的切断线cl、clh进行切断，由此将用a1、a2、a3、a4···进行表示的区域分离为天线装置。

通过以上的方法来制造天线装置。另外，作为抑制翘曲用的导体图案，也可以在绝缘体层1e的背面形成与外部连接端子31、32同样的导体图案。

如图6示出，第1端面导体21与第2端面导体22是由被连接的多个层间连接导体来构成的。而且，用切断线clh进行切断，以使得横切这些层间连接导体。第1端面导体及第2端面导体露出于该切断面。

本实施方式中，对于绝缘体层1b、1e的任一个线状导体来说，虽然将主要部分与端部的形状、与端面导体的关系等设为上述的关系，但既可以对于任一绝缘体层而言满足上述关系，还可以对于所排列的多个线状导体之中任一线状导体而言满足上述关系，也可以对于线状导体的一方端部而言满足上述关系。

根据本实施方式，达到如下效果。

(a)通过使第1端面导体21a～21t及第2端面导体22a～22s比第1线状导体11a～11t的主要部分110、第2线状导体12a～12t的主要部分120更细，从而能够防止端面导体间的短路产生。再有，由于第1、第2线状导体的主要部分110、120的宽度未被缩窄，故电阻值的上升得以抑制。进而，由于线状导体间的间隔未扩大，故磁通的副环(环绕为从线状导体间拔出的磁通环路)难以产生，也可防止副环引起的通信特性的下降(例如天线装置201的线圈天线与通信方侧的天线的耦合系数的下降)。

(b)构成第1端面导体21及第2端面导体22的层间连接导体的横截面形状分别为圆形或椭圆形。由此，在第1端面导体21及第2端面导体22不会形成角部(例如，在多边形中具有比180°还小的内角的部分)，因此电流集中在角部而导致的电阻值的增大不会产生。

再有，第1端部111或第3端部121与第1端面导体21的连接部被配置得比层叠体10的角更靠内侧区域，或者，第2端部112或第4端部122与第2端面导体22的连接部被配置得比层叠体10的角更靠内侧区域。由此，电流不会集中于第1线状导体的第1端部111的角部及第2线状导体的第3端部121的角部，因而能够抑制电阻值(损耗)的增大。

(c)第1端面导体21与第2端面导体22由所连接的多个层间连接导体构成，并以切断线clh进行切断，以使得横切这些层间连接导体，由此第1端面导体21、第2端面导体22的横截面积变大，因此能够抑制这些端面导体21、22的电阻值。再有，在母基板状态下进行制造时，由于层间连接导体排列在第1主面及第2主面的面方向，故即便切断线的位置相对地稍微偏离，也能在切断面的两侧可靠地留下端面导体而进行切断。即，母基板的切断位置的精度及第1、第2端面导体的形成位置的精度的容许度变大。

(d)第1线状导体(11a～11t)的第1端部111及第2端部112是线宽随着远离第1主要部分110而逐渐地变细的形状，第2线状导体(12a～12t)的第3端部121及第4端部122是线宽随着远离第2主要部分120而逐渐地变细的形状，因此在第1线状导体及第2线状导体中线宽急剧地变化的场所消失(线宽变化的未连续部消失、阻抗变化变得圆滑)，能够抑制电流集中或阻抗的不匹配。通过抑制电流集中，从而能够抑制电阻值(损耗)的增大。再有，通过抑制阻抗的不匹配，从而电磁能量可扩散至天线装置201的线圈天线，通信特性优化。

(e)第1线状导体(11a～11t)的第1端部111及第2线状导体(12a～12t)的第3端部121之中与第1端面导体21的连接部的线宽和第1端面导体21的线宽不同，第2端部112及第4端部122之中与第2端面导体22的连接部的线宽和第2端面导体22的线宽不同。根据该构造，第1端部111、第3端部121与第1端面导体21的连接位置的偏离容许度变大，第2端部112、第4端部122与第2端面导体22的连接位置的偏离容许度变大，可防止第1端部111、第3端部121与第1端面导体21的连接不良、或第2端部112、第4端部122与第2端面导体22的连接不良。

(f)因为第1线状导体11a～11t及第2线状导体12a～12t的表面被绝缘体层覆盖，所以微小的灰尘或安装时的焊料的飞散引起的、第1、第2线状导体中的短路不良也变得难以产生。再有，因为能够在维持线圈轴方向的线圈部的长度不变的状态下在层叠体的外侧形成安装用的外部连接端子，所以可使天线装置小型化。

还有，本实施方式中，虽然示出了利用长方体状的层叠体10的例子，但层叠体10的形状未被限于此。

另外，本实施方式中，虽然示出了多个第1线状导体11a～11t及多个第2线状导体12a～12t沿着长方体状的层叠体10的长边方向按顺序排列的例子，但也可以沿着长方体状的层叠体10的短边方向按顺序排列。

此外，本实施方式中，虽然示出了第1端面导体21与第2端面导体22的第1主要部分110、第2主要部分为直线型的线的例子，但也可以是粗细度在主要部分110、120内变化的形状(例如梯形或纺锤形)。

此外，本实施方式中，虽然示出了全部的第1端面导体21与全部的第2端面导体22分别比第1线状导体的第1主要部分110、第2主要部分120还细的例子，但也可以是仅第1端面导体21及第2端面导体22的任一方形成得比任一主要部分更细。再有，也可以是第1端面导体21及第2端面导体22之中仅一部分的端面导体形成得比与其连接的线状导体的主要部分还细。任一个情况下都能达到发明的效果。

再者，本实施方式中，虽然示出了全部的第1端部111与第2端部112分别比第1端面导体21与第2端面导体22还细的例子，但也可以仅将第1端部111与第2端部112的任一方形成得比任一端面导体还细。再有，也可以将第1端部111与第2端部112之中仅一部分的端部形成得比与之连接的端面导体还细。任一个情况下都能达到发明的效果。

《第2实施方式》

第2实施方式中，表示第1线状导体的第1端部及第2端部的几种形状的例子。在图8(a)所示的例子中，第1线状导体的第1端部111、第2端部112的线宽比第1主要部分110的线宽更细。在图8(b)所示的例子中，第1端部111、第2端部112是与第1主要部分110的线宽相比前端细形状的梯形。在图8(c)所示的例子中，第1端部111的接近第1主要部分110的部分111r的线宽比远离第1主要部分110的部分111e的线宽更粗，比第1主要部分110的线宽更细。同样，第2端部112的接近第1主要部分110的部分112r的线宽比远离第1主要部分110的部分112e的线宽更粗，比第1主要部分110的线宽更细。在图8(d)所示的例子中，第1端部111之中接近第1主要部分110的部分111r成为与第1主要部分110的线宽相比前端细的形状。再有，第2端部112之中接近第1主要部分110的部分112r成为与第1主要部分110的线宽相比前端细的形状。

图8(a)(b)(c)(d)中，虽然对第1线状导体加以示出，但对于第2线状导体而言，同样地能够采取各种形状。

《第3实施方式》

第3实施方式中表示本发明的卡片型信息介质的例子。图9(a)是第3实施方式涉及的卡片型信息介质的俯视图，图9(b)是安装卡片型信息介质的电子设备的外观立体图。

电子设备的壳体62是具有长边方向与短边方向的长方体状的壳体，具备插拔卡片型信息介质202的卡槽63。

在卡片型信息介质202的内部设置有天线装置201。卡片型信息介质202例如是如sd(securedigital)卡(注册商标)等的存储器卡或sim(subscriberidentitymodule)卡等能够实现向终端主体的安装或拆卸的小型的卡片型器件，具有被连接到rfic元件的天线装置201。

在被设置在壳体62内的布线基板安装有插槽盒。插槽盒与布线基板之间构成可装卸卡片型信息介质202的空间(插槽)。

这样，即便是不具有无线通信系统的电子设备，通过将本发明的卡片型信息介质202插入电子设备的卡槽63，从而也能够构成与hf频带或uhf频带的通信系统对应的电子设备。因此，被插入了本发明的卡片型信息介质202的电子设备，通过基于磁场耦合的近距离无线通信(nearfieldcomunication)，与外部的电子设备或其他外部装置的数据的发送接收成为可能。

本实施方式中，“电子设备”是指智能电话或功能电话等的移动电话终端、智能监测器或智能眼镜等的可佩戴终端、笔记本型pc或书写板型pc等的便携式pc、照相机、游戏机、玩具等的信息设备、ic标签、sd卡、sim卡、ic卡等的信息介质等各种各样的电子设备。

《第4实施方式》

第4实施方式中，对内置天线装置的电子设备进行表示。图10是表示第4实施方式涉及的电子设备203的壳体内部的构造的俯视图。本实施方式的电子设备，例如是移动电话、智能电话、书写板型终端、笔记本型pc、照相机、游戏机、玩具、智能监测器等的可佩戴终端等。

电子设备203具备天线装置201。壳体91的内部收纳有电路基板81、82、蓄电池组83等。uhf频带天线92等安装于电路基板81。电路基板81及电路基板82经由同轴线缆86而被连接。再有，在电路基板82安装着uhf频带天线93、具备通信电路的供电电路85、表面安装部件84、供电电路85所连接的天线装置201。供电电路85对天线装置201供电。表面安装部件84例如是谐振电路用的芯片电容器。

另外，上述实施方式中，主要对nfc等利用了磁场耦合的通信系统中的天线装置及电子设备进行了说明，但上述实施方式中的天线装置及电子设备即便在利用了磁场耦合的非接触电力传输系统(电磁感应方式、磁场共振方式)中也同样能够采用。例如，上述实施方式中的天线装置可适用于hf频带、尤其6.78mhz或6.78mhz近旁的频率下使用的磁场共振方式的非接触电力传输系统的受电装置的受电天线装置。或者，可适用于送电装置的送电天线装置。该情况下，天线装置作为受电天线装置或送电天线装置起作用。该情况下，天线装置的线圈天线所具有的线圈导体的两端也被连接于利用使用频带(hf频带、尤其6.78mhz近旁)的受电电路或送电电路。

最后，上述实施方式的说明在所有方面均为例示，并非限制性的内容。对本领域的技术人员而言能够适当地加以变形或变更。例如，能够实现不同的实施方式示出的构成的局部性置换或组合。本发明的范围并不是由上述实施方式来表示，而是通过权利要求来表示。再者，本发明的范围还意图包含与权利要求均等的含义及范围内的全部变更。

-符号说明-

clh、clv…切断线

s1…第1主面

s2…第2主面

s3、s4…端面

1a～1e…绝缘体层

10…层叠体

11a…第1线状导体

12a…第2线状导体

21、21a…第1端面导体

22、22a…第2端面导体

31、32…外部连接端子

62…壳体

63…卡槽

81、82…电路基板

83…蓄电池组

84…表面安装部件

85…供电电路

86…同轴线缆

91…壳体

92、93…uhf频带天线

110…第1主要部分

111…第1端部

111e、111r…第1端部的一部分

112…第2端部

112e、112r…第2端部的一部分

120…第2主要部分

121…第3端部

121e、121r…第3端部的一部分

122…第4端部

122e、122r…第4端部的一部分

201…天线装置

202…卡片型信息介质

203…电子设备